SiC бер кристалл үсешендә орлык кристаллын әзерләү процессы 3

Owсешне тикшерү
.Әр сүзнеңкремний карбид (SiC)орлык кристаллары күрсәтелгән процесстан соң әзерләнде һәм SiC кристалл үсеше аша расланды. Кулланылган үсеш платформасы үз-үзен үстергән SiC индукция миче иде, үсеш температурасы 2200 with, үсеш басымы 200 Па, һәм үсеш озынлыгы 100 сәгать.

Әзерлек а6 дюймлы SiC ваферыуглерод һәм кремний йөзләре белән бизәлгән, аваферкалынлыгы бердәмлеге ≤10 µm, һәм кремний йөзенең тупаслыгы ≤0.3 nm. Шулай ук ​​200 мм диаметр, 500 мм калынлыктагы графит кәгазе, клей, спирт һәм линтсыз тукымалар әзерләнгән.

.Әр сүзнеңSiC вафин1500 р / минутта бәйләү өслегендә ябыштыргыч белән әйләндереп алынган.

Бәйләү өслегендә ябыштыргычSiC вафинкайнар тәлинкәдә киптерелгән.

Графит кәгазе һәмSiC вафин(аска караган бәйләү өслеге) астыннан өскә тезелгән һәм орлык кристалл кайнар пресс миченә урнаштырылган. Кайнар басу алдан билгеләнгән кайнар пресс процессы буенча башкарылды. 6 нчы рәсемдә үсү процессыннан соң орлык кристалл өслеге күрсәтелгән. Орлык кристалл өслегенең деламинация билгеләре булмаган шома булуын күреп була, бу тикшеренүдә әзерләнгән SiC орлык кристаллларының яхшы сыйфаты һәм тыгыз бәйләнеш катламы булуын күрсәтә.

Йомгаклау
Орлык кристаллын урнаштыру өчен хәзерге бәйләү һәм асылу ысулларын исәпкә алып, берләштерелгән бәйләү һәм асылу ысулы тәкъдим ителде. Бу тикшеренү углерод пленкасын әзерләүгә һәмвафер/ бу ысул өчен кирәк булган графит кәгазь бәйләү процессы, түбәндәге нәтиҗәләргә китерә:

Вагондагы углерод пленкасы өчен кирәк булган ябыштыргычның ябышлыгы 100 мПа · с булырга тиеш, карбонизация температурасы ≥600 with. Карбонлаштыруның оптималь мохиты - аргон белән сакланган атмосфера. Вакуум шартларында эшләнсә, вакуум дәрәҗәсе ≤1 Па булырга тиеш.

Карбонлаштыру һәм бәйләү процесслары карбонизацияне түбән температуралы дәвалауны һәм вафер өслегендәге бәйләүче ябыштыргычларны газны ябыштыргычтан чыгару өчен таләп итәләр, карбонизация вакытында бәйләү катламындагы кабык һәм буш кимчелекләрне булдырмыйлар.

Вафер / графит кәгазе өчен бәйләүче ябыштыргыч 25 mPa · s ябышлыгы булырга тиеш, бәйләү басымы ≥15 kN. Бәйләү процессында температура түбән температура диапазонында (<120 ℃) ​​якынча 1,5 сәгать эчендә күтәрелергә тиеш. SiC кристалл үсешен тикшерү расланган SiC орлык кристалларының югары сыйфатлы SiC кристалл үсеше таләпләренә туры килүен раслады, орлык кристалл өслеге һәм явым-төшем юк.