Чисталыквафин өслегекиләсе ярымүткәргеч процессларның һәм продуктларның квалификация дәрәҗәсенә зур йогынты ясаячак. Барлык уңыш югалтуларының 50% кадәрвафин өслегепычрану.
Theайланманың электр җитештерүчәнлегендә яки җайланма җитештерү процессында контрольсез үзгәрешләр китереп чыгарырга мөмкин объектлар бергәләп пычраткыч матдәләр дип атала. Пычраткыч матдәләр вафиннан, чиста бүлмәдән, эшкәртү коралларыннан, химик матдәләрдән яки судан булырга мөмкин.ВаферПычрату гадәттә визуаль күзәтү, процесс инспекциясе яки соңгы җайланма тестында катлаулы аналитик җиһаз куллану белән ачыкланырга мөмкин.
Sil Кремний вафер өслегендә пычраткыч матдәләр | Рәсем чыганагы челтәре
Пычрату анализы нәтиҗәләре пычрану дәрәҗәсен һәм төрен чагылдыру өчен кулланылырга мөмкинвафербилгеле бер процесс адымында, билгеле машина яки гомуми процесс. Ачыклау ысуллары классификациясе буенча,вафин өслегепычратуны түбәндәге төрләргә бүлеп була.
Металл пычрануы
Металлар аркасында булган пычрату ярымүткәргеч җайланманың төрле дәрәҗәдәге җитешсезлекләренә китерергә мөмкин.
Алкал металллары яки эшкәртүле металллар (Li, Na, K, Ca, Mg, Ba һ.б.) pn структурасында агып торган токка китерергә мөмкин, бу үз чиратында оксидның өзелү көчәнешенә китерә; металл һәм авыр металл (Fe, Cr, Ni, Cu, Au, Mn, Pb һ.б.) пычрану йөртүченең яшәү циклын киметергә, компонентның хезмәт срогын киметергә яки компонент эшләгәндә кара токны арттырырга мөмкин.
Металл пычрануны ачыклауның гомуми ысуллары - тулы чагылдырылган рентген флуоресенциясе, атом үзләштерү спектроскопиясе һәм индуктив рәвештә плазма масса спектрометриясе (ICP-MS).
Surfer Вафер өслеген пычрату | ResearchGate
Металл пычрату чистарту, эшкәртү, литография, чүпләү һ.б. кулланылган реагентлардан, яки мич, реактор, ион имплантациясе һ.б. кебек процесста кулланылган машиналардан булырга мөмкин, яисә бу вафер эшкәртү аркасында булырга мөмкин.
Кисәкчәләр пычрануы
Факттагы материал чыганаклары, гадәттә, өслек җитешсезлекләреннән таралган яктылыкны табып күзәтелә. Шуңа күрә, кисәкчәләрнең пычрануы өчен төгәл фәнни исем - яктылык ноктасы. Кисәкчәләрнең пычрануы эфирда һәм литография процессларында блоклау яки маска эффектларын китерергә мөмкин.
Фильм үсеше яки чүпләнү вакытында пинхоллар һәм микровоидлар барлыкка килә, ә кисәкчәләр зур һәм үткәргеч булса, алар хәтта кыска схемаларга китерергә мөмкин.
Partic Кисәкчәләрнең пычрануы | Рәсем чыганагы челтәре
Кечкенә кисәкчәләрнең пычрануы өслектә күләгәләр китерергә мөмкин, мәсәлән, фотолитография вакытында. Әгәр дә зур кисәкчәләр фотомаска белән фоторесист катламы арасында урнашкан булса, алар контакт экспозициясен киметә алалар.
Моннан тыш, алар ион имплантациясе яки коры эфир вакытында тизләтелгән ионнарны блоклый алалар. Кисәкчәләр шулай ук фильм белән урнаштырылырга мөмкин, шулай итеп бөкеләр. Соңгы урнаштырылган катламнар бу урыннарда туплануга ярылырга яки каршы торырга мөмкин, экспозиция вакытында проблемалар тудырырга мөмкин.
Органик пычрану
Углерод булган пычраткыч матдәләр, шулай ук С белән бәйләнгән структуралар органик пычрану дип атала. Органик пычраткыч матдәләр көтелмәгән гидрофобик үзлекләргә китерергә мөмкинвафин өслеге, өслекнең тупаслыгын арттыру, куркыныч өслек җитештерү, эпитаксиаль катлам үсешен бозу, пычраткыч матдәләр чистарту эффектына тәэсир итә.
Мондый өслек пычрануы, гадәттә, термик дезорпция MS, рентген фотоэлектрон спектроскопиясе һәм Аугер электрон спектроскопиясе кебек кораллар белән ачыклана.
▲ Рәсем чыганагы челтәре
Газлы пычрану һәм су белән пычрану
Атмосфера молекулалары һәм молекуляр зурлыктагы су белән пычрану гадәттә югары югары эффектив кисәкчәләр һавасы (HEPA) яки ультра түбән үтеп керү һава фильтрлары (ULPA) белән чыгарылмый. Мондый пычрану гадәттә ион массасы спектрометриясе һәм капиллярлы электрофорез белән күзәтелә.
Кайбер пычраткыч матдәләр берничә категориягә керергә мөмкин, мәсәлән, кисәкчәләр органик яки металл материаллардан, яки икесеннән дә булырга мөмкин, шуңа күрә бу пычрату төре башка төрләр кебек классификацияләнергә мөмкин.
▲ Газлы молекуляр пычраткыч матдәләр | ИОНИКОН
Моннан тыш, вафер пычрануы шулай ук молекуляр пычрану, кисәкчәләр пычрануы, пычрату чыганагы күләменә карап процесстан алынган калдыклар белән классификацияләнергә мөмкин. Пычратучы кисәкчәләрнең күләме кечерәк булса, аны чыгару авыррак. Бүгенге электрон компонент җитештерүдә вафер чистарту процедуралары бөтен җитештерү процессының 30% - 40% тәшкил итә.
Sil Кремний вафер өслегендә пычраткыч матдәләр | Рәсем чыганагы челтәре
Пост вакыты: 18-2024 ноябрь