Бер күзәтү
Интеграль схема җитештерү процессында фотолитография - интеграль схемаларның интеграция дәрәҗәсен билгеләүче төп процесс. Бу процессның функциясе - график график мәгълүматны маскадан (шулай ук маска дип атала) ярымүткәргеч материал субстратына тугры тапшыру.
Фотолитография процессының төп принцибы - субстрат өслегендә капланган фотосимик реакцияне маскада схема схемасын язу өчен куллану, шуның белән интеграль схема дизайнын субстратка күчерү максатына ирешү.
Фотолитографиянең төп процессы:
Беренчедән, фотосерист каплау машинасы ярдәмендә субстрат өслегендә кулланыла;
Аннары, фотолитография машинасы фоторезист белән капланган субстратны фаш итү өчен кулланыла, һәм фотохимик реакция механизмы фотолитография машинасы аша тапшырылган маска үрнәген язу өчен кулланыла, тугрылык тапшыруны тәмамлый, маска үрнәген субстратка күчерә;
Ниһаять, эшкәртүче экспозициядән соң фотохимик реакция кичергән фоторесистны чыгару (яки саклап калу) өчен ачыкланган субстратны үстерү өчен кулланыла.
Икенче фотолитография процессы
Маскадагы конструкцияләнгән схема схемасын кремний вафына күчерү өчен, күчерү башта экспозиция процессы аша, аннары кремний үрнәге эфир процессы аша алынырга тиеш.
Фотолитография процессының яктыртылуы сары яктылык чыганагын кулланганлыктан, фотосенсив материаллар сизгер булмаганга, ул шулай ук сары яктылык өлкәсе дип атала.
Фотолитография беренче тапкыр полиграфия тармагында кулланылган һәм PCB эре җитештерү өчен төп технология булган. 1950-нче еллардан башлап, фотолитография әкренләп IC җитештерүендә үрнәк күчерүнең төп технологиясенә әверелде.
Литография процессының төп күрсәткечләренә резолюция, сизгерлек, каплау төгәллеге, җитешсезлек дәрәҗәсе һ.б. керә.
Фотолитография процессында иң критик материал - фотосессия материалы булган фоторесист. Фоторезистның сизгерлеге яктылык чыганагының дулкын озынлыгына бәйле булганлыктан, g / i сызыгы, 248nm KrF, 193nm ArF кебек фотолитографик процесслар өчен төрле фоторесист материаллар кирәк.
Типик фотолитография процессының төп процессы биш этапны үз эченә ала:
- фильм әзерләү;
- Фоторезист һәм йомшак пешерү кулланыгыз;
- Тигезләү, экспозиция һәм экспозициядән соң пешерү;
- Каты фильмны үстерү;
- үсешне ачыклау.
(1)Төп фильм әзерләү: нигездә чистарту һәм сусызлану. Төрле пычраткыч матдәләр фоторесист белән вафер арасындагы ябышуны зәгыйфьләндерәчәк, яхшылап чистарту вафер белән фоторезист арасындагы ябышуны яхшырта ала.
(2)Фоторезист каплау: Бу кремний вафинын әйләндереп ирешелә. Төрле фоторесистлар әйләнү тизлеген, фоторезист калынлыгын, температураны кертеп, төрле каплау процессы параметрларын таләп итәләр.
Йомшак пешерү: пешерү фоторесист белән кремний вафаты арасындагы ябышуны яхшырта ала, шулай ук фоторезист калынлыгының бердәмлеген яхшырта ала, бу киләсе эфир процессының геометрик үлчәмнәрен төгәл контрольдә тоту өчен файдалы.
(3)Тигезләү һәм экспозиция: Тигезләү һәм экспозиция - фотолитография процессында иң мөһим адымнар. Алар маска үрнәген ваферда булган (яки алгы катлам үрнәге) белән тигезләүгә, аннары аны махсус яктылык белән нурландыруга карыйлар. Яктылык энергиясе фоторесисттагы фотосенсив компонентларны активлаштыра, шуның белән маска үрнәген фоторесистка күчерә.
Тигезләү һәм экспозиция өчен кулланылган җиһаз - фотолитография машинасы, ул бөтен интеграль схема җитештерү процессындагы иң кыйммәтле бер җиһаз. Фотолитография машинасының техник дәрәҗәсе бөтен җитештерү линиясенең алга китү дәрәҗәсен күрсәтә.
Экспозициядән соң пешерү: экспозициядән соң кыска пешерү процессын аңлата, ул тирән ультрафиолет фоторесистларына һәм гадәти i-линия фоторесистларына караганда аерылып тора.
