Бер кереш сүз
Интеграль схема җитештерү процессына эләгү:
- Дым эфиры;
- Коры эфир.
Беренче көннәрдә дымлы эфир киң кулланылды, ләкин сызык киңлеген контрольдә тоту һәм юнәлеш юнәлешендәге чикләүләр аркасында, 3μмнан соң күпчелек процесслар коры эфир кулланалар. Дым чистарту кайбер махсус материал катламнарын һәм чиста калдыкларны бетерү өчен кулланыла.
Коры эфирлау газлы химик этантларны куллану процессын аңлата, вафердагы материаллар белән реакциядә, материалның чыгарыла торган өлешен читкә алып китү һәм үзгәрүчән реакция продуктларын формалаштыру, аннары реакция палатасыннан чыгарыла. Эфант гадәттә турыдан-туры яки турыдан-туры эфир газының плазмасыннан барлыкка килә, шуңа күрә коры эфир плазма эфиры дип тә атала.
1.1 Плазма
Плазма - зәгыйфь ионлаштырылган халәттәге газ, тышкы электромагнит кыры (мәсәлән, радио ешлыгы белән тәэмин ителгән) тәэсирендә газның ялтыравыклы агып чыгуы аркасында барлыкка килгән газ. Анда электроннар, ионнар һәм нейтраль актив кисәкчәләр бар. Алар арасында, актив кисәкчәләр чистартылган материал белән турыдан-туры химик реакция ясый ала, ләкин бу саф химик реакция гадәттә бик аз материалда була һәм юнәлешле түгел; ионнар билгеле бер энергиягә ия булганда, алар туры физик бөтерелү белән таралырга мөмкин, ләкин бу саф физик реакциянең тизлеге бик түбән һәм сайлап алу бик начар.
Күпчелек плазма эфиры бер үк вакытта актив кисәкчәләр һәм ионнар катнашында тәмамлана. Бу процесста ион бомбардирасының ике функциясе бар. Берсе - чистартылган материал өслегендәге атом бәйләнешләрен юк итү, шуның белән нейтраль кисәкчәләр аның белән реакция тизлеген арттыру; икенчесе - реакция интерфейсында урнаштырылган реакция продуктларын сүндерү, эфантның чистартылган материал өслегенә тулысынча бәйләнешен җиңеләйтү, шулай итеп чистарту дәвам итә.
Чистартылган структураның тротуарларына урнаштырылган реакция продуктлары юнәлешле ион бомбардирасы белән эффектив рәвештә чыгарыла алмый, шуның белән тротуарларның эфирын блоклый һәм анисотроп эфирын барлыкка китерә.
Икенче эфир процессы
2.1 Чистарту һәм чистарту
Дым эфиры - интеграль схема җитештерүдә кулланылган иң борыңгы технологияләрнең берсе. Күпчелек дым эшкәртү процесслары изотроп эфиры аркасында анисотроп коры эфир белән алыштырылса да, ул зуррак зурлыктагы критик булмаган катламнарны чистартуда мөһим роль уйный. Бигрәк тә оксидны чыгару калдыкларын һәм эпидермаль чистартуда, ул коры эфирга караганда эффектив һәм экономияле.
Дым суыру объектларына кремний оксиды, кремний нитриды, бер кристалл кремний һәм поликристалл кремний керә. Кремний оксидын дымландыру гадәттә гидрофлор кислотасын (HF) төп химик ташучы буларак куллана. Сайлап алу сәләтен яхшырту өчен, процесста аммиак фторы белән буферланган гидрофлор кислотасы кулланыла. PH кыйммәтенең тотрыклылыгын саклап калу өчен, аз күләмдә көчле кислота яки башка элементлар кушылырга мөмкин. Допедлы кремний оксиды саф кремний оксидына караганда җиңелрәк коррозияләнә. Дымлы химик чистарту, нигездә, фоторесист һәм каты битлекне (кремний нитрид) чыгару өчен кулланыла. Кайнар фосфор кислотасы (H3PO4) - кремний нитридын чыгару өчен дымлы химик чистарту өчен кулланылган төп химик сыеклык, һәм кремний оксиды өчен яхшы сайлап алу мөмкинлеге бар.
