SiC субстратларын эшкәртүдә төп адымнар нинди?

 

SiC субстратлары өчен эшкәртү адымнарын ничек ясыйбыз:

 

1. Бәллүр юнәлеш:

Кристалл инготка юнәлеш бирү өчен рентген дифракциясен куллану. Рентген нуры кирәкле кристалл йөзенә юнәлтелгәндә, дифракцияләнгән нур почмагы кристалл юнәлешен билгели.

 

2. Тышкы диаметр тарту:

Графит крестикларда үскән бер кристалллар еш кына стандарт диаметрлардан артып китәләр. Тышкы диаметр тарту аларны стандарт зурлыкларга киметә.

 

 

3.Беренче йөз тарту:

4 дюймлы 4H-SiC субстратлары гадәттә ике позиция кыры, төп һәм икенчел. Соңгы йөз тарту бу урнашу кырларын ача.

 

4. Тимер чыбыклар:

4H-SiC субстратларын эшкәртүдә чыбык кисү - мөһим адым. Тимер чыбыклар вакытында ярыклар һәм җир өстендәге зыян киләсе процессларга тискәре йогынты ясый, эшкәртү вакытын озайта һәм материаль югалтуга китерә. Иң таралган ысул - бриллиант абразивлы күп чыбыклы ара. 4H-SiC инготын кисәр өчен бриллиант абразив белән бәйләнгән металл чыбыкларның үзара хәрәкәте кулланыла.

 

5. Чамферинг:

Кырык кисүдән саклап калу һәм киләсе процесслар вакытында кулланыла торган югалтуларны киметү өчен, чыбык белән киселгән чипларның кискен кырлары билгеле формаларга күчерелә.

 

6. Нечкәлек:

Чылбыр чыбыклары күп сызыклар һәм җир өстендәге зыянны калдыра. Нечкәлек бу кимчелекләрне мөмкин кадәр бетерү өчен бриллиант тәгәрмәчләр ярдәмендә эшләнә.

 

7. Тегермән:

Бу процесс кечерәк зурлыктагы карбид яки бриллиант абразив кулланып тупас тарту һәм нечкә тартуны үз эченә ала.

 

8. Оештыру:

Соңгы адымнар алумина яки кремний оксиды абразивларын кулланып тупас полировкалау һәм нечкә бизәү белән бәйле. Оештыручы сыеклык өслекне йомшарта, аннары абразивлар белән механик рәвештә чыгарыла. Бу адым шома һәм җимерелмәгән өслекне тәэмин итә.

 

9. Чистарту:

Эшкәртү адымнарыннан калган кисәкчәләрне, металлларны, оксид пленкаларын, органик калдыкларны һәм башка пычраткыч матдәләрне чыгару.