Тирән ультрафиолет фоторезисты өчен, экспозициядән соң пешерү фоторесисттагы саклагыч компонентларны бетерә, фоторесистка эшкәртүчедә эрергә мөмкинлек бирә, шуңа күрә экспозициядән соң пешерү кирәк;
Гадәттәге i-линия фоторезистлары өчен, экспозициядән соң пешерү фоторесистның ябышуын яхшырта һәм басып торган дулкыннарны киметә ала (басып торган дулкыннар фоторезистның кыр морфологиясенә тискәре йогынты ясар).
(4)Каты фильмны үстерү: экспозициядән соң фоторесистның эри торган өлешен (позитив фоторезист) эретү өчен, һәм маска үрнәген фоторесист үрнәге белән төгәл күрсәтү өчен.
Processсеш процессының төп параметрларына үсеш температурасы һәм вакыты, эшкәртүченең дозасы һәм концентрациясе, чистарту һ.б. керә. кирәкле үсеш эффектын алу.
Катыландыру шулай ук катыру пешерү дип тә атала, бу эшкәртелгән фоторезистта калган эретүче, эшкәртүче, су һәм башка кирәксез калдык компонентларын җылыту һәм парга әйләндерү, фоторезистның кремний субстратына ябышуын яхшырту өчен һәм фоторесистның сүндерү каршылыгы.
Катыру процессының температурасы төрле фоторезистларга һәм катыру ысулларына карап үзгәрә. Фоторезист формасы деформацияләнми һәм фоторесист җитәрлек итеп эшләнергә тиеш.
(5)Developmentсеш инспекциясе: Бу үсештән соң фоторесист үрнәгендәге кимчелекләрне тикшерү. Гадәттә, сурәтне тану технологиясе чип үрнәген автоматик рәвештә сканерлау һәм аны алдан сакланган кимчелексез стандарт үрнәк белән чагыштыру өчен кулланыла. Әгәр дә аерма табылса, ул кимчелекле санала.
Әгәр дә җитешсезлекләр саны билгеле бер кыйммәттән артса, кремний вафины үсеш сынавын уңышсыз дип саный һәм тиешенчә кырылып яисә эшкәртелергә мөмкин.
Интеграль схема җитештерү процессында күпчелек процесслар кире кайтарылмый, һәм фотолитография - эшкәртелә торган бик аз процессларның берсе.
Өч фотомаска һәм фоторесист материал
3.1 Фотомаск
Фотомаск, шулай ук фотолитография маскасы буларак та билгеле, интеграль челтәр җитештерүнең фотолитография процессында кулланылган оста.
Фотомаск җитештерү процессы - интеграль схема дизайны инженерлары тарафыннан эшләнгән вафер җитештерү өчен кирәк булган оригиналь макет мәгълүматларын мәгълүмат форматына әверелдерү, аны лазер үрнәге генераторлары яки электрон нур экспозиция җиһазлары маска мәгълүматларын эшкәртү аша танып була, ул аны фаш итә ала. фотосессия материал белән капланган фотомаск субстрат материалындагы югарыдагы җиһазлар; аннары ул субстрат материалдагы үрнәкне төзәтү өчен үсеш һәм эфир кебек процесслар сериясе аша эшкәртелә; ниһаять, маска продуктын формалаштыру өчен, тикшерелә, ремонтлана, чистартыла һәм пленка белән ламинатлана һәм куллану өчен интеграль челтәр җитештерүчегә җибәрелә.
3.2
Фоторезист, шулай ук фоторесист буларак та билгеле, фотосенсив материал. Андагы фотосенсив компонентлар яктылык нурлары астында химик үзгәрешләр кичерәчәк, шуның белән таркалу тизлегендә үзгәрешләр китерәчәк. Аның төп функциясе - маскадагы үрнәкне вафер кебек субстратка күчерү.
Фоторезистның эш принцибы: Беренчедән, фоторесист субстрат белән капланган һәм эретүчене чыгару өчен алдан пешерелгән;
Икенчедән, маска яктылыкка бирелә, фотосессия компонентларының химик реакциягә китерүенә китерә;
Аннары, экспозициядән соң пешерәләр;
Ниһаять, фоторесист үсеш аркасында өлешчә таркала (уңай фоторесист өчен, ачыкланган мәйдан эретелә; тискәре фоторесист өчен, көтелмәгән мәйдан эретелә), шуның белән интеграль схема үрнәген маскадан субстратка күчерүне аңлый.
