SiC субстратларын эшкәртүдә төп адымнар нинди?

SiC субстратлары өчен эшкәртү адымнарын ничек ясыйбыз:

1. Бәллүр юнәлеш: Рентген дифракциясен кристалл инготка юнәлтү. Рентген нуры кирәкле кристалл йөзенә юнәлтелгәндә, дифракцияләнгән нур почмагы кристалл юнәлешен билгели.

2. Тышкы диаметр тарту: Графит крестикларында үскән бер кристалллар еш кына стандарт диаметрлардан артып китәләр. Тышкы диаметр тарту аларны стандарт зурлыкларга киметә.

 

3.End Face Grinding: 4 дюймлы 4H-SiC субстратлары гадәттә ике урнашу кыры, төп һәм икенчел. Соңгы йөз тарту бу урнашу кырларын ача.

4. Тимер чыбыклар: 4H-SiC субстратларын эшкәртүдә чыбык кисү - мөһим адым. Тимер чыбыклар вакытында барлыкка килгән ярыклар һәм җир өстендәге зыян киләсе процессларга тискәре йогынты ясый, эшкәртү вакытын озайта һәм материаль югалтуга китерә. Иң таралган ысул - бриллиант абразивлы күп чыбыклы ара. 4H-SiC инготын кисәр өчен бриллиант абразив белән бәйләнгән металл чыбыкларның үзара хәрәкәте кулланыла.

5. Чамферинг: Киләсе процесслар вакытында кырларны кисү һәм куллану югалтуларын киметү өчен, чыбык белән киселгән чипларның кискен кырлары билгеле формаларга күчерелә.

6. Нечкәлек бу кимчелекләрне мөмкин кадәр бетерү өчен бриллиант тәгәрмәчләр ярдәмендә эшләнә.

.

8. Оештыручы сыеклык өслекне йомшарта, аннары абразивлар белән механик рәвештә чыгарыла. Бу адым шома һәм җимерелмәгән өслекне тәэмин итә.

9. Чистарту: эшкәртү адымнарыннан калган кисәкчәләрне, металлларны, оксид пленкаларын, органик калдыкларны һәм башка пычраткыч матдәләрне чыгару.