Дымны чистарту дым эфирына охшаган, һәм нигездә кремний вафаларындагы пычраткыч матдәләрне химик реакцияләр аша, шул исәптән кисәкчәләр, органик матдәләр, металллар һәм оксидлар белән чыгаралар. Дымны чистартуның төп агымы - дымлы химик ысул. Коры чистарту күп дымлы чистарту ысулларын алыштыра алса да, дымны чистартуны тулысынча алыштыра алырлык ысул юк.
Дым чистарту өчен еш кулланыла торган химик матдәләргә күкерт кислотасы, гидрохлор кислотасы, гидрофлор кислотасы, фосфор кислотасы, водород пероксиды, аммиак гидроксиды, аммиак фторы һ.б. кертелә. чистарту чишелешен формалаштырыгыз, мәсәлән, SC1, SC2, DHF, BHF һ.б.
Чистарту еш кына оксид пленкасы тупланганчы кулланыла, чөнки оксид пленкасын әзерләү бөтенләй чиста кремний вафин өслегендә булырга тиеш. Гомуми кремний вафинны чистарту процессы түбәндәгечә:
2.2 Коры эфир аnd чистарту
2.2.1 Коры эфир
Тармактагы коры эфир, нигездә, плазманы эшкәртүгә карый, ул плазманы махсус матдәләр чыгару өчен көчәйтелгән активлык белән куллана. Зур масштаблы җитештерү процессларында җиһаз системасы түбән температурада тигез булмаган плазманы куллана.
Плазманы эшкәртү нигездә ике агызу режимын куллана: сыйдырышлы кушылган агызу һәм индуктив кушылган агызу
Конденсатор белән кушылган агызу режимында: плазма ике параллель тәлинкә конденсаторында тышкы радио ешлыгы (RF) электр белән тәэмин ителә һәм саклана. Газ басымы гадәттә берничә миллитордан дистәләрчә миллиторга кадәр, һәм ионлаштыру дәрәҗәсе 10-5тән дә ким. Индуктив рәвештә кушылган агызу режимында: гадәттә түбән газ басымында (дистәләрчә миллитор), плазма индуктив рәвештә кушылган энергия ярдәмендә барлыкка килә һәм саклана. Ионлаштыру дәрәҗәсе гадәттә 10-5тән зуррак, шуңа күрә ул югары тыгызлыктагы плазма дип тә атала. Highгары тыгызлыктагы плазма чыганакларын шулай ук электрон циклотрон резонансы һәм циклотрон дулкыны агызу аша алырга мөмкин. Highгары тыгызлыктагы плазма эфир тизлеген һәм сайлау процессын оптимальләштерә ала, шул ук вакытта ион агымын һәм ион бомбардировщик энергиясен мөстәкыйль контрольдә тотып, тышкы RF яки микродулкынлы электр тәэминаты һәм субстраттагы RF электр энергиясе белән тәэмин итү.
Коры чистарту процессы түбәндәгечә: газ чыгару вакуум реакция камерасына кертелә, һәм реакция камерасындагы басым тотрыкланганнан соң, плазма радио ешлыклы ялтыравык белән барлыкка килә; speedгары тизлекле электроннар тәэсиреннән соң, ул субстрат өслегенә таралган һәм adsorbed булган ирекле радикаллар җитештерә. Ион бомбардирациясе астында, adsorbed ирекле радикаллар субстрат өслегендәге атомнар яки молекулалар белән реакция ясыйлар, реакция палатасыннан чыгарылган газлы продуктлар ясыйлар. Процесс түбәндәге рәсемдә күрсәтелгән:
Коры чистарту процессларын түбәндәге дүрт категориягә бүлеп була:
(1)Физик бөтерелү: Ул, нигездә, плазмадагы энергияле ионнарга таяна, чистартылган материал өслеген бомбардировать итә. Чәчелгән атомнар саны вакыйга кисәкчәләренең энергиясенә һәм почмагына бәйле. Энергия һәм почмак үзгәрешсез калгач, төрле материалларның бөтерелү тизлеге гадәттә 2-3 тапкыр гына аерылып тора, шуңа күрә сайлап алу мөмкинлеге юк. Реакция процессы, нигездә, анисотроп.
