Эпитаксиаль үсеш - бер кристалл субстратта (субстрат) бер кристалл катламны үстерүче технология, субстрат белән бер үк кристалл ориентациясе, оригиналь кристалл тышкы яктан сузылган кебек.Бу яңа үскән бер кристалл катлам үткәрүчәнлек төре, каршылык һ.б. ягыннан субстраттан аерылып торырга мөмкин, һәм төрле калынлыктагы һәм төрле таләпләр белән күп катлы бер кристаллны үстерә ала, шулай итеп җайланма дизайнының сыгылмалылыгын һәм җайланма эшенең сыгылмалылыгын сизелерлек яхшырта ала.Моннан тыш, эпитаксиаль процесс PN тоташу изоляция технологиясендә һәм интеграль схемаларда һәм зур масштаблы интеграль схемаларда материаль сыйфатын яхшыртуда киң кулланыла.
Эпитакси классификациясе, нигездә, субстрат һәм эпитаксиаль катламның төрле химик составларына һәм үсешнең төрле ысулларына нигезләнә.
Төрле химик композицияләр буенча эпитаксиаль үсешне ике төргә бүлеп була:
1. Гомепитаксиаль: Бу очракта эпитаксиаль катлам субстрат белән бер үк химик составка ия.Мәсәлән, кремний эпитаксиаль катламнары турыдан-туры кремний субстратларында үстерелә.
2. Гетероепитакси: Монда эпитаксиаль катламның химик составы субстратныкыннан аерылып тора.Мәсәлән, сапфир субстратында галлий нитрид эпитаксиаль катлам үстерелә.
Төрле үсеш ысуллары буенча эпитаксиаль үсеш технологиясен дә төрле төрләргә бүлеп була:
1. Молекуляр нур эпитаксы (MBE): Бу бер кристалл субстратларда бер кристалл нечкә пленкаларны үстерү технологиясе, ул молекуляр нур агымының тизлеген һәм ультра югары вакуумдагы нур тыгызлыгын контрольдә тотып ирешелә.
2. Металл-органик химик пар парламенты (MOCVD): Бу технология металл-органик кушылмаларны һәм газ фазалы реагентларны куллана, кирәкле нечкә кино материалларын чыгару өчен югары температурада химик реакцияләр ясый.Аның катнаш ярымүткәргеч материаллар һәм приборлар әзерләүдә киң кулланмалары бар.
3. Сыек фаз эпитакси (LPE): бер кристалл субстратка сыек материал өстәп һәм билгеле бер температурада җылылык эшкәртү белән, сыек материал кристалллаша, бер кристалл пленка формалаштыра.Бу технология белән әзерләнгән фильмнар субстратка тәлинкәгә туры килә һәм катнаш ярымүткәргеч материаллар һәм приборлар әзерләү өчен еш кулланыла.
4. Пар фазасы эпитакси (VPE): газлы реакторларны югары температурада химик реакцияләр өчен кирәкле нечкә кино материаллары чыгару өчен куллана.Бу технология зур мәйданлы, югары сыйфатлы бер кристалл фильмнар әзерләү өчен яраклы, һәм ярымүткәргеч материаллар һәм приборлар әзерләүдә аеруча күренекле.
5. Химик нур эпитакси (CBE): Бу технология бер кристалл субстратларда бер кристалл пленкалар үстерү өчен химик нурлар куллана, бу химик нур агымының тизлеген һәм нур тыгызлыгын төгәл контрольдә тотып ирешелә.Аның югары сыйфатлы бер кристалл нечкә фильмнар әзерләүдә киң кулланмалары бар.
6. Атом катламы эпитакси (ALE): Атом катламын чүпләү технологиясен кулланып, кирәкле нечкә кино материаллары катламны бер кристалл субстратка катлам белән урнаштыралар.Бу технология зур мәйданлы, югары сыйфатлы бер кристалл фильмнар әзерли ала һәм еш ярымүткәргеч материаллар һәм приборлар әзерләү өчен кулланыла.
7. Кайнар стена эпитаксы (HWE): temperatureгары температуралы җылыту аша газлы реакторлар бер кристалл субстратка бер кристалл пленка формалаштыралар.Бу технология шулай ук зур мәйданлы, югары сыйфатлы бер кристалл фильмнар әзерләү өчен яраклы, һәм аеруча ярымүткәргеч материаллар һәм приборлар әзерләүдә кулланыла.
Пост вакыты: 06-2024 май