Ваферны әзерләү процессында ике төп бәйләнеш бар: берсе субстратны әзерләү, икенчесе эпитаксиаль процессны тормышка ашыру. Ярымүткәргеч бер кристалл материалдан җентекләп эшләнгән субстрат, ярымүткәргеч җайланмалар җитештерү өчен нигез итеп вафер җитештерү процессына кертелергә мөмкин, яки эпитаксиаль процесслар ярдәмендә тагын да көчәйтелергә мөмкин.
Алайса, нәрсә ул? Кыскасы, эпитакси - нечкә эшкәртелгән бер кристалл субстратында яңа кристалл катламының үсүе (кисү, тарту, бизәү һ.б.). Бу яңа кристалл катлам һәм субстрат бер үк материалдан яки төрле материаллардан ясалырга мөмкин, шулай итеп бертөрле яки гетероепитаксиаль үсеш кирәк булганда ирешелә ала. Яңа үскән бер кристалл катлам субстратның кристалл фазасы буенча киңәячәк, ул эпитаксиаль катлам дип атала. Аның калынлыгы гадәттә берничә микрон. Кремнийны мисал итеп алсак, кремний эпитаксиаль үсеш кремний катламын субстрат, контрольдә тотыла торган каршылык һәм калынлык белән кремний катламын үстерү, билгеле кристалл ориентациясе булган кремний бер кристалл субстратында. Камил краска кремний катламы. Эпитаксиаль катлам субстратта үскәч, бөтенесе эпитаксиаль вафер дип атала.
Традицион кремний ярымүткәргеч индустриясе өчен кремний вафаларында югары ешлыклы һәм югары көчле җайланмалар җитештерү кайбер техник кыенлыклар белән очрашачак. Мәсәлән, югары ватылу көчәнеше, кечкенә серияләргә каршы тору һәм коллектор өлкәсендә кечкенә туендыру көчәнеше төшү таләпләренә ирешү авыр. Эпитакс технологиясен кертү бу проблемаларны акыл белән чишә. Чишелеш - түбән каршылыклы кремний субстратында югары каршылыклы эпитаксиаль катлам үстерү, аннары югары каршылыклы эпитаксиаль катламда җайланмалар ясау. Шул рәвешле, югары каршылыклы эпитаксиаль катлам җайланма өчен югары ватылу көчәнешен тәэмин итә, ә түбән каршылыклы субстрат субстратның каршылыгын киметә, шуның белән туену көчәнешенең төшүен киметә, шуның белән югары өзелү көчәнешенә һәм каршылык арасында кечкенә баланска ирешә. кечкенә көчәнеш төшүе.
Моннан тыш, пар фазасы эпитакси һәм GaAs һәм III III-V, II-VI һәм башка молекуляр кушылма ярымүткәргеч материаллар кебек эпитакси технологияләр дә бик нык эшләнде һәм күпчелек микродулкынлы җайланмалар, оптоэлектрон җайланмалар һәм көч өчен нигез булды. җайланмалар. Productionитештерү өчен алыштыргысыз процесс технологияләре, аеруча молекуляр нур һәм металл-органик пар фазасы эпитакси технологиясен нечкә катламнарда, суперлатицаларда, квант скважиналарында, сузылган суперлатицаларда һәм атом дәрәҗәсендәге нечкә катлам эпитаксасында уңышлы куллану ярымүткәргеч тикшерүнең яңа өлкәсенә әверелде. "Энергия каешы проекты" үсеше ныклы нигез салды.
Өченче буын ярымүткәргеч җайланмаларга килгәндә, мондый ярымүткәргеч җайланмаларның барысы да диярлек эпитаксиаль катламда ясалган, һәм кремний карбид ваферы субстрат кына булып хезмәт итә. SiC эпитаксиаль материалның калынлыгы, фон йөртүче концентрациясе һәм башка параметрлар SiC җайланмаларының төрле электр үзлекләрен турыдан-туры билгели. Volгары көчәнешле кушымталар өчен кремний карбид җайланмалары эпитаксиаль материалларның калынлыгы һәм фон ташучы концентрациясе кебек параметрларга яңа таләпләр куя. Шуңа күрә кремний карбид эпитаксиаль технологиясе кремний карбид җайланмаларының эшләвен тулысынча куллануда хәлиткеч роль уйный. Барлык диярлек SiC электр җайланмаларын әзерләү югары сыйфатлы SiC эпитаксиаль ваферларга нигезләнгән. Эпитаксиаль катламнар җитештерү киң үткәргеч ярымүткәргеч индустриясенең мөһим өлеше булып тора.
Пост вакыты: 06-2024 май