Плазма җайланмаларында фокус боҗралар өчен идеаль материал: Кремний Карбид (SiC)

Плазма эшкәртү җиһазларында керамик компонентлар мөһим роль уйныйларфокус боҗрасы..Әр сүзнең фокус боҗрасы, вафин тирәсенә урнаштырылган һәм аның белән турыдан-туры бәйләнештә, боҗрага көчәнеш кулланып плазманы ваферга юнәлтү өчен бик кирәк. Бу эфир процессының бердәмлеген арттыра.

SiC фокус боҗраларын эшкәртү машиналарында куллану

SiC CVD компонентларыкебек машиналардафокус боҗралары, газ душлары, тәлинкәләр, кырый боҗралар, SiC-ның хлор һәм фтор нигезендәге эфир газлары белән реактивлыгы түбән булганга, аны үткәрүчәнлеге өстенлек бирә, аны плазма эфир җиһазлары өчен идеаль материал итә.

Фокус боҗрасы турында

Фокус боҗра материалы буларак SiC өстенлекләре

Вакуум реакция камерасында плазмага турыдан-туры тәэсир итү сәбәпле, фокус боҗралары плазмага чыдам материаллардан ясалырга тиеш. Кремний яки кварцтан ясалган традицион фокус боҗралары фтор нигезендәге плазмаларда начар эфирга каршы торалар, тиз коррозиягә һәм эффективлыкның кимүенә китерәләр.

Si һәм CVD SiC фокус боҗралары арасында чагыштыру:

1. Higherгары тыгызлык:Эфир күләмен киметә.

2. Киң бандгап: Искиткеч изоляция бирә.

    3. Highгары җылылык үткәрүчәнлеге һәм түбән киңәю коэффициенты: Rылылык шокына чыдам.

    4. Highгары эластиклык:Механик тәэсиргә яхшы каршылык.

    5. Hardгары катылык: Киегез һәм коррозиягә чыдам.

SiC кремнийның электр үткәрүчәнлеген бүлешә, шул ук вакытта ион эшкәртүгә өстен каршылык тәкъдим итә. Интеграль схема миниатюризация үсә барган саен, эффектив эшкәртү процессларына сорау арта. Плазманы эшкәртү җайланмалары, аеруча сыйдырышлы кушылган плазманы (CCP) кулланучылар, плазма энергиясен ясауны таләп итәләрSiC фокус боҗраларыкөннән-көн популярлаша.

Si һәм CVD SiC Фокус боҗра параметрлары:

Параметр

Кремний (Si)

CVD Кремний Карбид (SiC)

Тыгызлыгы (г / см³)

2.33

3.21

Band Gap (eV)

1.12

2.3

Rылылык үткәрүчәнлеге (W / см ° C)

1.5

5

Rылылык киңәйтү коэффициенты (x10⁻⁶ / ° C)

2.6

4

Эластик модуль (GPa)

150

440

Катылык

Түбән

Higherгары

 

SiC фокус боҗраларын җитештерү процессы

Ярымүткәргеч җиһазларда CVD (Химик пар парламенты) гадәттә SiC компонентларын җитештерү өчен кулланыла. Фокус боҗралар SiC-ны пар формасы аша махсус формаларга куеп җитештерәләр, аннары соңгы продуктны формалаштыру өчен механик эшкәртү. Парны чүпләү өчен матди катнашу киң эксперименттан соң билгеләнә, каршылык кебек параметрларны эзлекле итә. Ләкин, төрле чистарту җиһазлары төрле каршылыклы фокус боҗралар таләп итә ала, һәр спецификация өчен яңа материал катнашы экспериментларын таләп итә, бу күп вакыт һәм кыйммәт.

СайлапSiC фокус боҗраларыданЯрымүткәргеч, клиентлар озынрак алмаштыру циклларының өстенлекләренә һәм бәянең сизелерлек артуыннан өстен күрсәткечләргә ирешә ала.

Тиз җылылык эшкәртү (РТП) компонентлары

CVD SiC-ның махсус җылылык үзлекләре аны RTP кушымталары өчен идеаль итә. РТП компонентлары, шул исәптән кыр боҗралары һәм тәлинкәләр, CVD SiC файдасына. РТП вакытында көчле җылылык импульслары кыска вакыт эчендә аерым ваферларга кулланыла, аннары тиз суыту. CVD SiC кырый боҗралары, нечкә һәм аз җылылык массасы булган, зур җылылыкны сакламыйлар, аларны тиз җылыту һәм суыту процесслары тәэсир итмиләр.

Плазма эфир компонентлары

CVD SiC-ның югары химик каршылыгы аны куллану өчен яраклы итә. Күпчелек камералар CVD SiC газ тарату тәлинкәләрен кулланалар, плазма дисперсиясе өчен меңләгән кечкенә тишекләр булган эфир газларын тараталар. Альтернатив материаллар белән чагыштырганда, CVD SiC хлор һәм фтор газлары белән түбән реактивлыкка ия. Коры эфирда фокус боҗралары, ICP тәлинкәләре, чик боҗралары, душ башлары кебек CVD SiC компонентлары еш кулланыла.

SiC фокус боҗралары, плазма фокусы өчен кулланылган көчәнеш белән, җитәрлек үткәрүчәнлеккә ия булырга тиеш. Гадәттә кремнийдан ясалган, фокус боҗралары фтор һәм хлор булган реактив газларга тәэсир итәләр, бу котылгысыз коррозиягә китерә. SiC фокус боҗралары, коррозиягә каршы торулары белән, кремний боҗралары белән чагыштырганда озын гомер озынлыгын тәкъдим итәләр.

Тормыш циклын чагыштыру:

· SiC Фокус боҗралары:15-20 көн саен алыштырыла.
Кремний фокус боҗралары:10-12 көн саен алыштырыла.

SiC боҗралары кремний боҗраларына караганда 2-3 тапкыр кыйммәтрәк булуына карамастан, киңәйтелгән алмаштыру циклы компонентны алыштыру чыгымнарын киметә, чөнки палата фокус боҗрасын алыштыру өчен камера ачылганда берьюлы алыштырыла.

Ярымүткәргечнең SiC фокус боҗралары

Ярымүткәргеч ярымүткәргеч SiC фокус боҗраларын кремний боҗраларына якын бәядә тәкъдим итә, якынча 30 көн. Semicera's SiC фокус боҗраларын плазма эшкәртү җайланмаларына интеграцияләп, эффективлык һәм озын гомер сизелерлек яхшыра, гомуми чыгымнарны киметә һәм җитештерү нәтиҗәлелеген күтәрә. Өстәвенә, Semicera фокус боҗраларның каршылыгын махсус клиент таләпләренә туры китерә ала.

Semicera ярымүткәргечтән SiC фокус боҗраларын сайлап, клиентлар озынрак алмаштыру циклларының өстенлекләренә һәм бәянең сизелерлек артуыннан өстенрәк эшли алалар.

 

 

 

 

 

 


Пост вакыты: Июль-10-2024