-
Ярымүткәргеч җитештерү процессы - Эч технологиясе
Вафинны ярымүткәргечкә әйләндерү өчен йөзләгән процесс кирәк. Иң мөһим процессларның берсе - эфирлау - ягъни вафинга яхшы схема үрнәкләрен ясау. Эшләү процессының уңышы төрле үзгәрешләр белән идарә итүгә бәйле, һәм һәрбер эфир ...Күбрәк укыгыз -
Плазма җайланмаларында фокус боҗралар өчен идеаль материал: Кремний Карбид (SiC)
Плазма эшкәртү җиһазларында керамик компонентлар фокус боҗрасын да кертеп, мөһим роль уйныйлар. Фокус боҗрасы, вафер тирәсендә урнаштырылган һәм аның белән турыдан-туры контактта, боҗрага көчәнеш кулланып плазманы ваферга юнәлтү өчен бик кирәк. Бу унны көчәйтә ...Күбрәк укыгыз -
Алгы сызык (FEOL): нигез салу
Производство линиясенең алгы өлеше нигез салу һәм йорт стеналарын төзү кебек. Ярымүткәргеч җитештерүдә бу этап кремний вафында төп структуралар һәм транзисторлар булдыруны үз эченә ала. FEOL-ның төп адымнары: ...Күбрәк укыгыз -
Кремний карбид бер кристалл эшкәртүнең вафер өслегенең сыйфаты
Ярымүткәргеч электр җайланмалары электр электрон системаларында төп урын били, аеруча ясалма интеллект, 5G элемтә һәм яңа энергия машиналары кебек технологияләрнең тиз үсеше шартларында, алар өчен эш таләпләре ...Күбрәк укыгыз -
SiC үсеше өчен төп материал: Тантал карбид каплавы
Хәзерге вакытта өченче буын ярымүткәргечләрдә кремний карбид өстенлек итә. Devicesайланмаларының бәясе структурасында субстрат 47%, эпитакси 23% тәшкил итә. Икесе якынча 70% тәшкил итә, бу кремний карбид җайланмасы мануфасының иң мөһим өлеше ...Күбрәк укыгыз -
Тантал карбид белән капланган продуктлар материалларның коррозиягә каршы торышын ничек көчәйтәләр?
Тантал карбид каплавы - гадәттә кулланыла торган өслекне эшкәртү технологиясе, ул материалларның коррозиягә каршы торышын сизелерлек яхшырта ала. Танталь карбид капламы субстрат өслегенә химик пар парламенты, физика кебек төрле әзерләү ысуллары ярдәмендә бәйләнергә мөмкин.Күбрәк укыгыз -
Кичә, Фән һәм технология инновацион советы Huazhuo Precision Technology IPO-ны туктатуы турында игълан ясады!
Күптән түгел Кытайда беренче 8 дюймлы СИС лазерлы аннальинг җиһазлары китерелүен игълан иттеләр, бу да ingинхуа технологиясе; Нигә алар материалларны үзләре алып киттеләр? Берничә сүз: Беренчедән, продуктлар төрле! Беренче карашка, аларның нәрсә эшләгәннәрен белмим. Хәзерге вакытта H ...Күбрәк укыгыз -
CVD кремний карбид каплавы-2
CVD кремний карбид каплавы 1. Ни өчен кремний карбид каплавы бар Эпитаксиаль катлам - эпитаксиаль процесс аша вафат нигезендә үскән махсус кристалл нечкә пленка. Субстрат вафер һәм эпитаксиаль нечкә пленка бергәләп эпитаксиаль вафер дип атала. Алар арасында ...Күбрәк укыгыз -
СИС каплауны әзерләү процессы
Хәзерге вакытта SiC каплауны әзерләү ысулларына, нигездә, гель-сол ысулы, урнаштыру ысулы, кисточка каплау ысулы, плазма сиптерү ысулы, химик парларның реакция ысулы (CVR) һәм химик парларны чүпләү ысулы (CVD) керә. Урнаштыру ысулыБу ысул - югары температуралы каты фазаның бер төре ...Күбрәк укыгыз -
CVD Кремний Карбид Каплау-1
CVD SiC химик пар парламенты (CVD) - югары чисталыклы каты материаллар җитештерү өчен кулланылган вакуум чүпләү процессы. Бу процесс ярымүткәргеч җитештерү өлкәсендә вафер өслегендә нечкә фильмнар формалаштыру өчен еш кулланыла. CVD тарафыннан SiC әзерләү процессында субстрат эксп ...Күбрәк укыгыз -
Рентген топологик күзәтү ярдәмендә SiC кристаллындагы дислокация структурасын анализлау
Тикшеренү фоны Кремний карбидының (SiC) куллану әһәмияте: киң полоса ярымүткәргеч материал буларак, кремний карбид үзенең яхшы электр характеристикалары аркасында зур игътибар җәлеп итте (мәсәлән, зуррак тасма, электрон туендыру тизлеге һәм җылылык үткәрүчәнлеге). Бу реклама ...Күбрәк укыгыз -
SiC бер кристалл үсешендә орлык кристаллын әзерләү процессы 3
Verсешне тикшерүСиликон карбид (SiC) орлык кристаллары күрсәтелгән процесс буенча әзерләнде һәм SiC кристалл үсеше аша расланды. Кулланылган үсеш платформасы үзеннән-үзе эшләнгән SiC индукция миче иде, үсеш температурасы 2200 with, 200 Па басым һәм үсү ...Күбрәк укыгыз