Кремний карбид (SiC) вафер көймәләреярымүткәргеч индустриясендә мөһим роль уйный, югары сыйфатлы электрон җайланмалар җитештерүне җиңеләйтә. Бу мәкалә искиткеч үзенчәлекләргә керәSiC вафер көймәләре, аларның гаҗәеп көченә һәм катылыгына игътибар итәләр, һәм ярымүткәргеч индустриясе үсешенә булышлык күрсәтәләр.
АңлауКремний Карбид Вафер көймәләре:
Кремний карбид вафер көймәләре, шулай ук SiC көймәләре, ярымүткәргечләр җитештерү процессында кулланыла торган мөһим компонентлар. Бу көймәләр ярымүткәргеч җитештерүнең төрле этапларында кремний ваферлары өчен ташучы булып хезмәт итә, мәсәлән, чистарту, диффузия. SiC вафер көймәләре традицион графит көймәләренә караганда өстенрәк.
Тиңдәш булмаган көч:
Күрсәтелгән үзенчәлекләрнең берсеSiC вафер көймәләреаларның гаҗәеп көче. Кремний карбид югары флексур көчкә ия, көймәләргә ярымүткәргеч җитештерү процессларының таләпчән шартларына каршы торырга мөмкинлек бирә. SiC көймәләре югары температурага, механик стрессларга, коррозив мохиткә структур бөтенлеген бозмыйча түзә ала. Бу ныклык кремний вафиннарны куркынычсыз ташуны һәм эшкәртүне тәэмин итә, җитештерү вакытында ватылу һәм пычрану куркынычын киметә.
Сокландыргыч катылык:
Тагын бер күренекле характеристикаSiC вафер көймәләреаларның югары катылыгы. Кремний карбидында Mohs катылыгы 9,5, ул кешегә билгеле булган иң катлаулы материалларның берсе. Бу гадәттән тыш каты SiC көймәләрен искиткеч киемгә каршы тора, алар йөрткән кремний вафаларга тырнау яки зыян китермәсен. SiC катылыгы шулай ук көймәләрнең озын гомеренә ярдәм итә, чөнки алар ярымүткәргеч җитештерү процессларында эзлекле эшне һәм ышанычлылыкны тәэмин итеп, кием билгеләре булмаган озак куллануга каршы тора алалар.
Графит көймәләренең өстенлекләре:
Традицион графит көймәләре белән чагыштырганда,кремний карбид вафер көймәләреберничә өстенлек тәкъдим итегез. Графит көймәләр югары температурада оксидлашуга һәм деградациягә бирелергә мөмкин, SiC көймәләре җылылык деградациясенә һәм оксидлашуга өстен каршылык күрсәтәләр. Моннан тыш,SiC вафер көймәләреграфит көймәләренә караганда җылылык киңәю коэффициенты түбән, температураның үзгәрү вакытында җылылык стрессы һәм деформация куркынычын киметә. SiC көймәләренең югары көче һәм каты булуы аларны ватырга һәм тузарга азрак китерә, нәтиҗәдә эш вакыты кими һәм ярымүткәргеч җитештерүдә җитештерүчәнлек арта.
Йомгаклау:
Кремний карбид вафер көймәләре, мактаулы көче һәм катылыгы белән, ярымүткәргеч тармагында алыштыргысыз компонентлар булып барлыкка килделәр. Аларның катлаулы шартларга каршы тора алулары, өстен киемгә каршы торулары, җитештерү процессларында кремний вафиннарның куркынычсыз эшләвен тәэмин итә. SiC вафин көймәләре ярымүткәргеч сәнәгатенең үсешен һәм инновациясен этәрүдә мөһим роль уйныйлар.
Пост вакыты: 15-2024 апрель