-
Эпитакси нәрсә ул?
Күпчелек инженерлар ярымүткәргеч җайланмалар җитештерүдә мөһим роль уйный торган эпитакси белән таныш түгел. Эпитакси төрле чип продуктларында кулланылырга мөмкин, һәм төрле продуктларның эпитакси төрләре бар, шул исәптән Si эпитаксы, SiC эпитаксы, GaN эпитаксы һ.б. Эпитакси нәрсә ул? Эпитакси i ...Күбрәк укыгыз -
SiC мөһим параметрлары нинди?
Кремний карбид (SiC) - зур көчле һәм югары ешлыктагы электрон җайланмаларда киң кулланылган мөһим киң үткәргеч ярымүткәргеч материал. Түбәндә кремний карбид ваферларының төп параметрлары һәм аларның җентекле аңлатмалары: Такталар параметрлары: Игътибар итегез ...Күбрәк укыгыз -
Ни өчен бер кристалл кремнийны әйләндерергә кирәк?
Роллинг кремний бер кристалл таякның тышкы диаметрын бриллиант тарту тәгәрмәче ярдәмендә кирәкле диаметрның бер кристалл таягына тарту, яссы чит белешмә өслеген тарту яки бер кристалл таякның урнаштыру трюкын аңлата. Тышкы диаметрлы сурфак ...Күбрәк укыгыз -
Qualityгары сыйфатлы SiC порошоклары җитештерү процессы
Кремний карбид (SiC) - гадәти булмаган үзенчәлекләре белән билгеле булган органик булмаган кушылма. Табигый рәвештә SiC, moissanite дип аталган, бик сирәк. Промышленность кушымталарында кремний карбид күбесенчә синтетик ысуллар ярдәмендә җитештерелә. Ярымүткәргеч ярымүткәргечтә без алдынгы техниканы кулланабыз ...Күбрәк укыгыз -
Кристалл тарту вакытында радиаль каршылык бердәмлеген контрольдә тоту
Бер кристаллның радиаль каршылыгының бердәмлегенә тәэсир итүче төп сәбәпләр - каты-сыек интерфейсның яссылыгы һәм кристалл үсеше вакытында кечкенә яссылык эффекты Каты-сыек интерфейсның яссылыгы кристалл үсеше вакытында, эретү тигез булса; , ...Күбрәк укыгыз -
Ни өчен магнит кыры бер кристалл мич бер кристаллның сыйфатын яхшырта ала?
Критерий контейнер буларак кулланылганга һәм эчендә конвекция булганлыктан, барлыкка килгән бер кристаллның зурлыгы арта, җылылык конвекциясе һәм температураның градиент бердәмлеген контрольдә тоту кыенлаша. Лоренц көчендә үткәргеч эретү акты ясау өчен магнит кырын өстәп, конвекция булырга мөмкин ...Күбрәк укыгыз -
Сублимация ысулы белән CVD-SiC күп чыганак кулланып SiC бер кристаллларның тиз үсүе
SiC бер кристаллның тиз үсүе Сублимация методы аша CVD-SiC күпчелек чыганакны кулланып, эшкәртелгән CVD-SiC блокларын SiC чыганагы итеп кулланып, SiC кристаллары PVT ысулы ярдәмендә 1,46 мм / с тизлектә уңышлы үстерелде. Cryскән кристаллның микропипасы һәм урнашу тыгызлыгы шуны күрсәтә ...Күбрәк укыгыз -
Кремний карбид эпитаксиаль үсеш җиһазларында оптимальләштерелгән һәм тәрҗемә ителгән эчтәлек
Кремний карбид (SiC) субстратларында турыдан-туры эшкәртүгә комачаулаган күп кимчелекләр бар. Чип ваферларын булдыру өчен, эпитаксиаль процесс аша SiC субстратында билгеле бер кристалл фильм үстерелергә тиеш. Бу фильм эпитаксиаль катлам дип атала. Барлык диярлек SiC җайланмалары эпитаксиальдә тормышка ашырыла ...Күбрәк укыгыз -
Ярымүткәргеч җитештерүдә SiC белән капланган графит сусепторларының мөһим роле һәм куллану очраклары
Ярымүткәргеч ярымүткәргеч җитештерү җиһазлары өчен төп компонентлар җитештерүне арттырырга уйлый. 2027 елга без 20 000 квадрат метрлы яңа завод булдырырга уйлыйбыз, гомуми инвестициясе 70 миллион АКШ доллары. Безнең төп компонентларның берсе, кремний карбид (SiC) вафер карр ...Күбрәк укыгыз -
Ни өчен безгә кремний вафер субстратларында эпитакси эшләргә кирәк?
Ярымүткәргеч индустрия чылбырында, аеруча өченче буын ярымүткәргечтә (киң үткәргеч ярымүткәргеч) индустрия чылбырында субстратлар һәм эпитаксиаль катламнар бар. Эпитаксиаль катламның мәгънәсе нинди? Субстрат белән субстрат арасында нинди аерма бар? Субстр ...Күбрәк укыгыз -
Ярымүткәргеч җитештерү процессы - Эч технологиясе
Вафинны ярымүткәргечкә әйләндерү өчен йөзләгән процесс кирәк. Иң мөһим процессларның берсе - эфирлау - ягъни вафинга яхшы схема үрнәкләрен ясау. Эшләү процессының уңышы төрле үзгәрешләр белән идарә итүгә бәйле, һәм һәрбер эфир ...Күбрәк укыгыз -
Плазма җайланмаларында фокус боҗралар өчен идеаль материал: Кремний Карбид (SiC)
Плазма эшкәртү җиһазларында керамик компонентлар фокус боҗрасын да кертеп, мөһим роль уйныйлар. Фокус боҗрасы, вафер тирәсендә урнаштырылган һәм аның белән турыдан-туры контактта, боҗрага көчәнеш кулланып плазманы ваферга юнәлтү өчен бик кирәк. Бу унны көчәйтә ...Күбрәк укыгыз