Фоторезист компонентларына, нигездә, фильм формалаштыручы резин, фотосенсив компонент, эз өстәмәләре һәм эретүче керә.
Алар арасында кино формалаштыручы резин механик үзлекләр һәм эфирга каршы тору өчен кулланыла; фотосенсив компонент яктылык астында химик үзгәрешләр кичерә, таркалу тизлеген үзгәртә;
Эзләү өстәмәләренә буяулар, ябышлыкны көчәйтүче һ.б. керә, алар фоторезистның эшчәнлеген яхшырту өчен кулланыла; эреткечләр компонентларны эретү һәм тигезләштерү өчен кулланыла.
Хәзерге вакытта киң кулланылган фоторесистларны фотохимик реакция механизмы буенча традицион фоторесистларга һәм химик көчәйтелгән фоторесистларга бүлеп була, һәм шулай ук ультрафиолетка, тирән ультрафиолетка, экстремаль ультрафиолетка, электрон нурга, ион нурына һәм рентген фоторесистларына бүләргә мөмкин. фотосессия сизгерлеге дулкын озынлыгы.
Дүрт фотолитография җиһазы
Фотолитография технологиясе контакт / якын литография, оптик проекция литографиясе, этап-кабат литография, сканер литографиясе, чумдыру литографиясе һәм EUV литографиясе үсеш процессын үтте.
4.1 Контакт / Якынлык литография машинасы
Контакт литографиясе технологиясе 1960-нчы елларда барлыкка килгән һәм 1970-нче елларда киң кулланылган. Бу кечкенә масштаблы интеграль схемалар чорында төп литография ысулы иде һәм, нигездә, 5μm-тан зуррак зурлыктагы интеграль схемалар җитештерү өчен кулланылды.
Контакт / якын литография машинасында вафин гадәттә кул белән идарә ителгән горизонталь позициягә һәм әйләнүче эш өстәленә урнаштырыла. Оператор дискрет кыр микроскопын куллана, бер үк вакытта маска һәм вафин торышын күзәтә, һәм маска белән ваферны тигезләү өчен эш өстәленең торышын кул белән контрольдә тота. Вафер һәм маска тигезләнгәннән соң, икесе бергә кысылачак, шулай итеп маска вафер өслегендәге фоторесист белән туры элемтәдә торыр.
Микроскоп максатын бетергәннән соң, басылган вафин һәм маска экспозиция таблицасына күчерелә. Сымп лампасы чыгарган яктылык линзалар аша маскага параллель. Маска вафердагы фоторесист катламы белән турыдан-туры бәйләнештә булганлыктан, маска үрнәге фоторесист катламына экспозициядән соң 1: 1 нисбәтендә күчерелә.
Контакт литография җиһазлары - иң гади һәм иң экономик оптик литография җиһазлары, һәм суб-микрон функция графикасы экспозициясенә ирешә ала, шуңа күрә ул әле кечкенә партия продуктлары җитештерүдә һәм лаборатория тикшеренүләрендә кулланыла. Зур масштаблы интеграль челтәр производствосында маска белән вафер арасында туры элемтә аркасында килеп чыккан литография чыгымнары артмас өчен, якын литография технологиясе кертелде.
Якынча литография 1970-нче елларда кечкенә масштаблы интеграль схемалар һәм урта масштаблы интеграль схемаларның беренче чорында киң кулланылган. Контакт литографиясеннән аермалы буларак, литографиягә якын булган маска вафаттагы фоторесист белән туры элемтәдә түгел, ә азот белән тутырылган бушлык кала. Маска азот өстендә йөзә, һәм маска белән вафер арасындагы аерманың зурлыгы азот басымы белән билгеләнә.
Якынча литографиядә вафер белән маска арасында туры бәйләнеш булмаганлыктан, литография процессында кертелгән кимчелекләр кими, шуның белән маска югалуны киметә һәм вафин уңышын яхшырта. Якынча литографиядә вафер белән маска арасындагы аерма ваферны Фреснель дифракция өлкәсенә куя. Дифракциянең булуы литографик җиһазларның резолюциясен тагын да камилләштерүне чикли, шуңа күрә бу технология, нигездә, 3μм дан артык зурлыктагы интеграль схемалар җитештерү өчен яраклы.