(2)Химик эфир: Плазма газ фазалы атомнарны һәм молекулаларны тәэмин итә, алар үзгәрүчән газлар чыгару өчен материал өслеге белән химик реакция ясыйлар. Бу химик реакция яхшы сайлап алу сәләтенә ия һәм такталар структурасын исәпкә алмыйча изотроп характеристикаларын күрсәтә.
Мәсәлән: Si (каты) + 4F → SiF4 (газлы), фоторезист + О (газлы) → CO2 (газлы) + H2O (газлы)
(3)Ион энергиясе: Ионнар икесе дә эфирга китерә торган һәм энергия йөртүче кисәкчәләр. Мондый энергия йөртүче кисәкчәләрнең эффективлыгы гади физик яки химик эфирга караганда зуррак зурлыктагы тәртип. Алар арасында процессның физик һәм химик параметрларын оптимизацияләү процессны контрольдә тотуның үзәге булып тора.
(4)Ион-барьер композицион эфир: Бу, нигездә, полимер барьердан саклаучы катлам барлыкка килү турында бара. Плазма андый саклагыч катлам таләп итә. Мисал өчен, C һәм Cl2 эфирларына C өстәү, тротуарларны эфирдан саклап калу өчен, эфир вакытында хлорокарбон кушылмасы катламы ясарга мөмкин.
2.2.1 Коры чистарту
Коры чистарту, нигездә, плазманы чистартуны аңлата. Плазмадагы ионнар чистарту өчен өслекне бомбардировать итү өчен кулланыла, һәм активлашкан хәлдәге атомнар һәм молекулалар чистарту өчен өслек белән үзара бәйләнештә торалар, шулай итеп фоторезистны бетерәләр һәм көл итәләр. Коры чистартудан аермалы буларак, коры чистарту процесс параметрлары гадәттә юнәлешле сайлануны кертмиләр, шуңа күрә процесс дизайны чагыштырмача гади. Зур масштаблы производстволарда фторлы газлар, кислород яки водород реакция плазмасының төп органы буларак кулланыла. Моннан тыш, билгеле күләмдә аргон плазмасы өстәү ион бомбардирация эффектын көчәйтә, шуның белән чистарту нәтиҗәлелеген күтәрә ала.
Плазманы коры чистарту процессында гадәттә ерак плазма ысулы кулланыла. Чөнки чистарту процессында ион бомбардирациясе китергән зыянны контрольдә тоту өчен плазмадагы ионнарның бомбардировщик эффектын киметергә өметләнәләр; һәм химик ирекле радикалларның көчәйтелгән реакциясе чистарту нәтиҗәлелеген күтәрә ала. Ерак плазма микродулкыннар кулланып, реакция палатасы читендә тотрыклы һәм югары тыгызлыктагы плазманы барлыкка китерә ала, чистарту өчен кирәк булган реакциягә ирешү өчен реакция камерасына күп санлы ирекле радикаллар чыгара. Тармактагы коры чистарту газ чыганакларының күбесе NF3 кебек фторлы газлар кулланалар, һәм NF3ның 99% тан артыгы микродулкынлы плазмада бозыла. Коры чистарту процессында ион бомбардировщик эффекты юк диярлек, шуңа күрә кремний вафинны зыяннан саклау һәм реакция палатасының гомерен озайту файдалы.
Өч дым чистарту һәм чистарту җиһазлары
3.1 Танк тибындагы вафер чистарту машинасы
Чүпрәле тибындагы вафер чистарту машинасы, нигездә, алгы ачкычлы вафер тапшыру тартмасы тапшыру модулыннан, ваферны йөкләү / чыгару модулыннан, эскиз һава кабул итү модулыннан, химик сыек танк модулыннан, деонизацияләнгән суүткәргеч модулыннан, киптерү танкыннан тора. модуль һәм контроль модуль. Ул бер үк вакытта берничә тартма ваферны чистарта ала һәм ваферларның коры һәм кипкәненә ирешә ала.
