Яңалыклар

  • Тантал Карбид нәрсә ул?

    Тантал Карбид нәрсә ул?

    Тантал карбид (TaC) - тантал һәм углеродның икеләтә кушылмасы, TaC x химик формуласы белән, монда x гадәттә 0,4 белән 1 арасында үзгәрә. Алар бик каты, ватык, металл үткәрүчәнлеге белән керамик материаллар. Алар коңгырт-соры порошоклар һәм без ...
    Күбрәк укыгыз
  • тантал карбид нәрсә ул

    тантал карбид нәрсә ул

    Тантал карбид (TaC) - югары температурага каршы тору, югары тыгызлык, югары компактлы ультра югары температуралы керамик материал; югары чисталык, пычраклык эчтәлеге <5PPM; һәм югары температурада аммиак һәм водородка химик инерция, һәм яхшы җылылык тотрыклылыгы. Ультра биек дип аталган ...
    Күбрәк укыгыз
  • Эпитакси нәрсә ул?

    Эпитакси нәрсә ул?

    Күпчелек инженерлар эпитакси белән таныш түгел, алар ярымүткәргеч җайланмалар җитештерүдә мөһим роль уйныйлар. Эпитакси төрле чип продуктларында кулланылырга мөмкин, һәм төрле продуктларның төрле эпитакси төрләре бар, шул исәптән Si эпитаксы, SiC эпитаксы, GaN эпитаксы һ.б. Эпитакси нәрсә ул? Эпитакси ...
    Күбрәк укыгыз
  • SiC мөһим параметрлары нинди?

    SiC мөһим параметрлары нинди?

    Кремний карбид (SiC) - зур көчле һәм югары ешлыктагы электрон җайланмаларда киң кулланылган мөһим киң үткәргеч ярымүткәргеч материал. Түбәндә кремний карбид ваферларының төп параметрлары һәм аларның җентекле аңлатмалары: Такталар параметрлары: Игътибар итегез ...
    Күбрәк укыгыз
  • Ни өчен бер кристалл кремнийны әйләндерергә кирәк?

    Ни өчен бер кристалл кремнийны әйләндерергә кирәк?

    Роллинг кремний бер кристалл таякның тышкы диаметрын бриллиант тарту тәгәрмәче ярдәмендә кирәкле диаметрның бер кристалл таягына тарту, яссы чит белешмә өслеген тарту яки бер кристалл таякның урнаштыру трюкын аңлата. Тышкы диаметр сурфак ...
    Күбрәк укыгыз
  • Qualityгары сыйфатлы SiC порошоклары җитештерү процессы

    Qualityгары сыйфатлы SiC порошоклары җитештерү процессы

    Кремний карбид (SiC) - гадәти булмаган үзенчәлекләре белән билгеле булган органик булмаган кушылма. Табигый рәвештә SiC, moissanite дип аталган, бик сирәк. Промышленность кушымталарында кремний карбид күбесенчә синтетик ысуллар ярдәмендә җитештерелә. Ярымүткәргеч ярымүткәргечтә без алдынгы техниканы кулланабыз ...
    Күбрәк укыгыз
  • Кристалл тарту вакытында радиаль каршылык бердәмлеген контрольдә тоту

    Кристалл тарту вакытында радиаль каршылык бердәмлеген контрольдә тоту

    Бер кристаллның радиаль каршылыгының бердәмлегенә тәэсир итүче төп сәбәпләр - каты-сыек интерфейсның яссылыгы һәм кристалл үсеше вакытында кечкенә яссылык эффекты Каты-сыек интерфейсның яссылыгы кристалл үсеше вакытында, эретү тигез булса; , ...
    Күбрәк укыгыз
  • Ни өчен магнит кыры бер кристалл мич бер кристаллның сыйфатын яхшырта ала?

    Ни өчен магнит кыры бер кристалл мич бер кристаллның сыйфатын яхшырта ала?

    Критерий контейнер буларак кулланылганга һәм эчендә конвекция булганлыктан, барлыкка килгән бер кристаллның зурлыгы арта, җылылык конвекциясе һәм температураның градиент бердәмлеген контрольдә тоту кыенлаша. Лоренц көчендә үткәргеч эретү акты ясау өчен магнит кырын өстәп, конвекция булырга мөмкин ...
    Күбрәк укыгыз
  • Сублимация ысулы белән CVD-SiC күп чыганак кулланып SiC бер кристаллларның тиз үсүе

    Сублимация ысулы белән CVD-SiC күп чыганак кулланып SiC бер кристаллларның тиз үсүе

    SiC бер кристаллның тиз үсүе Сублимация методы аша CVD-SiC күпчелек чыганакны кулланып, эшкәртелгән CVD-SiC блокларын SiC чыганагы итеп кулланып, SiC кристаллары PVT ысулы ярдәмендә 1,46 мм / с тизлектә уңышлы үстерелде. Cryскән кристаллның микропипасы һәм дислокация тыгызлыгы шуны күрсәтә ...
    Күбрәк укыгыз
  • Кремний карбид эпитаксиаль үсеш җиһазларында оптимальләштерелгән һәм тәрҗемә ителгән эчтәлек

    Кремний карбид эпитаксиаль үсеш җиһазларында оптимальләштерелгән һәм тәрҗемә ителгән эчтәлек

    Кремний карбид (SiC) субстратларында турыдан-туры эшкәртүгә комачаулаган күп кимчелекләр бар. Чип ваферларын булдыру өчен, эпитаксиаль процесс аша SiC субстратында билгеле бер кристалл фильм үстерелергә тиеш. Бу фильм эпитаксиаль катлам дип атала. Барлык диярлек SiC җайланмалары эпитаксиальдә тормышка ашырыла ...
    Күбрәк укыгыз
  • Ярымүткәргеч җитештерүдә SiC белән капланган графит сусепторларының мөһим роле һәм куллану очраклары

    Ярымүткәргеч җитештерүдә SiC белән капланган графит сусепторларының мөһим роле һәм куллану очраклары

    Ярымүткәргеч ярымүткәргеч җитештерү җиһазлары өчен төп компонентлар җитештерүне арттырырга уйлый. 2027 елга без 20 000 квадрат метрлы яңа завод булдырырга уйлыйбыз, гомуми инвестициясе 70 миллион АКШ доллары. Безнең төп компонентларның берсе, кремний карбид (SiC) вафер карр ...
    Күбрәк укыгыз
  • Ни өчен безгә кремний вафер субстратларында эпитакси эшләргә кирәк?

    Ни өчен безгә кремний вафер субстратларында эпитакси эшләргә кирәк?

    Ярымүткәргеч индустрия чылбырында, аеруча өченче буын ярымүткәргечтә (киң үткәргеч ярымүткәргеч) индустрия чылбырында субстратлар һәм эпитаксиаль катламнар бар. Эпитаксиаль катламның мәгънәсе нинди? Субстрат белән субстрат арасында нинди аерма бар? Субстр ...
    Күбрәк укыгыз