.Әр сүзнеңMOCVDметод - хәзерге вакытта тармакта кулланылган иң тотрыклы процессларның берсе, югары сыйфатлы бер кристалл нечкә фильмнарны үстерү өчен, мәсәлән, бер фазалы InGaN эпилаерлары, III-N материаллары, һәм күп квантлы скважиналар белән ярымүткәргеч фильмнар, һәм зур әһәмияткә ия. ярымүткәргеч һәм оптоэлектрон җайланмалар җитештерү.
.Әр сүзнеңSiC каплау MOCVD сусепторыкремний карбид (SiC) белән капланган махсус вафат тотучыэпитаксиаль металл органик химик пар парламенты (MOCVD) процессында үсеш.
SiC каплавы искиткеч химик каршылыкка һәм җылылык тотрыклылыгына ия, бу эпитаксиаль үсеш процессларын таләп итүдә кулланылган MOCVD сусепторлары өчен идеаль сайлау.
MOCVD процессының төп компоненты - сусептор, ул җитештерелгән нечкә фильмнарның бердәмлеген һәм сыйфатын тәэмин итү өчен төп элемент.
Нәрсә ул? Суссептор - нечкә пленка салынган субстратны тәэмин итү һәм җылыту өчен MOCVD процессында кулланылган махсус компонент. Аның берничә функциясе бар, шул исәптән электромагнит энергиясен үзләштерү, аны җылылыкка әверелдерү, һәм җылылыкны субстратка тигез бүлү. Бу бердәм җылыту төгәл калынлыгы һәм составы булган бердәм нечкә пленкаларның үсүе өчен бик кирәк.
Саклаучыларның төрләре:
1кремний карбид (SiC), югары җылылык үткәрүчәнлеге һәм тотрыклылыгы белән билгеле. .Әр сүзнеңSiC каплауюгары температурада коррозиягә һәм деградациягә каршы торучы каты, саклагыч өслек бирә.
2. SiC сизгерләре югары температуралы процесслар һәм коррозив мохит өчен аеруча яраклы.
МОКВДда сенсорлар ничек эшли:
MOCVD процессында прекурсорлар реакция палатасына кертелә, алар череп бетәләр һәм субстратта нечкә пленка ясыйлар. Субсептор субстратның тигез җылытылуын тәэмин итеп, бик мөһим роль уйный, бу бөтен субстрат өслегендә эзлекле кино үзлекләренә ирешү өчен бик мөһим. Суссепторның материалы һәм дизайны температура диапазоны һәм химик яраклашу кебек чүпләү процессының конкрет таләпләренә туры китереп сайланган.
Highгары сыйфатлы сенсорларны куллануның өстенлекләре:
• Фильмның сыйфатын яхшырту: Бердәм җылылык таратуны тәэмин итеп, сенсор ярымүткәргеч җайланмалары эшләве өчен мөһим булган эзлекле калынлык һәм композицияле фильмнарга ирешергә булыша.
• Процессның эффективлыгын яхшырту: qualityгары сыйфатлы сиземләүчеләр MOCVD процессының гомуми эффективлыгын җитешсезлекләр ихтималын киметеп һәм кулланыла торган фильмнар җитештерүчәнлеген арттыралар.
• Гомер озынлыгы һәм ышанычлылыгы: SiC кебек чыдам материаллардан эшләнгән суссепторлар озак вакытлы ышанычлылыкны тәэмин итәләр һәм хезмәт күрсәтү чыгымнарын киметәләр.
Суссептор - MOCVD процессының аерылгысыз компоненты һәм нечкә пленкаларның сыйфаты һәм эффективлыгына турыдан-туры тәэсир итә. Мөмкин булган зурлыклар, MOCVD сизгерләре һәм бәяләре турында күбрәк мәгълүмат алу өчен зинһар, безнең белән элемтәгә керергә курыкмагыз. Безнең инженерлар сезгә кирәкле материаллар турында киңәш бирергә һәм барлык сорауларга җавап бирергә шат булырлар.
Телефон: + 86-13373889683
WhatsAPP: + 86-15957878134
Email: sales01@semi-cera.com
Пост вакыты: 12-2024 август