4.2 Степпер һәм кабатлаучы
Степпер - вафин литография тарихындагы иң мөһим җиһазларның берсе, ул суб-микрон литография процессын массакүләм җитештерүгә этәрде. Степпер 22 мм × 22 мм типик статик экспозиция кырын һәм 5: 1 яки 4: 1 киметү коэффициенты булган оптик проекция линзасын маскадагы үрнәкне ваферга күчерү өчен куллана.
Адым-кабатлау литография машинасы, гадәттә, экспозиция субсистемасыннан, эш кисәгенең субсистемасыннан, маска этап субсистемасыннан, фокус / тигезләү субсистемасыннан, тигезләү субсистемасы, төп рам субсистемасы, вафер тапшыру субсистемасы, маска тапшыру системасы. , электрон система, һәм программа тәэминаты.
Адым һәм кабатланган литография машинасының гадәти эш процессы түбәндәгечә:
Беренчедән, фоторесист белән капланган вафер эш кисәге өстәленә вафер тапшыру субсистемасын кулланып күчерелә, һәм маска маска күчерү системасы ярдәмендә маска өстәленә күчерелә;
Аннары, система фокус / тигезләү субсистемасын куллана, эш кисәгендәге ваферда күп нокталы биеклекне үлчәү өчен, вафер өслегенең биеклеге һәм эрү почмагы кебек мәгълүмат алу өчен, экспозиция өлкәсе. вафер экспозиция процессында проекциянең фокаль тирәнлегендә һәрвакыт контрольдә тотыла ала;Соңыннан, система масканы һәм ваферны тигезләү өчен тигезләү субсистемасын куллана, шулай итеп экспозиция процессында маска рәсеменең позиция төгәллеге һәм вафер үрнәген күчерү һәрвакыт каплау таләпләрендә була.
Ниһаять, бөтен вафин өслегенең адым-экспозиция эше үрнәк тапшыру функциясен тормышка ашыру өчен билгеләнгән юл буенча тәмамлана.
Киләсе степан һәм сканер литография машинасы югарыдагы төп эш процессына нигезләнеп, адымны яхшырту, сканерлау → экспозициясен яхшырту, һәм фокуслау / тигезләү → тигезләү → ике этаплы модельгә үлчәү (фокус / тигезләү → тигезләү) һәм сканерлау. параллель экспозиция.
Адым-сканер литография машинасы белән чагыштырганда, этап-кабатлау литография машинасы маска һәм ваферның синхрон кире сканерына ирешергә тиеш түгел, һәм сканерлау маска таблицасын һәм синхрон сканерлау системасы таләп итми. Шуңа күрә структурасы чагыштырмача гади, бәясе чагыштырмача түбән, һәм операция ышанычлы.
IC технологиясе 0,25μм кергәч, этап-кабатлау литографиясен куллану кими башлады, этап-скан литографиянең экспозиция кыры күләмен һәм экспозиция бердәмлеген сканерлау өстенлекләре аркасында. Хәзерге вакытта, Никон тарафыннан бирелгән соңгы этап-кабатлау литографиясе статик экспозиция өлкәсенә ия, ул этап-скан литографиясе кебек зур, һәм сәгатенә 200-дән артык вафер эшкәртә ала, бик югары җитештерүчәнлек. Бу төр литографик машина хәзерге вакытта критик булмаган IC катламнары җитештерү өчен кулланыла.
4.3 Степан Сканер
Адым-скан литографиясен куллану 1990-нчы елларда башланган. Төрле экспозиция яктылык чыганакларын конфигурацияләп, этап-скан технологиясе төрле процесс технология төеннәренә булыша ала, 365nm, 248nm, 193nm чумдырылудан EUV литографиясенә кадәр. Адым-кабатлау литографиясеннән аермалы буларак, этап-скан литографиянең бер кырлы экспозициясе динамик сканер кабул итә, ягъни маска тәлинкәсе сканерлау хәрәкәтен ваферга синхрон рәвештә тәмамлый; хәзерге кыр экспозициясе беткәч, вафер эш кисәге белән алып барыла һәм чираттагы сканерлау кырына күчә, һәм кабат-кабат экспозиция дәвам итә; Бөтен вафатның барлык кырлары ачыкланганчы, этап-сканер экспозициясен берничә тапкыр кабатлагыз.
