Алгы сызык (FEOL): нигез салу

Ярымүткәргеч җитештерү линияләренең алгы, урта һәм арткы очлары

Ярымүткәргеч җитештерү процессын якынча өч этапка бүлеп була:
1) Сызыкның алгы өлеше
2) Сызыкның уртасы
3) Арткы оч

Чип җитештерүнең катлаулы процессын өйрәнү өчен без йорт төзү кебек гади аналогия куллана алабыз:

Производство линиясенең алгы өлеше нигез салу һәм йорт стеналарын төзү кебек. Ярымүткәргеч җитештерүдә бу этап кремний вафында төп структуралар һәм транзисторлар булдыруны үз эченә ала.

FEOL-ның төп адымнары:

1. Чистарту: Нечкә кремний вафиннан башлап, пычракларны бетерү өчен чистартыгыз.
2. Оксидация: чипның төрле өлешләрен изоляцияләү өчен вафинда кремний диоксиды катламын үстерегез.
3.Фотолитография: фотолитографияне кулланыгыз, вафинга үрнәкләрне эфирга куегыз, яктылык белән план төзергә охшаган.
4. Эшләү: Кирәк булмаган үрнәкләрне ачу өчен кирәкмәгән кремний газын чыгарыгыз.
5.Допинг: Электр үзлекләрен үзгәртү өчен кремнийга пычраклар кертегез, транзисторлар, теләсә нинди чипның төп блоклары.

Сызыкның урта ахыры (MEOL): Нокталарны тоташтыру

Productionитештерү линиясенең уртасы өйгә чыбык һәм сантехника кую кебек. Бу этап FEOL этапында ясалган транзисторлар арасында бәйләнеш урнаштыруга юнәлтелгән.

MEOL-ның төп адымнары:

1.Диэлектрик чүпләү: Транзисторларны саклау өчен изоляцион катламнарны (диэлектрик дип атыйлар).
2. Контакт формалашуы: транзисторларны бер-берсенә һәм тышкы дөньяга тоташтыру өчен контактлар формалаштырыгыз.
3.Бер бәйләнеш: Электр сигналлары өчен юллар булдыру өчен металл катламнар өстәгез, электр чыбыкларын һәм мәгълүмат агымын тәэмин итү өчен.

Арткы сызык (BEOL): Тәмамлау

Productionитештерү линиясенең арткы очлары өйгә соңгы кагылуларны өстәгәнгә охшаган - җиһазлар кую, буяу, һәм барысы да эшләвен тәэмин итү. Ярымүткәргеч җитештерүдә бу этап соңгы катламнарны өстәргә һәм чипны төрергә әзерли.

BEOL-ның төп адымнары:

1. Өстәмә металл катламнары: үзара бәйләнешне көчәйтү өчен берничә металл катлам өстәгез, чип катлаулы эшләрне һәм югары тизлекне эшли ала.
2.Пассивация: Чипны экологик зыяннан саклау өчен саклагыч катламнар кулланыгыз.
3. Тестлау: Чипны барлык спецификацияләргә туры килүен тикшерү өчен каты сынауга бирегез.
4. Бәяләү: Ваферны аерым чипларга кисегез, аларның һәрберсе төрергә һәм электрон җайланмаларда кулланырга әзер.

Semicera - Кытайда әйдәп баручы OEM җитештерүче, безнең клиентларга гаҗәеп кыйммәт бирергә багышланган. Без югары сыйфатлы продуктлар һәм хезмәтләр спектрын тәкъдим итәбез, шул исәптән:

1.CVD SiC каплау(Эпитакси, махсус CVD белән капланган өлешләр, ярымүткәргеч кушымталары өчен югары җитештерүчәнлек һәм башкалар)
2.CVD SiC күпчелек өлешләре(Эч боҗралары, фокус боҗралары, ярымүткәргеч җиһазлары өчен махсус SiC компонентлары һәм башкалар)
3.CVD TaC капланган өлешләр(Эпитакси, SiC ваферы үсеше, югары температуралы кушымталар һәм башкалар)
4.Графит өлешләре(Графит көймәләре, югары температураны эшкәртү өчен махсус графит компонентлары һәм башкалар)
5.SiC өлешләре(SiC көймәләре, SiC мич торбалары, алдынгы материал эшкәртү өчен махсус SiC компонентлары һәм башкалар)
6.Кварц өлешләре(Кварц көймәләре, ярымүткәргеч һәм кояш сәнәгате өчен махсус кварц өлешләре һәм башкалар)

Excellгары дәрәҗәгә омтылуыбыз төрле тармаклар өчен инновацион һәм ышанычлы карарлар белән тәэмин итүне тәэмин итә, шул исәптән ярымүткәргеч җитештерү, материалларны эшкәртү, югары технологияле кушымталар. Төгәллеккә һәм сыйфатка игътибар итеп, без һәр клиентның уникаль ихтыяҗларын канәгатьләндерүгә багышланабыз.