3.2 Траншея ваферы
3.3 Бердәнбер дымлы эшкәртү җиһазлары
Төрле процесс максатлары буенча, бер вафлы дым процесс җиһазларын өч категориягә бүлеп була. Беренче категория - чистарту өчен бердәнбер җиһаз, аның чистарту максатларына кисәкчәләр, органик матдәләр, табигый оксид катламы, металл пычраклар һәм башка пычраткыч матдәләр керә; икенче категория - бер вафер сөртү җиһазлары, аның төп процесс максаты - вафер өслегендәге кисәкчәләрне чыгару; өченче категория - нечкә пленкаларны бетерү өчен кулланыла торган бер вафер эфир җиһазлары. Төрле процесс максатлары буенча, бер вафин эшкәртү җиһазларын ике төргә бүлеп була. Беренче төр - йомшак эфир җиһазлары, ул, нигездә, югары энергияле ион имплантациясе аркасында килеп чыккан пленка зарарлы катламнарын бетерү өчен кулланыла; икенче төр - корбан катламын бетерү җиһазлары, алар нигездә вафер нечкә яки химик механик полировкадан соң барьер катламнарын бетерү өчен кулланыла.
Гомуми машина архитектурасы күзлегеннән караганда, бер төр вафлы дым процесс җиһазларының төп архитектурасы охшаш, гадәттә алты өлештән тора: төп рамка, вафер тапшыру системасы, камера модуле, химик сыеклык белән тәэмин итү һәм тапшыру модуле, программа системасы һәм электрон контроль модул.
3.4 Бердәм вафин чистарту җиһазлары
Бердәнбер чистарту җиһазлары традицион RCA чистарту ысулы нигезендә эшләнгән, һәм аның процесс максаты - кисәкчәләрне, органик матдәләрне, табигый оксид катламын, металл пычракларны һәм башка пычраткыч матдәләрне чистарту. Процесс куллану ягыннан, бер вафин чистарту җиһазлары хәзерге вакытта интеграль челтәр җитештерүнең алгы һәм арткы процессларында киң кулланыла, шул исәптән кино формалашканчы һәм аннан соң чистарту, плазма эфирыннан соң чистарту, ион имплантациясеннән соң чистарту, химиядән соң чистарту. механик бизәү, металл чүпләүдән соң чистарту. Temperatureгары температуралы фосфор кислотасы процессыннан кала, бер чистарту җайланмасы барлык чистарту процессларына туры килә.
3.5 Бердәнбер вафин җиһазлау җиһазлары
Бер вафин җиһазлау процессының максаты, нигездә, нечкә пленка эфиры. Процесс максаты буенча, аны ике категориягә бүлеп була, ягъни җиңел чистарту җайланмалары (югары энергияле ион имплантациясе аркасында пленка зарарлы катламны бетерү өчен кулланыла) һәм корбан катламын бетерү җайланмалары (вафердан соң барьер катламын бетерү өчен кулланыла). нечкә яки химик механик бизәү). Бу процесста чыгарылырга тиешле материалларга гадәттә кремний, кремний оксиды, кремний нитриды һәм металл пленка катламнары керә.
Дүрт коры чистарту һәм чистарту җиһазлары
4.1 Плазма эшкәртү җиһазларын классификацияләү
Чиста физик реакциягә якын булган ион чәчү җайланмаларына һәм саф химик реакциягә якын булган дегумминг җиһазларына өстәп, плазманы эшкәртү төрле плазма җитештерү һәм контроль технологияләре буенча якынча ике категориягә бүленергә мөмкин:
- Капассив рәвештә кушылган Плазма (CCP) эфиры;
- Индуктив рәвештә кушылган Плазма (ICP).
4.1.1 CCP
Плазманы сыйдырышлы тоташтыру - радио ешлыклы электр тәэминатын реакция камерасындагы өске һәм аскы электродларның берсенә яки икесенә тоташтыру, һәм ике тәлинкә арасындагы плазма гадиләштерелгән эквивалент схемада конденсатор формалаштыра.
Мондый иң элек ике технология бар:
Берсе - эре плазма эфиры, ул электр энергиясен югары электродка һәм вафер урнашкан аскы электродка тоташтыра. Бу рәвешчә барлыкка килгән плазма вафин өслегендә җитәрлек калын ион кабыгын формалаштырмаячак, ион бомбардирациясе энергиясе түбән, һәм ул гадәттә кремний эфиры кебек процессларда кулланыла, төп кисәкчәләр булып актив кисәкчәләрне куллана.