Төрле яктылык чыганакларын конфигурацияләп (мәсәлән, i-line, KrF, ArF), үги сканер ярымүткәргечнең алгы процессының барлык технология төеннәрен диярлек тәэмин итә ала. Типик кремнийга нигезләнгән CMOS процесслары 0,18μм төеннән бирле күпләп степан-сканерлар кабул иттеләр. хәзерге вакытта 7нмнан түбән процесс төеннәрендә кулланылган экстремаль ультрафиолет (EUV) литография машиналары да степан-сканер кулланалар. Өлешчә адаптив модификациядән соң, үги сканер шулай ук MEMS, электр җайланмалары, RF җайланмалары кебек кремний булмаган процессларны тикшерүгә, эшкәртүгә һәм җитештерүгә ярдәм итә ала.
Адым-скан проекция литография машиналарының төп җитештерүчеләренә ASML (Нидерланд), Никон (Япония), Canon (Япония) һәм SMEE (Китай) керә. ASML 2001-нче елда TWINSCAN этап-скан литография машиналары сериясен эшләтеп җибәрде.
4.4 Чумдыру литографиясе
Моны Райли формуласыннан күреп була, экспозиция дулкын озынлыгы үзгәрмәгәндә, сурәтләү резолюциясен тагын да яхшырту өчен эффектив ысул - сурәтләү системасының санлы аппертурасын арттыру. 45нм һәм аннан да югарырак сурәтләү резолюцияләре өчен, ArF коры экспозиция ысулы таләпләрне канәгатьләндерә алмый (чөнки ул 65нм максималь сурәтләү резолюциясен хуплый), шуңа күрә чумдыру литографиясе ысулын кертергә кирәк. Традицион литография технологиясендә линза белән фоторесист арасында уртача һава, чумдыру литографиясе технологиясе һава мохитен сыеклык белән алыштыра (гадәттә ультрафур су 1,44 рефактив индексы белән).
Чынлыкта, суга чумдыру литографиясе технологиясе яктылык сыеклык аша үткәч, яктылык чыганагының дулкын озынлыгын кыскартуны куллана, кыскарту коэффициенты - сыеклыкның реактив индексы. Чумдыру литографиясе машинасы этап-скан литография машинасының бер төре булса да, һәм аның җиһаз системасы чишелеше үзгәрмәсә дә, бу төп технологияләр кертү аркасында ArF адым-скан литография машинасын үзгәртү һәм киңәйтү. чумдыру.
Чумдыру литографиясенең өстенлеге шунда: системаның санлы аппертурасы арту аркасында, степан-сканер литография машинасының сурәтләү резолюциясе мөмкинлеге яхшыра, ул 45нмнан түбән сурәтләү процесс таләпләренә җавап бирә ала.
Чумдыру литографиясе машинасы әле дә ArF яктылык чыганагын кулланганлыктан, процессның өзлексезлеге гарантияләнә, яктылык чыганагы, җиһаз һәм процессның R&D бәясен саклый. Бу нигездә, берничә графика һәм исәпләү литографиясе технологиясе белән берлектә, чумдыру литографиясе машинасы 22нм һәм аннан түбән процесс төеннәрендә кулланылырга мөмкин. EUV литография машинасы рәсми рәвештә массакүләм җитештерүгә кертелгәнче, чумдыру литографиясе машинасы киң кулланылган һәм 7нм төен процесс таләпләренә җавап бирә алган. Ләкин, суга чуму сыеклыгы кертү аркасында, җиһазның инженерлык кыенлыгы сизелерлек артты.
Аның төп технологияләре суга чумдыру сыеклык белән тәэмин итү һәм торгызу технологиясе, суга чумдырылу сыеклык кырын тоту технологиясе, чумдыру литографиясе пычрануы һәм җитешсезлекләрне контрольдә тоту технологиясе, ультра-зур санлы аппертураны суга чумдыру проекция линзаларын эшкәртү һәм саклау, суга чумдыру шартларында сурәтләү сыйфатын ачыклау технологиясе.
Хәзерге вакытта коммерция ArFi этап-скан литография машиналары нигездә ике компания белән тәэмин ителә, алар Нидерландның ASML һәм Япония Никоны. Алар арасында бер ASML NXT1980 Di бәясе якынча 80 миллион евро.
4.4 Экстремаль ультрафиолет литографиясе машинасы
Фотолитография резолюциясен яхшырту өчен, экзимер яктылык чыганагы кабул ителгәннән соң, дулкын озынлыгы тагын да кыскартыла, һәм дулкын озынлыгы 10 - 14 нм булган чиктән тыш ультрафиолет нуры экспозиция яктылыгы чыганагы буларак кертелә. Экстремаль ультрафиолет нурының дулкын озынлыгы бик кыска, һәм кулланыла торган чагылдыргыч оптик система гадәттә Mo / Si яки Mo / Be кебек күпкатлы кино рефлекторларыннан тора.
