SiC капламы нәрсә ул?

 

Силикон Карбид SiC каплавы нәрсә ул?

Кремний Карбид (SiC) каплавы - революцион технология, ул югары температурада һәм химик реактив шартларда гаҗәеп саклауны һәм эшне тәэмин итә. Бу алдынгы каплау төрле материалларга, шул исәптән графит, керамика, металлларга кулланыла, коррозиядән, оксидлашудан һәм киемнән өстен саклауны тәкъдим итеп, аларның үзлекләрен арттыру өчен. SiC капламаларының уникаль үзенчәлекләре, шул исәптән аларның югары чисталыгы, искиткеч җылылык үткәрүчәнлеге, структур бөтенлеге аларны ярымүткәргеч җитештерү, аэрокосмик һәм югары җитештерүчән җылыту технологияләре кебек тармакларда куллану өчен идеаль итә.

 

Кремний карбид каплауның өстенлекләре

SiC каплавы аны традицион саклагычлардан аерган берничә төп өстенлек тәкъдим итә:

  • -Бары тыгызлык һәм коррозиягә каршы тору
  • Кубик SiC структурасы югары тыгызлыктагы каплауны тәэмин итә, коррозиягә каршы торуны яхшырта һәм компонентның гомер озынлыгын озайта.
  • - Катлаулы формаларны каплау
  • SiC каплавы искиткеч каплау белән дан тота, хәтта 5 мм тирәнлектәге кечкенә сукыр тишекләрдә дә, иң тирән ноктада бердәм калынлыкны 30% ка кадәр тәкъдим итә.
  • Customзенчәлекле өслекнең тупаслыгы
  • Каплау процессы җайлаштырыла, төрле өслек тупаслыгы махсус куллану таләпләренә туры килә.
  • - Pгары чисталык каплавы
  • Highгары чисталыклы газлар кулланып ирешелгән SiC каплавы гадәттән тыш чиста булып кала, пычраклык дәрәҗәсе гадәттә 5 сәг. Бу чисталык төгәл һәм минималь пычрануны таләп итә торган югары технологияле тармаклар өчен бик мөһим.
  • -Термаль тотрыклылык
  • Кремний карбид керамик каплау экстремаль температураларга каршы тора ала, максималь эш температурасы 1600 ° C га кадәр, югары температура шартларында ышанычлылыкны тәэмин итә.

 

SiC каплау кушымталары

SiC каплаулары төрле тармакларда киң кулланыла, авыр шартларда тиңнәрсез эш итү өчен. Төп кушымталар:

  • -LED & Кояш индустриясе
  • Катлам шулай ук ​​LED һәм кояш күзәнәкләрен җитештерүдә компонентлар өчен кулланыла, монда югары чисталык һәм температурага каршы тору мөһим.
  • - -гары температуралы җылыту технологияләре
  • SiC белән капланган графит һәм башка материаллар төрле сәнәгать процессларында кулланылган мичләр һәм реакторлар өчен җылыту элементларында кулланыла.
  • - Ярымүткәргеч кристалл үсеше
  • Ярымүткәргеч кристалл үсешендә, SiC капламнары кремний һәм башка ярымүткәргеч кристалллары үсешендә катнашкан компонентларны саклау өчен кулланыла, югары коррозиягә каршы тору һәм җылылык тотрыклылыгын тәкъдим итә.
  • -Силикон һәм SiC эпитаксы
  • SiC капламнары кремний һәм кремний карбидының (SiC) эпитаксиаль үсеш процессындагы компонентларга кулланыла. Бу капламалар оксидлашуны, пычрануны булдырмый, эпитаксиаль катламнарның сыйфатын тәэмин итә, бу югары җитештерүчән ярымүткәргеч җайланмалар җитештерү өчен бик мөһим.
  • - Оксидлаштыру һәм диффузия процесслары
  • SiC белән капланган компонентлар оксидлашу һәм диффузия процессларында кулланыла, алар кирәкмәгән пычракларга каршы эффектив киртә бирәләр һәм соңгы продуктның бөтенлеген арттыралар. Катламнар югары температуралы оксидлашу яки диффузия адымнарына дучар булган компонентларның озын гомерен һәм ышанычлылыгын яхшырта.