Икенчесе - эре реактив ион эшкәртү (RIE), ул RF электр тәэминатын вафер урнашкан аскы электродка тоташтыра һәм өске электродны зуррак мәйданга нигезли. Бу технология калынрак ион кабыгын формалаштырырга мөмкин, ул диэлектрик эшкәртү процесслары өчен яраклы, реакциядә катнашу өчен югары ион энергиясен таләп итә. Иртә реактив ион эшкәртү нигезендә, электрон электр кырына перпендикуляр DC магнит кыры кушыла, бу электрон һәм газ кисәкчәләренең бәрелешү мөмкинлеген арттыра, шуның белән плазма концентрациясен һәм эфир тизлеген яхшырта ала. Бу эфир магнит кыры көчәйтелгән реактив ион эфиры дип атала (MERIE).
Aboveгарыдагы өч технологиянең уртак җитешсезлеге бар, ягъни плазма концентрациясе һәм аның энергиясе аерым контрольдә тотылмый. Мисал өчен, эфир тизлеген арттыру өчен, плазма концентрациясен арттыру өчен, RF көчен арттыру ысулы кулланылырга мөмкин, ләкин RF көченең артуы котылгысыз рәвештә ион энергиясенең артуына китерәчәк, бу җайланмаларга зыян китерәчәк. вафин. Соңгы дистә елда, сыйдырышлы кушылу технологиясе югары һәм аскы электродларга яки икесе дә аскы электродка тоташкан берничә RF чыганагы дизайнын кабул итте.
Төрле RF ешлыкларын сайлап һәм туры китереп, электрод өлкәсе, аралар, материаллар һәм башка төп параметрлар бер-берсе белән координацияләнә, плазма концентрациясе һәм ион энергиясе мөмкин кадәр декупуляцияләнергә мөмкин.
4.1.2 ICP
Индуктив рәвештә кушылган плазма эфиры - реакция палатасына яисә аның тирәсендә радио ешлыклы электр тәэминатына тоташтырылган ботинкаларның бер яки берничә комплектын урнаштыру. Индуктивлык кәтүгенең радио ешлыгы токы белән барлыкка килгән магнит кыры электронны тизләтү өчен диэлектрик тәрәзә аша реакция камерасына керә, шуның белән плазма барлыкка килә. Гадиләштерелгән эквивалент схемада (трансформатор), кәтүк төп әйләнеш индуктивлыгы, һәм плазма - икенчел әйләнү индуктивлыгы.
Бу кушылу ысулы плазма концентрациясенә ирешә ала, ул түбән басымда сыйдырышлы кушылуга караганда зуррак зурлыктагы тәртип. Моннан тыш, икенче RF электр белән тәэмин итү, ион бомбардировщик энергиясен тәэмин итү өчен, электр энергиясе белән вафер урнашкан урынга тоташтырылган. Шуңа күрә, ион концентрациясе кәтүкнең чыганак электр белән тәэмин ителешенә бәйле, һәм ион энергиясе икеләтә электр белән тәэмин итүгә бәйле, шуның белән концентрация һәм энергиянең тулырак декуплингына ирешә.
4.2 Плазма җиһазлары
Коры эфирдагы барлык эфантлар диярлек турыдан-туры яки турыдан-туры плазмадан барлыкка килә, шуңа күрә коры эфир еш плазма эфиры дип атала. Плазманы эфирлау - киң мәгънәдә плазма эфиры. Ике эре яссы тәлинкә реактор конструкциясендә берсе - вафер урнашкан тәлинкәгә, икенчесе тәлинкә RF чыганагына тоташтырылган; икенчесе киресенчә. Элеккеге дизайнда, җир асты тәлинкәсенең мәйданы, гадәттә, RF чыганагына тоташкан тәлинкә мәйданыннан зуррак, һәм реактордагы газ басымы зур. Вафин өслегендә барлыкка килгән ион кабыгы бик нечкә, һәм вафер плазмага "чумган" кебек. Эфирлау, нигездә, плазмадагы актив кисәкчәләр һәм чистартылган материал өслеге арасындагы химик реакция белән тәмамлана. Ион бомбардирациясе энергиясе бик аз, һәм аның эфирда катнашуы бик түбән. Бу дизайн плазманы эшкәртү режимы дип атала. Башка дизайнда, ион бомбардирасында катнашу дәрәҗәсе чагыштырмача зур булганга, ул реактив ионны эшкәртү режимы дип атала.