Алар арасында, Mo / Si күпкатлы фильмның теоретик максималь чагылышы 13,0 - 13,5nm дулкын озынлыгы диапазонында, якынча 70%, һәм 11.1nm кыска дулкын озынлыгында Mo / Be күпкатлы фильмның теоретик максималь чагылышы 80% тирәсе. Mo / Be күпкатлы кино рефлекторларының чагылышы югарырак булса да, Be бик агулы, шуңа күрә EUV литография технологиясен эшләгәндә мондый материаллар буенча тикшеренүләр ташланган.Хәзерге EUV литография технологиясе Mo / Si күпкатлы фильм куллана, һәм аның экспозиция дулкын озынлыгы 13,5nm булырга тиеш.
Төп экстремаль ультрафиолет яктылык чыганагы лазер җитештергән плазма (LPP) технологиясен куллана, ул яктылык чыгару өчен кайнар эретелгән Sn плазмасын дулкынландыру өчен югары интенсив лазерларны куллана. Озак вакыт яктылык чыганагының көче һәм булуы EUV литография машиналарының эффективлыгын чикләүче киртәләр булып тора. Мастер осиллатор көче көчәйткеч, прогнозлы плазма (PP) технологиясе һәм көзге чистарту технологиясе ярдәмендә EUV яктылык чыганакларының көче һәм тотрыклылыгы бик яхшырды.
EUV литография машинасы, нигездә, яктылык чыганагы, яктырту, объектив линза, эш этабы, маска этапы, вафер тигезләү, фокус / тигезләү, маска тапшыру, вафер рамкасы кебек вак-төяк системалардан тора. Күп катламлы капланган рефлекторлардан торган яктырту системасы аша үткәннән соң, экстремаль ультрафиолет нуры чагылдыргыч маскада нурлана. Маска белән чагылдырылган яктылык оптик гомуми чагылдыру сурәтләү системасына керә, һәм ниһаять, масканың чагылган образы вакуум мохитендә вафер өслегендә күрсәтелә.
EUV литография машинасының экспозиция өлкәсе һәм сурәтләү кыры дуга формасындагы, һәм чыгару темпын яхшырту өчен тулы вафер экспозициясенә ирешү өчен этаплап сканерлау ысулы кулланыла. ASML-ның иң алдынгы NXE сериясе EUV литография машинасы дулкын озынлыгы 13,5nm булган яктылык чыганагын, чагылдыргыч маска (6 ° облигация очраклары), 6 көзге структурасы белән 4х кыскарту чагылдыручы проекция объекты куллана (NA = 0.33), a 26 мм × 33 мм күренеш мәйданын, вакуум экспозиция мохитен.
Чумдыру литографиясе машиналары белән чагыштырганда, экстремаль ультрафиолет яктылык чыганакларын кулланып, EUV литография машиналарының бер экспозиция резолюциясе бик яхшырды, бу югары резолюцияле графиканы формалаштыру өчен берничә фотолитография өчен кирәк булган катлаулы процессны эффектив рәвештә саклап кала ала. Хәзерге вакытта, NXE 3400B литография машинасының бер экспозиция резолюциясе санлы аппертурасы белән 0,3нмга, чыгару тизлеге 125 данә / сәг.
Мур Законын тагын да киңәйтү ихтыяҗларын канәгатьләндерү өчен, киләчәктә 0,5 санлы аппертурасы булган EUV литография машиналары үзәк яктылыкны блоклаучы проекция объектив системасын кабул итәчәк, асимметрик зурлауны 0,25 тапкыр / 0,125 тапкыр, һәм сканерлау экспозиция кыры 26м × 33 ммнан 26 мм × 16,5 ммга кадәр киметеләчәк, һәм бер экспозиция резолюциясе 8нмнан түбәнгә җитә ала.
——————————————————————————————————————— ———————————
Семицера тәэмин итә алаграфит өлешләре, йомшак / каты тойгы, кремний карбид өлешләре, CVD кремний карбид өлешләре, һәмSiC / TaC капланган өлешләр30 көн эчендә тулы ярымүткәргеч процессы белән.
Әгәр дә сез югарыдагы ярымүткәргеч продуктлары белән кызыксынсагыз,зинһар, безнең белән беренче тапкыр элемтәгә керергә курыкмагыз.
Телефон: + 86-13373889683
WhatsAPP: + 86-15957878134
Email: sales01@semi-cera.com
Пост вакыты: 31-2024 август