Эпитакси нәрсә ул?

Күпчелек инженерлар таныш түгелэпитакси, ярымүткәргеч җайланмалар җитештерүдә мөһим роль уйный.Эпитакситөрле чип продуктларында кулланырга мөмкин, һәм төрле продуктларның эпитаксы төрле, шул исәптәнСи эпитакси, SiC эпитаксы, GaN эпитаксы, һ.б.

Эпитакси нәрсә ул?
Эпитакси инглиз телендә еш "Эпитакси" дип атала. Бу сүз грек сүзләреннән "эпи" ("өстә" дигәнне аңлата) һәм "такси" ("аранжировка" дигәнне аңлата). Исеменнән күренгәнчә, бу предметның өстенә тәртип урнаштыру дигән сүз. Эпитакси процесс - нечкә кристалл катламны бер кристалл субстратка урнаштыру. Бу яңа урнаштырылган бер кристалл катлам эпитаксиаль катлам дип атала.

Эпитаксның ике төп төре бар: гомепитаксиаль һәм гетероепитаксиаль. Гомепитаксиаль - бер үк төр субстратта бер үк материалны үстерүне аңлата. Эпитаксиаль катлам һәм субстрат бер үк такталар структурасына ия. Гетероепитакси - бер материалның субстратында бүтән материалның үсеше. Бу очракта эпитаксиаль рәвештә үскән кристалл катламның һәм субстратның тактасы структурасы төрле булырга мөмкин. Бер кристалл һәм поликристалл нәрсә ул?
Ярымүткәргечләрдә без бер кристалл кремний һәм поликристалл кремний атамаларын еш ишетәбез. Ни өчен кайбер кремний бер кристалл, ә кайбер кремний поликристалл дип атала?

Бер кристалл: Такталар аранжировкасы өзлексез һәм үзгәрешсез, ашлык чикләре булмаган, ягъни бөтен кристалл эзлекле кристалл юнәлеше булган бер такталардан тора. Поликристалл: Поликристалл күп вак бөртекләрдән тора, аларның һәрберсе бер кристалл, һәм аларның юнәлешләре бер-берсенә карата очраклы. Бу бөртеклеләр ашлык чикләре белән аерылган. Поликристалл материалларның җитештерү бәясе бер кристаллныкыннан түбән, шуңа күрә алар кайбер кушымталарда файдалы. Эпитаксиаль процесс кайда катнашачак?
Кремнийга нигезләнгән интеграль схемалар җитештергәндә эпитаксиаль процесс киң кулланыла. Мәсәлән, кремний эпитаксы кремний субстратында саф һәм нечкә контрольдә тотылган кремний катламын үстерү өчен кулланыла, бу алдынгы интеграль схемалар җитештерү өчен бик мөһим. Моннан тыш, электр җайланмаларында, SiC һәм GaN - киң кулланыла торган киң үткәргеч ярымүткәргеч материаллар. Бу материаллар гадәттә кремнийда яки бүтән субстратларда эпитакси аша үстерелә. Квант элемтәсендә ярымүткәргеч нигезендә квант битләре гадәттә кремний германий эпитаксиаль структураларын кулланалар. Һ.б.

Эпитаксиаль үсеш ысуллары?

Өч еш кулланыла торган ярымүткәргеч эпитакси ысулы:

Молекуляр нур эпитаксы (MBE): Молекуляр нур эпитакси) - ярымүткәргеч эпитаксиаль үсеш технологиясе, ультра югары вакуум шартларында башкарылган. Бу технологиядә чыганак материалы атом яки молекуляр нурлар рәвешендә парга әйләнәләр, аннары кристалл субстратка урнаштырыла. MBE - бик төгәл һәм контрольдә тотыла торган ярымүткәргеч нечкә кино үсеше технологиясе, ул атом дәрәҗәсендә урнаштырылган материалның калынлыгын төгәл контрольдә тота ала.

Металл органик CVD (MOCVD): MOCVD процессында кирәкле элементларны үз эченә алган органик металллар һәм гидрид газлары субстратка тиешле температурада китерелә, һәм кирәкле ярымүткәргеч материаллар химик реакцияләр ярдәмендә барлыкка килә һәм субстратка урнаштырыла, калганнары кушылмалар һәм реакция продуктлары чыгарыла.

Пар Фаза Эпитакси (VPE): Пар Фаза Эпитакси - ярымүткәргеч җайланмалар җитештерүдә еш кулланыла торган мөһим технология. Аның төп принцибы - бер матдә яки кушылманың парларын ташучы газга ташу һәм химик реакцияләр аша кристаллларны субстратка салу.