Кремний карбидын үстерү һәм куллану (SiC)
1. SiC инновацияләр гасыры
Кремний карбид (SiC) сәяхәте 1893-нче елда, Эдуард Гудрих Ачесон Ахесон мичен эшләгәндә, кварц һәм углеродны электр белән җылыту ярдәмендә SiC-ның сәнәгать производствосына ирешү өчен, Ахесон мичен эшләгәндә башланган. Бу уйлап табу SiC индустриализациясенең башлануын күрсәтте һәм Ахесонга патент алды.
ХХ гасыр башында SiC беренче чиратта искиткеч каты булуы һәм киемгә каршы торуы аркасында абразив кулланылды. ХХ гасыр урталарында химик парларны чүпләү (CVD) технологиясендә алга китешләр яңа мөмкинлекләр ачты. Рөстәм Рой җитәкчелегендәге Bell Labs тикшерүчеләре CVD SiC өчен нигез салдылар, графит өслегендә беренче SiC каплауларына ирештеләр.
1970-нче елларда Union Carbide Corporation корпорациясе галиум нитрид (GaN) ярымүткәргеч материалларының эпитаксиаль үсешендә SiC белән капланган графит кулланганда зур уңышларга иреште. Бу алга китеш югары җитештерүчәнле GaN нигезендәге яктырткычлар һәм лазерларда төп роль уйнады. Дистә еллар дәвамында SiC капламнары ярымүткәргечләрдән тыш, аэрокосмос, автомобиль һәм электр электроникасы кушымталарына киңәйтелде, җитештерү техникасын камилләштерү аркасында.
Бүгенге көндә җылылык сиптерү, ПВД, нанотехнология кебек яңалыклар SiC капламаларының эшләвен һәм кулланылышын тагын да көчәйтәләр, заманча кырларда аның потенциалын күрсәтәләр.
2. SiC кристалл структураларын һәм кулланылышын аңлау
SiC 200 дән артык политип белән мактана, аларның атом аранжировкалары куб (3C), алты почмаклы (H) һәм ромбоедраль (R) структураларына бүленә. Шулар арасында 4H-SiC һәм 6H-SiC югары көчле һәм оптоэлектрон җайланмаларда киң кулланыла, шул ук вакытта β-SiC югары җылылык үткәрүчәнлеге, киемгә каршы тору, коррозиягә каршы тору өчен бәяләнә.
β-SiC'sҗылылык үткәрүчәнлеге кебек уникаль үзенчәлекләр120-200 Ватт / м · К.һәм графит белән тыгыз туры килгән җылылык киңәйтү коэффициенты, аны эпитакс җиһазларында өслек каплау өчен өстенлекле материал ит.
3. SiC каплаулары: Сыйфатлар һәм әзерләү техникасы
SiC каплаулары, гадәттә β-SiC, катылык, кием каршылыгы, җылылык тотрыклылыгы кебек өслек үзлекләрен көчәйтү өчен киң кулланыла. Гомуми әзерлек ысуллары:
- Химик пар парламенты (CVD):Зур һәм катлаулы субстратлар өчен идеаль ябышу һәм бертөрлелек белән югары сыйфатлы каплаулар тәэмин итә.
- Физик пар парламенты (ПВД):Highгары төгәл кушымталар өчен яраклы каплау композициясенә төгәл контроль тәкъдим итә.
- Чәчү техникасы, электрохимик чүпләү, пычрак каплау: Ябышу һәм бердәмлектә төрле чикләүләр булса да, махсус кушымталар өчен чыгымлы эффектив альтернатива булып хезмәт итегез.
Eachәрбер ысул субстрат үзенчәлекләренә һәм куллану таләпләренә нигезләнеп сайлана.
4. MOCVD-та SiC белән капланган графит сусепторлары
SiC белән капланган графит сиземләүчеләре металл органик химик пар парламенты (MOCVD) белән алыштыргысыз, ярымүткәргеч һәм оптоэлектрон материал җитештерүдә төп процесс.
Бу сиземләүчеләр эпитаксиаль кино үсешенә ныклы ярдәм күрсәтәләр, җылылык тотрыклылыгын тәэмин итәләр һәм пычраклык пычрануны киметәләр. SiC капламасы шулай ук оксидлашуга каршы торуны, өслек үзлекләрен, интерфейс сыйфатын көчәйтә, кино үсеше вакытында төгәл контроль ясарга мөмкинлек бирә.
5. Киләчәккә алга бару
Соңгы елларда SiC белән капланган графит субстратларының җитештерү процессларын яхшыртуга зур көч куелды. Тикшерүчеләр чыгымнарны киметкәндә каплау чисталыгын, бердәмлекне, гомер озынлыгын арттыруга игътибар итәләр. Моннан тыш, инновацион материалларны барлаутантал карбид (TaC) каплауларыҗылылык үткәрүчәнлегендә һәм коррозиягә каршы торуда потенциаль камилләштерүләр тәкъдим итә, киләсе буын чишелешләренә юл ача.
SiC белән капланган графит сиземторларына сорау арта барган саен, интеллектуаль җитештерүдә һәм сәнәгать күләмендә җитештерүдә алга китеш ярымүткәргеч һәм оптоэлектроника сәнәгатенең үсеш ихтыяҗларын канәгатьләндерү өчен югары сыйфатлы продуктлар үсешенә ярдәм итәчәк.
Пост вакыты: 24-2023 ноябрь