Ярымүткәргеч индустриясе, бигрәк тә, күрелмәгән үсешнең шаһитыкремний карбид (SiC)Электроника. Күп масштаблываферЭлектр машиналарында SiC җайланмаларына булган ихтыяҗны канәгатьләндерү өчен төзелеш яки киңәйтү фаблары, бу күтәрелеш табыш үсеше өчен искиткеч мөмкинлекләр бирә. Ләкин ул шулай ук инновацион чишелешләр таләп итә торган уникаль проблемалар китерә.
Глобаль SiC чип җитештерүне арттыру үзәгендә югары сыйфатлы SiC кристалллары, ваферлар һәм эпитаксиаль катламнар җитештерү тора. Монда,ярымүткәргеч класслы графитSiC кристалл үсешен һәм SiC эпитаксиаль катламнарын чүпләүне җиңеләйтүче материаллар төп роль уйныйлар. Графитның җылылык изоляциясе һәм инерция аны өстенлекле материалга әйләндерә, кристаллларда, пьедесталларда, планета дискларында, спутникларда кристалл үсеше һәм эпитакси системаларында киң кулланыла. Шуңа да карамастан, катлаулы процесс шартлары зур проблема тудыра, графит компонентларының тиз деградациясенә китерә һәм соңыннан югары сыйфатлы SiC кристаллары һәм эпитаксиаль катламнар җитештерүгә комачаулый.
Кремний карбид кристалллары җитештерү бик катлаулы процесс шартларына китерә, шул исәптән температура 2000 ° C тан артык һәм коррозив газ матдәләре. Бу еш кына берничә процесс циклыннан соң графит крестикларның тулы коррозиясенә китерә, шуның белән җитештерү чыгымнары арта. Моннан тыш, катлаулы шартлар графит компонентларының өслек үзлекләрен үзгәртә, җитештерү процессының кабатлануына һәм тотрыклылыгына зыян китерә.
Бу проблемаларга эффектив каршы тору өчен, саклагыч каплау технологиясе уен алмаштыручы булып барлыкка килде. Нигездә саклагыч каплаулартантал карбид (TaC)графит компонентының деградациясе һәм графит белән тәэмин итү кытлыгы проблемаларын чишү өчен кертелде. TaC материаллары 3800 ° C тан артык эретү температурасын һәм химик каршылыкны күрсәтәләр. Химик пар парламенты (CVD) технологиясен куллану,TaC каплауларыкалынлыгы 35 миллиметрга кадәр графит компонентларына бербөтен итеп урнаштырырга мөмкин. Бу саклагыч катлам материаль тотрыклылыкны арттырмыйча, графит компонентларының гомер озынлыгын да киңәйтә, нәтиҗәдә җитештерү чыгымнарын киметә һәм оператив эффективлыкны күтәрә.
Семицера, әйдәп баручы тәэмин итүчеTaC каплаулары, ярымүткәргеч индустриясен революцияләүдә мөһим роль уйный. Семицера үзенең заманча технологиясе һәм сыйфатка нык торуы белән ярымүткәргеч җитештерүчеләргә критик проблемаларны җиңәргә һәм яңа уңышларга ирешергә мөмкинлек бирде. Тиңдәш булмаган җитештерүчәнлек һәм ышанычлылык белән TaC капламаларын тәкъдим итеп, Semicera бөтен дөнья ярымүткәргеч компанияләре өчен ышанычлы партнер буларак позициясен ныгытты.
Ахырда, инновацияләр белән эшләнгән саклагыч каплау технологиясеTaC каплауларыСемицерадан, ярымүткәргеч пейзажын үзгәртә һәм нәтиҗәлерәк һәм тотрыклы киләчәккә юл ача.
Пост вакыты: 16-2024 май