4.3 Реактив Ион җиһазлары
Реактив ион эфиры (RIE) - актив кисәкчәләр һәм зарядлы ионнар бер үк вакытта процесста катнашучы эфир процессын аңлата. Алар арасында актив кисәкчәләр, нигездә, нейтраль кисәкчәләр (шулай ук ирекле радикаллар дип тә атала), югары концентрацияле (газ концентрациясенең якынча 1% - 10%), алар эфантның төп компонентлары. Алар белән химик реакция белән җитештерелгән продуктлар ватилизацияләнә һәм реакция камерасыннан турыдан-туры чыгарыла, яисә чистартылган өслектә туплана; корылма ионнары түбән концентрациядә булганда (газ концентрациясенең 10-4-10-3), һәм алар вафин өслегендә формалашкан ион кабыгының электр кыры белән тизләнәләр. Корылмалы кисәкчәләрнең ике төп функциясе бар. Берсе - чистартылган материалның атом структурасын җимерү, шуның белән актив кисәкчәләр аның белән реакция тизлеген тизләтү; икенчесе - тупланган реакция продуктларын бомбардировать итү һәм чыгару, чистартылган материал актив кисәкчәләр белән тулы элемтәдә торсын өчен, чистарту дәвам итә.
Ионнар эфир реакциясендә турыдан-туры катнашмаганга (яки физик бомбардировщикны бетерү һәм актив ионнарны турыдан-туры химик эфирлау кебек бик аз өлешне исәпкә алалар), катгый итеп әйтсәк, югарыдагы эшкәртү процессы ион ярдәмендә эфир дип аталырга тиеш. Реактив ион эфиры исеме төгәл түгел, ләкин ул бүген дә кулланыла. Иң беренче RIE җиһазлары 1980-нче елларда кулланыла. Бердәм RF электр белән тәэмин итү һәм чагыштырмача гади реакция камерасы дизайны куллану аркасында, аның тизлеге, бердәмлеге һәм сайлап алу ягыннан чикләүләре бар.
4.4 Магнит кыры көчәйтелгән реактив ион җайланмалары
MERIE (Магнит белән көчәйтелгән реактив Ion Etching) җайланмасы - тигезләү панель RIE җайланмасына DC магнит кырын өстәп төзелгән һәм эфир тизлеген арттыру өчен ясалган җайланма.
MERIE җиһазлары 1990-нчы елларда зур масштабта кулланыла башлады, ул вакытта бер вафинлы эфир җиһазлары тармакның төп җиһазларына әверелде. MERIE җиһазларының иң зур җитешсезлеге - магнит кыры аркасында килеп чыккан плазма концентрациясенең киңлек бүленеше бердәм булмаган электр җайланмасында ток яки көчәнеш аермаларына китерәчәк, шуның белән җайланманың зарарына китерә. Бу зыян тиз арада бертөрле булмаганлыктан килеп чыкканга, магнит кырының әйләнеше аны бетерә алмый. Интеграль схемаларның күләме кими барган саен, аларның җайланмаларының зарарлыгы плазманың бертөрлелегенә сизелерлек сизелә, һәм магнит кырын көчәйтеп эфир тизлеген арттыру технологиясе акрынлап күп RF электр белән тәэмин итү планар реактив ион эшкәртү технологиясе белән алыштырылды. , сыйдырышлык белән плазманы эшкәртү технологиясе.
4.5 Плазманы эшкәртү җиһазлары
Капассив рәвештә кушылган плазма (CCP) эшкәртү җайланмасы - электрод тәлинкәсенә радио ешлыгы (яки DC) электр тәэминаты кулланып, конденсатор кушылу аша реакция камерасында плазма ясый торган җайланма. Аның чистарту принцибы реактив ион эшкәртү җиһазларына охшаган.
