Кремний карбид (SiC)югары көчле һәм югары ешлыктагы электрон җайланмаларда киң кулланылган мөһим киң үткәргеч ярымүткәргеч материал. Түбәндә кайбер төп параметрлар баркремний карбид ваферларыһәм аларның җентекле аңлатмалары:
Такталар параметрлары:
Субстратның тактасы тотрыклылыгы җитешсезлекләрне һәм стрессны киметү өчен үстерелергә тиешле эпитаксиаль катламга туры килүен тәэмин итегез.
Мәсәлән, 4H-SiC һәм 6H-SiC төрле такталар константаларына ия, бу аларның эпитаксиаль катлам сыйфаты һәм җайланма эшенә тәэсир итә.
Тапшыру эзлеклелеге:
SiC кремний атомнарыннан һәм макро масштабында 1: 1 нисбәтендә углерод атомнарыннан тора, ләкин атом катламнарының тәртип тәртибе төрле, ул төрле кристалл структураларын формалаштырачак.
Гомуми кристалл формаларына 3C-SiC (куб структурасы), 4H-SiC (алты почмаклы структура), һәм 6H-SiC (алты почмаклы структура) керә, һәм тиешле эзләү эзлеклелеге: ABC, ABCB, ABCACB һ.б. Eachәрбер кристалл форма төрле электронга ия. характеристикалары һәм физик үзлекләре, шуңа күрә дөрес кристалл формасын сайлау махсус кушымталар өчен бик мөһим.
Мох катылыгы: эшкәртү җиңеллегенә тәэсир итә торган субстратның каты булуын билгели.
Кремний карбидында бик югары Mohs катылыгы бар, гадәттә 9-9.5 арасында, бу аны бик каты материалга әйләндерә, бу бик нык киемгә каршы торуны таләп итә.
Тыгызлыгы: субстратның механик көченә һәм җылылык үзлекләренә тәэсир итә.
Highгары тыгызлык, гадәттә, яхшырак механик көч һәм җылылык үткәрүчәнлеген аңлата.
Rылылык киңәйтү коэффициенты: температура бер градуска күтәрелгәч, оригиналь озынлыкка яки күләмгә караганда субстратның озынлыгын яки күләмен арттыруны аңлата.
Субстрат белән эпитаксиаль катлам арасындагы температура үзгәрү җайланманың җылылык тотрыклылыгына тәэсир итә.
Рефактив индекс: Оптик кушымталар өчен реактив индекс оптоэлектрон җайланмалар дизайнында төп параметр булып тора.
Рефактив индекстагы аермалар материалдагы яктылык дулкыннарының тизлегенә һәм юлына тәэсир итә.
Диэлектрик константасы: җайланманың сыйдырышлык үзенчәлекләренә тәэсир итә.
Түбән диэлектрик тотрыклы паразитик сыйдырышлыкны киметергә һәм җайланманың эшләвен яхшыртырга ярдәм итә.
Rылылык үткәрүчәнлеге:
Powerайланманың суыту эффективлыгына йогынты ясаучы югары көчле һәм югары температуралы кушымталар өчен критик.
Кремний карбидының югары җылылык үткәрүчәнлеге аны югары көчле электрон җайланмалар өчен яраклаштыра, чөнки ул җайланмадан җылылыкны эффектив үткәрә ала.
Тасма-аерма:
Ярымүткәргеч материалда валентлык полосасы белән үткәргеч полосасы асты арасындагы энергия аермасына кагыла.
Киң аерма материаллары электрон күчүне стимуллаштыру өчен югары энергия таләп итә, бу кремний карбидын югары температурада һәм югары нурланыш шартларында яхшы эшли.
Электр кыры:
Ярымүткәргеч материал каршы тора ала торган лимит көчәнеше.
Кремний карбидының бик югары ватылу электр кыры бар, бу аңа бик югары көчәнешләргә каршы торырга мөмкинлек бирә.
Тозу тизлеге тизлеге:
Ярымүткәргеч материалда билгеле электр кыры кулланылганнан соң, йөртүчеләр ирешә алган максималь уртача тизлек.
Электр кырының көче билгеле бер дәрәҗәгә күтәрелгәч, электр кырын тагын да көчәйтү белән ташучының тизлеге артмаячак. Бу вакытта тизлек туену тизлеге дип атала. SiC югары туендыргыч дрифт тизлегенә ия, бу югары тизлекле электрон җайланмаларны тормышка ашыру өчен файдалы.
Бу параметрлар бергә эшләүне һәм куллануны билгелиSiC вафиннарытөрле кушымталарда, аеруча югары көчле, югары ешлыклы һәм югары температуралы шартларда.
Пост вакыты: 30-2024 июль