SiC субстратлары өчен эшкәртү адымнарын ничек ясыйбыз:
1. Бәллүр юнәлеш: Рентген дифракциясен кристалл инготка юнәлтү.Рентген нуры кирәкле кристалл йөзенә юнәлтелгәндә, дифракцияләнгән нур почмагы кристалл юнәлешен билгели.
2. Тышкы диаметр тарту: Графит крестикларында үскән бер кристалллар еш кына стандарт диаметрлардан артып китәләр.Тышкы диаметр тарту аларны стандарт зурлыкларга киметә.
Ахыр йөз тарту: 4 дюймлы 4H-SiC субстратлары гадәттә ике позиция кыры, төп һәм икенчел.Соңгы йөз тарту бу урнашу кырларын ача.
3. Чылбырны карау: 4H-SiC субстратларын эшкәртүдә чыбык кисү - мөһим адым.Тимер чыбыклар вакытында барлыкка килгән ярыклар һәм җир өстендәге зыян киләсе процессларга тискәре йогынты ясый, эшкәртү вакытын озайта һәм материаль югалтуга китерә.Иң таралган ысул - бриллиант абразивлы күп чыбыклы ара.4H-SiC инготын кисәр өчен бриллиант абразив белән бәйләнгән металл чыбыкларның үзара хәрәкәте кулланыла.
4. Чамферинг: Кыр читен кисүдән һәм киләсе процесслар вакытында кулланыла торган югалтуларны киметү өчен, чыбык белән киселгән чипларның кискен кырлары билгеле формаларга күчерелә.
5. Нечкәлек: Чылбыр чыбыклары күп сызыклар һәм җир өстендәге зыянны калдыра.Нечкәлек бу кимчелекләрне мөмкин кадәр бетерү өчен бриллиант тәгәрмәчләр ярдәмендә эшләнә.
6. Тегермән тарту: Бу процесс тупас тарту һәм нечкә тартуны үз эченә ала, кечерәк зурлыктагы кар карбидын яки бриллиант абразивларын кулланып, калдыкларны һәм нечкәлек вакытында кертелгән яңа зыянны бетерү өчен.
7. Оештыру: Соңгы адымнар тупас алу һәм алумина яки кремний оксиды абразивы ярдәмендә нечкә бизәү белән бәйле.Оештыручы сыеклык өслекне йомшарта, аннары абразивлар белән механик рәвештә чыгарыла.Бу адым шома һәм җимерелмәгән өслекне тәэмин итә.
8. Чистарту: эшкәртү адымнарыннан калган кисәкчәләрне, металлларны, оксид пленкаларын, органик калдыкларны һәм башка пычраткыч матдәләрне чыгару.
Пост вакыты: 15-2024 май