CCP җайланмаларының гадиләштерелгән схематик схемасы түбәндә күрсәтелгән. Бу, гадәттә, төрле ешлыкларның ике-өч RF чыганагын куллана, һәм кайберәүләр электр энергиясен кулланалар. RF электр белән тәэмин итү ешлыгы 800kHz ~ 162MHz, һәм еш кулланыла торганнары 2МГц, 4МГц, 13МГц, 27МГц, 40МГц һәм 60МГц. 2МГц яки 4МГц ешлыгы булган RF электр тәэминаты гадәттә аз ешлыклы RF чыганаклары дип атала. Алар, гадәттә, вафер урнашкан аскы электродка тоташтырылган. Алар ион энергиясен контрольдә тоту өчен эффективрак, шуңа күрә алар шулай ук электр энергиясе белән тәэмин итү дип атала; 27МГц ешлыгы булган RF электр тәэминаты югары ешлыктагы RF чыганаклары дип атала. Алар өске электродка яки аскы электродка тоташырга мөмкин. Алар плазма концентрациясен контрольдә тотуда нәтиҗәлерәк, шуңа күрә алар чыганак электр белән тәэмин итү дип тә атала. 13МГц RF электр белән тәэмин итү уртасында һәм гадәттә югарыда күрсәтелгән ике функция дә бар, ләкин чагыштырмача зәгыйфь. Игътибар итегез, плазма концентрациясе һәм энергиясе билгеле ешлык эчендә төрле ешлыкларның RF чыганаклары көче белән көйләнә алса да, конденсатор кушылу характеристикалары аркасында, алар тулысынча мөстәкыйль көйләнә алмыйлар.
Ионнарның энергия бүленеше эшкәртү һәм җайланманың зарарлы эшләвенә зур йогынты ясый, шуңа күрә ион энергиясен бүлүне оптимальләштерү технологиясен үстерү алдынгы җайланмаларның төп пунктларының берсе булды. Хәзерге вакытта производствода уңышлы кулланылган технологияләргә күп-RF гибрид диск, DC суперпозициясе, DC импульслары белән кушылган RF, һәм синхрон импульслы RF чыганагы һәм электр энергиясе чыганагы керә.
CCP чистарту җиһазлары - плазманы чистарту җайланмаларының иң киң кулланылган ике төренең берсе. Бу, нигездә, диэлектрик материалларны эшкәртү процессында кулланыла, мәсәлән, капка тротуарлары һәм логик чип процессының алгы этабында каты маска эфиры, урта этапта контакт тишеге, арткы этапта мозаика һәм алюминий такта, шулай ук арткы этапта. 3D флеш хәтер чип процессында тирән окоплар, тирән тишекләр һәм чыбык контакт тишекләре (кремний нитрид / кремний оксиды структурасын мисал итеп алу).
CCP җайланмалары алдында торган ике төп проблема һәм яхшырту юнәлеше бар. Беренчедән, гаять югары ион энергиясен кулланганда, югары аспект коэффициент структураларының эфир мөмкинлеге (мәсәлән, 3D флеш хәтернең тишеге һәм трюкны эфирлау 50: 1 дән югары катнашуны таләп итә). Ион энергиясен арттыру өчен икеләтә көчен арттыруның хәзерге ысулы 10,000 ватка кадәр булган RF энергиясен кулланды. Күпчелек җылылык барлыкка килүен исәпкә алып, реакция палатасының суыту һәм температураны контрольдә тоту технологиясе өзлексез камилләштерелергә тиеш. Икенчедән, яңа чыгару газларын эшкәртүдә алга китеш булырга тиеш.
4.6 Индуктив рәвештә кушылган плазма җиһазлары
Индуктив рәвештә кушылган плазма (ICP) җайланмасы - радио ешлык энергия чыганагының энергиясен реакция камерасына индуктивлык кәтүге аша магнит кыры формасында тоташтыручы җайланма, шуның белән эфир өчен плазма тудыра. Аның чистарту принцибы гомумиләштерелгән реактив ионны эшкәртүгә дә карый.