 

SiC каплауның төп үзенчәлекләре

SiC каплаулары сик капланган компонентларның эшләвен һәм ныклыгын арттыручы берничә үзенчәлек тәкъдим итә:

  • -Кристалл структурасы
  • Катлам гадәттә а белән ясалаβ 3C (куб) кристаллизотроп булган һәм оптималь коррозиядән саклаучы структура.
  • - тыгызлык һәм күзәнәк
  • SiC капламнары тыгызлыкка ия3200 кг / м³һәм экспонат0% күзәнәк, гелийның агып чыгуын һәм эффектив коррозиягә каршы торуын тәэмин итү.
  • -Термаль һәм электр үзенчәлекләре
  • SiC капламы югары җылылык үткәрүчәнлегенә ия(200 Вт / м · К)һәм искиткеч электр каршылыгы(1МΩ · м), җылылык белән идарә итүне һәм электр изоляциясен таләп иткән кушымталар өчен идеаль итү.
  • -Механик көч
  • Эластик модуль белән450 GPa, SiC капламалары компонентларның структур бөтенлеген арттырып, өстен механик көч бирә.

 

SiC кремний карбид каплау процессы

SiC каплавы химик пар парламенты (CVD) аша кулланыла, бу процесс субстратка нечкә SiC катламнарын урнаштыру өчен газларның җылылык бозылуын үз эченә ала. Бу чүпләү ысулы югары үсеш темпларын һәм катлам калынлыгын төгәл контрольдә тотарга мөмкинлек бирә, алар арасында булырга мөмкин10 µm - 500 µm, кушымтага карап. Каплау процессы шулай ук ​​традицион каплау ысуллары өчен катлаулы булган кечкенә яки тирән тишекләр кебек катлаулы геометрияләрдә дә бердәм каплауны тәэмин итә.

 

SiC каплау өчен яраклы материаллар

SiC капламалары төрле материалларга кулланылырга мөмкин, шул исәптән:

  • -Графит һәм углерод композитлары
  • Графит - искиткеч җылылык һәм электр характеристикалары аркасында SiC каплау өчен популяр субстрат. SiC капламы графитның күзәнәк структурасына үтеп керә, көчәйтелгән бәйләнеш булдыра һәм өстен саклауны тәэмин итә.
  • Керамика
  • SiC, SiSiC, RSiC кебек кремний нигезендәге керамика SiC капламаларыннан файда күрә, алар коррозиягә каршы торуны яхшырта һәм пычраклар таралуны булдырмый.

 

Нигә SiC каплауны сайларга?

Surfaceир өсте каплаулары югары чисталыкны, коррозиягә каршы торуны һәм җылылык тотрыклылыгын таләп итүче тармаклар өчен күпкырлы һәм чыгымлы эффектив чишелеш тәкъдим итә. Сез ярымүткәргечтә, аэрокосмоста яки югары җитештерүчән җылыту секторында эшлисезме, SiC капламалары саклауны һәм эшне башкаруны тәэмин итә. Highгары тыгызлыктагы куб структурасы, көйләнә торган өслек үзенчәлекләре, катлаулы геометрияне каплау сәләте комбинацияләнгән элементларның хәтта иң катлаулы мохиткә дә каршы тора алуын тәэмин итә.

Күбрәк мәгълүмат алу өчен яки кремний карбид керамик каплавы сезнең кушымтага ничек файда китерә алуы турында сөйләшү өчен зинһарбезнең белән элемтәгә керегез.

 

SiC Coating_Semicera 2


Пост вакыты: 12-2024 август