A ваферэшкәртү өчен ярымүткәргеч һәм фотоволтаик тармакларда кулланылган мөһим компонентваферларюгары температура процесслары вакытында. Семицерада без югары сыйфатлы җитештерү өчен алдынгы мөмкинлекләребез белән горурланабызвафин паддерларбу тармакларның катгый таләпләренә җавап бирә. Безнең вафин паддерлар ваферларның куркынычсыз, төгәл эшкәртелүен тәэмин итә, бөтен җитештерү процессының эффективлыгына һәм ышанычлылыгына ярдәм итә.
Семицерада без төрле чисталык дәрәҗәләре булган, төрле тармак ихтыяҗларына туры китереп, махсус вафин паддерлар спектрын эшләдек. Фотовольтаик индустрия өчен без 2N чисталыгыннан ясалган вафер калаклар тәкъдим итәбезкремний карбид(RBSiC) һәм 2N кремний карбидын рестральләштерделәр, югары температуралы шартларда югары җитештерүчәнлекне тәэмин иттеләр. Бу материаллар киемгә, коррозиягә һәм җылылык шокына искиткеч каршылык тәкъдим итә, аларны фотоволтаик кушымталар өчен идеаль итә.
Төгәллек һәм материаль чисталык иң мөһиме булган ярымүткәргеч индустриясендә, Семисера 3-4N чисталыгында кремний карбидыннан (RSiC) һәм Si-Импрегнатланган Кремний Карбид өлешләреннән ясалган вафер калаклар тәкъдим итә. Бу вафин калаклар ярымүткәргеч эшкәртү процессларының катгый таләпләрен эшкәртү өчен эшләнгән, мәсәлән, химик пар парламенты (CVD), эфирлау һәм оксидлашу, минималь пычрануны һәм максималь ныклыкны тәэмин итә.
Чисталык дәрәҗәләрен тагын да югарырак таләп иткән тармаклар өчен, Semicera RSiC белән кушылган вафер калаклар тәкъдим итәCVD SiC, 5N-6N чисталык дәрәҗәсенә ирешү. Бу ультра-чиста материаллар киләсе буын ярымүткәргеч технологияләре өчен бик яхшы, монда пычраклар сизгер электрон компонентларның функциясен бозырга мөмкин. Мондый югары чисталыкны тәкъдим итеп, Семицера безнең вафин калакларыбыз заманча җитештерү процессларының иң катлаулы таләпләрен канәгатьләндерүне тәэмин итә.
Семицерада безнең җитештерү процессы төгәл инженерияне алдынгы материаллар белән берләштерә, җитештерүчәнлек һәм чыдамлылыктан өстен булган вафер калаклар җитештерү өчен. Фотовольтаик һәм ярымүткәргеч тармакларның конкрет ихтыяҗларын канәгатьләндерә алу безнең күпкырлы булуыбызны һәм сыйфатка тугрылыгыбызны күрсәтә. Фотовольтаиклар өчен 2N RBSiC яки ярымүткәргечләр өчен 5N-6N RSiC + CVD SiC булсын, Семицераның тәҗрибәсе безгә иң алдынгы технологияләрне яклаучы вафин паддерлар китерергә мөмкинлек бирә.
Пост вакыты: 07-2024 сентябрь