ICP эфир җиһазлары өчен плазма чыганакларының ике төп төре бар. Берсе - Lam Research тарафыннан эшләнгән һәм җитештерелгән трансформатор кушылган плазма (TCP) технологиясе. Аның индуктивлык кәтүге реакция камерасы өстендәге диэлектрик тәрәзә яссылыгына урнаштырылган. 13.56МГц RF сигналы диэлектрик тәрәзәгә перпендикуляр булган һәм үзәк итеп кәтүк күчәре белән радиаль рәвештә аерыла торган кәтүктә алмаш магнит кырын барлыкка китерә.
Магнит кыры реакция камерасына диэлектрик тәрәзә аша керә, һәм алмаш магнит кыры реакция камерасында диэлектрик тәрәзәгә параллель электр кырын барлыкка китерә, шуның белән газның аерылуына ирешә һәм плазма барлыкка китерә. Бу принципны индуктивлык кәтүге белән трансформатор, төп әйләндергеч итеп һәм реакция камерасындагы плазманы икенчел әйләндергеч итеп аңларга мөмкин, шуңа күрә ICP эфиры шулай атала.
TCP технологиясенең төп өстенлеге - структураны киңәйтү җиңел. Мисал өчен, 200 мм вафердан 300 мм ваферга кадәр, TCP кәтүкнең зурлыгын арттырып, шул ук эффектны саклый ала.
Тагын бер плазма чыганагы дизайны - АКШның Applied Materials, Inc. тарафыннан эшләнгән һәм җитештерелгән плазма чыганагы (DPS) технологиясе. Аның индуктивлык кәтүге ярымшарик диэлектрик тәрәзәдә өч үлчәмле җәрәхәт. Плазма тудыру принцибы югарыда телгә алынган TCP технологиясенә охшаган, ләкин газны аеру эффективлыгы чагыштырмача югары, бу плазманың концентрациясен алу өчен уңайлы.
Плазманы тудыру өчен индуктив кушылуның эффективлыгы сыйдырышлык кушылуга караганда югарырак, һәм плазма нигездә диэлектрик тәрәзәгә якын булган җирдә барлыкка килгәнгә, аның плазма концентрациясе нигездә индуктивлык кәтүгенә тоташкан чыганак электр көче белән билгеләнә. кәтүк, һәм вон өслегендәге ион кабыгындагы ион энергиясе, нигездә, электр белән тәэмин итү көче белән билгеләнә, шуңа күрә ионнарның концентрациясе һәм энергиясе мөстәкыйль контрольдә тотыла, шуның белән декуплингка ирешә.
ICP чистарту җиһазлары - плазманы чистарту җайланмаларының иң киң кулланылган ике төренең берсе. Ул, нигездә, кремнийның тайсыз окопларын, германийны (Ge), полисиликон капка корылмаларын, металл капка структураларын, кремнийны (Стрин-Си), металл чыбыкларны, металл такталарны (мендәрләр), мозаик металл каты маскаларны һәм күп процессларны эшкәртү өчен кулланыла. күп сурәтләү технологиясе.
Моннан тыш, өч үлчәмле интеграль схемалар, CMOS сурәт сенсорлары һәм микро-электро-механик системалар (MEMS) үсү белән, шулай ук кремний виас (TSV), зур күләмле обливик тишекләр һәм куллану тиз арту белән. Төрле морфологияләр белән тирән кремний эшкәртү, күп җитештерүчеләр бу кушымталар өчен махсус эшләнгән эфир җиһазларын эшләтеп җибәрделәр. Аның характеристикалары зур тирәнлек (дистәләрчә яки хәтта йөзләрчә микрон), шуңа күрә ул күбесенчә югары газ агымы, югары басым һәм югары энергия шартларында эшли.
——————————————————————————————————————— ———————————-
Семицера тәэмин итә алаграфит өлешләре, йомшак / каты тойгы, кремний карбид өлешләре, CVD кремний карбид өлешләре, һәмSiC / TaC капланган өлешләр30 көн эчендә.
Әгәр дә сез югарыдагы ярымүткәргеч продуктлары белән кызыксынсагыз,зинһар, безнең белән беренче тапкыр элемтәгә керергә курыкмагыз.
Телефон: + 86-13373889683
WhatsAPP: + 86-15957878134
Email: sales01@semi-cera.com
Пост вакыты: 31-2024 август