А борылу өчен йөзләгән процесс кирәкваферярымүткәргечкә. Иң мөһим процессларның берсеэфир- ягъни, яхшы схема үрнәкләрен ясаувафер. Уңышэфирпроцесс төрле үзгәрешләр белән идарә итүгә бәйле, һәм һәрбер җиһаз оптималь шартларда эшләргә әзер булырга тиеш. Эшләү процессы инженерлары бу җентекле процессны тәмамлау өчен искиткеч җитештерү технологиясен кулланалар.
SK Hynix Яңалыклар Centerзәге Icheon DRAM Front Etch, Middle Etch, and End Etch техник коллективлары әгъзалары белән интервью алды, аларның эше турында күбрәк белү өчен.
Эч: Producитештерүне яхшырту сәяхәте
Ярымүткәргеч җитештерүдә эфир нечкә фильмнарда уеп ясау үрнәкләрен аңлата. Patternрнәкләр һәр процесс адымының соңгы схемасын формалаштыру өчен плазма ярдәмендә сиптерелә. Аның төп максаты - төгәл үрнәкләрне макет буенча камил итеп күрсәтү һәм барлык шартларда бердәм нәтиҗәләрне саклау.
Әгәр проблемалар чүпләүдә яки фотолитография процессында килеп чыкса, аларны сайлап алу (Etch) технологиясе ярдәмендә чишеп була. Ләкин, эфир процессында берәр нәрсә дөрес булмаса, хәлне кире кайтарып булмый. Чөнки шул ук материалны язылган мәйданда тутырып булмый. Шуңа күрә, ярымүткәргеч җитештерү процессында, гомуми уңышны һәм продуктның сыйфатын билгеләү өчен, чистарту бик мөһим.
Эшләү процессы сигез адымны үз эченә ала: ISO, BG, BLC, GBL, SNC, M0, SN һәм MLM.
Беренчедән, актив күзәнәк өлкәсен булдыру өчен, ISO (изоляция) этап эфирлары (Etch) кремний (Si). BG (күмелгән капка) этапы адрес сызыгын (Word Line) 1 һәм электрон канал булдыру өчен капка ясый. Алга таба, BLC (Bit Line Contact) этапы ISO белән шакмак өлкәсендә багана адрес сызыгы (Bit Line) арасында бәйләнеш тудыра. GBL (Peri Gate + Cell Bit Line) этапы бер үк вакытта шакмак баганасының адрес сызыгын һәм периферия 3 капкасын барлыкка китерәчәк.
SNC (Саклау төен контракты) этапы актив мәйдан белән саклагыч төен арасында бәйләнеш булдыруны дәвам итә. Соңыннан, M0 (Metal0) этап периферия S / D (Саклау төене) 5 һәм тоташу нокталарын формалаштыра. багана адрес сызыгы һәм саклау төене арасында. SN (Саклагыч Түләү) этапы берәмлекнең сыйдырышлыгын раслый, һәм киләсе MLM (Күп Катламлы Металл) этап тышкы электр белән тәэмин итүне һәм эчке чыбыкны барлыкка китерә, һәм бөтен эшкәртү процессы тәмамлана.
Этчинг (Этч) техникларының, нигездә, ярымүткәргечләр өчен җаваплы булуларын исәпкә алып, DRAM бүлеге өч командага бүленә: Front Etch (ISO, BG, BLC); Урта Эч (GBL, SNC, M0); End Etch (SN, MLM). Бу командалар шулай ук җитештерү позицияләре һәм җиһаз позицияләре буенча бүленәләр.
Manufactитештерү позицияләре берәмлек җитештерү процесслары белән идарә итү һәм камилләштерү өчен җаваплы. Variзгәрешле контроль һәм производствоны оптимизацияләү чаралары ярдәмендә җитештерү позицияләре уңышны һәм продукт сыйфатын яхшыртуда бик мөһим роль уйныйлар.
Equipmentиһаз позицияләре җитештерү процессында килеп чыга торган проблемалардан саклану өчен җитештерү җиһазлары белән идарә итү һәм ныгыту өчен җаваплы. Equipmentиһаз позицияләренең төп җаваплылыгы - җиһазларның оптималь эшләвен тәэмин итү.
Responsibilityаваплылык ачык булса да, барлык командалар уртак максатка омтыла - җитештерүчәнлекне яхшырту өчен җитештерү процессларын һәм аңа бәйле җиһазларны идарә итү һәм камилләштерү. Бу максаттан, һәр команда актив рәвештә үз казанышларын һәм яхшырту өлкәләрен бүлешә, һәм бизнес күрсәткечләрен яхшырту өчен хезмәттәшлек итә.
Миниатюризация технологиясе проблемаларын ничек җиңәргә
SK Hynix 2021 елның июлендә 10нм (1а) класс процессы өчен 8Gb LPDDR4 DRAM продуктларын массакүләм җитештерә башлады.
Ярымүткәргеч хәтер схемасы үрнәкләре 10нм чорына керде, яхшырганнан соң, бер DRAM якынча 10,000 күзәнәк урнаштыра ала. Шуңа күрә, хәтта эфир процессында да процесс маржасы җитәрлек түгел.
Әгәр дә формалашкан тишек (тишек) 6 бик кечкенә булса, ул "ачылмаган" булып күренергә һәм чипның аскы өлешен блокларга мөмкин. Моннан тыш, формалашкан тишек артык зур булса, "күпер" булырга мөмкин. Ике тишек арасындагы аерма җитмәгәндә, "күпер" барлыкка килә, нәтиҗәдә алдагы адымнарда үзара ябышу проблемалары килеп чыга. Ярымүткәргечләр көннән-көн чистартылган саен, тишек зурлыгы диапазоны әкренләп кими бара, һәм бу куркынычлар әкренләп бетереләчәк.
Aboveгарыда күрсәтелгән проблемаларны чишү өчен, технология белгечләре процессны яхшыртуын дәвам итәләр, шул исәптән процесс рецептын һәм APC7 алгоритмын үзгәртү, һәм ADCC8 һәм LSR9 кебек яңа эфир технологияләрен кертү.
Клиентларның ихтыяҗлары төрле булган саен, тагын бер проблема барлыкка килде - күп продукт җитештерү тенденциясе. Мондый клиент ихтыяҗларын канәгатьләндерү өчен, һәр продукт өчен оптимальләштерелгән процесс шартлары аерым куелырга тиеш. Бу инженерлар өчен бик катлаулы, чөнки алар массакүләм җитештерү технологиясен билгеләнгән шартларның да, диверсификацияләнгән шартларның да ихтыяҗларын канәгатьләндерергә тиеш.
Бу максаттан, Etch инженерлары "APC офсет" 10 технологиясен керттеләр, төп продуктларга (төп продуктларга) нигезләнеп төрле туемнар белән идарә иттеләр, һәм төрле продуктларны комплекслы идарә итү өчен "T-index системасы" булдырдылар һәм кулландылар. Бу тырышлыклар ярдәмендә система күп продукт җитештерү ихтыяҗларын канәгатьләндерү өчен өзлексез камилләштерелде.
Пост вакыты: 16-2024 июль