Хәзерге вакытта әзерләү ысулларыSiC каплаунигездә гель-сол ысулы, урнаштыру ысулы, щетка каплау ысулы, плазма сиптерү ысулы, химик парларның реакция ысулы (CVR) һәм химик парларны чүпләү ысулы (CVD) керә.
Урнаштыру ысулы
Бу ысул - югары температуралы каты фазалы синтерингның бер төре, ул нигездә Si порошогы һәм С порошогын порошок итеп куллана, урнаштыраграфит матрицасыурнаштыру порошогында, һәм инерт газында югары температурада синтерлар, һәм ниһаять алаларSiC каплауграфит матрицасы өслегендә. Бу ысул процесста гади, һәм каплау белән матрица яхшы бәйләнгән, ләкин калынлык юнәлеше буенча каплау бердәмлеге начар, һәм күбрәк тишекләр чыгару җиңел, нәтиҗәдә начар оксидлашуга каршы торалар.
Чиста каплау ысулы
Чиста каплау ысулы, нигездә, сыек чималны графит матрицасы өслегендә чистарта, аннары чималны билгеле бер температурада каплый. Бу ысул процесста гади һәм бәясе аз, ләкин кисточка каплау ысулы белән әзерләнгән каплау матрица белән зәгыйфь бәйләнешкә ия, начар каплау бердәмлеге, нечкә каплау һәм түбән оксидлашуга каршы тору, һәм булышу өчен башка ысуллар таләп итә.
Плазманы сиптерү ысулы
Плазманы сиптерү ысулы, нигездә, плазмалы мылтыкны эретелгән яки ярым эретелгән чималны графит субстрат өслегенә сиптерә, аннары ныгыта һәм бәйли. Бу ысул эшләү бик гади һәм чагыштырмача тыгыз әзерләнә алакремний карбид каплау, ләкинкремний карбид каплауБу ысул белән әзерләнгән еш көчле оксидлашуга каршы тору өчен бик зәгыйфь, шуңа күрә ул, гадәттә, каплау сыйфатын яхшырту өчен SiC составлы капламалар әзерләү өчен кулланыла.
Гель-сол ысулы
Гель-сол ысулы, нигездә, субстрат өслеген каплау өчен бердәм һәм үтә күренмәле эремә әзерли, аны гельгә киптерә, аннары каплау өчен синтер. Бу ысул эшләү бик гади һәм аз чыгымлы, ләкин әзерләнгән каплауның түбән җылылык шокына каршы торуы һәм җиңел ярылуы кебек кимчелекләре бар, һәм аларны киң кулланып булмый.
Химик парларның реакция ысулы (CVR)
CVR, нигездә, Si һәм SiO2 порошогын югары температурада кулланып SiO парларын чыгара, һәм C материал субстратында SiC каплавы барлыкка китерү өчен берничә химик реакция барлыкка килә. Бу ысул белән әзерләнгән SiC капламы субстрат белән тыгыз бәйләнгән, ләкин реакция температурасы югары, бәясе дә зур.
Пост вакыты: 24-2024 июнь