Беренчедән, поликристалл кремнийны һәм допантларны бер кристалл мичендә круцка салыгыз, температураны 1000 градустан арттырыгыз, һәм эретелгән хәлдә поликристалл кремний алыгыз.
Кремний ингот үсеше - поликристалл кремнийны бер кристалл кремнийга әйләндерү процессы. Поликристалл кремний сыеклыкка җылытылганнан соң, югары сыйфатлы бер кристаллга үсү өчен җылылык мохите төгәл контрольдә тотыла.
Бәйләнешле төшенчәләр:
Бер кристалл үсеше:Поликристалл кремний эремәсе температурасы тотрыклы булганнан соң, орлык кристалл кремний эретүенә әкренләп төшә (орлык кристалл шулай ук кремний эрүдә эретеләчәк), аннары орлык кристалллары орлык өчен билгеле тизлектә күтәрелә. процесс. Аннары, орлык процессы вакытында барлыкка килгән урыннар муен операциясе аша бетерелә. Муен җитәрлек озынлыкка кысылганда, бер кристалл кремнийның диаметры тарту тизлеген һәм температурасын көйләп максатчан кыйммәткә кадәр киңәйтелә, аннары тигез диаметр максатчан озынлыкка кадәр саклана. Ниһаять, урнашу артка сузылмасын өчен, бер кристалл ингот әзер кристалл инготны алу өчен тәмамлана, аннары температура суытылганнан соң чыгарыла.
Бер кристалл кремний әзерләү ысуллары:CZ ысулы һәм FZ ысулы. CZ ысулы кыскартылган CZ ысулы. CZ ысулының характеристикасы шунда: ул туры цилиндрлы җылылык системасында кыскача ясала, графит каршылык җылыту ярдәмендә поликристалл кремнийны эретеп чистартылган кварцта эретеп, аннары орлык кристаллын эретеп ябыштыру өчен эретү өслегенә кертә. орлык кристаллын әйләндерү, аннары кристаллны кире кайтару. Орлык кристалллары әкрен генә өскә күтәрелә, һәм орлык, зурайту, җилкә әйләнеше, диаметрның тигез үсүе һәм койрыклау процессларыннан соң бер кристалл кремний алына.
Зонаны эретү ысулы - поликристалл инготларны төрле өлкәләрдә ярымүткәргеч кристалларын эретү һәм кристаллаштыру ысулы. Rылылык энергиясе ярымүткәргеч чыбыкның бер очында эретү зонасын булдыру өчен кулланыла, аннары бер кристалл орлык кристаллын эретәләр. Эретү зонасын әкрен генә таякның икенче очына күчерү өчен температура көйләнә, һәм бөтен таяк аша бер кристалл үсә, һәм кристалл ориентациясе орлык кристаллына охшаш. Зонаны эретү ысулы ике төргә бүленә: горизонталь зонаны эретү ысулы һәм вертикаль асма зонасын эретү ысулы. Соңгысы, нигездә, германий һәм GaA кебек материалларны чистарту һәм бер кристалл үсеше өчен кулланыла. Соңгысы - атмосферада яки вакуум мичтә югары ешлыктагы кәтүк куллану, бер кристалл орлык кристалл белән аның өстендә асылган поликристалл кремний таягы арасындагы контактта эретелгән зона тудыру, аннары эретелгән зонаны өскә күчерү. кристалл.
Кремний вафиннарның якынча 85% Чохральски ысулы белән, һәм кремний вафаларның 15% зонаны эретү ысулы белән җитештерелә. Кушымта буенча, Чохральски ысулы белән үстерелгән бер кристалл кремний, нигездә, интеграль схема компонентларын җитештерү өчен кулланыла, ә зонаны эретү ысулы белән үскән бер кристалл кремний, нигездә, ярымүткәргечләр өчен кулланыла. Чохральски ысулы җитлеккән процесска ия һәм зур диаметрлы бер кристалл кремнийны үстерү җиңелрәк. зонаны эретү ысулы контейнер белән элемтәгә керми, пычрану җиңел түгел, чисталыгы югарырак, һәм көчле электрон җайланмалар җитештерү өчен яраклы, ләкин зур диаметрлы бер кристалл кремний үстерү авыррак, һәм гадәттә диаметры 8 дюйм яки аннан да азрак кулланыла. Видео Чохральски ысулын күрсәтә.
Бер кристаллны тарту процессында бер кристалл кремний таякның диаметрын контрольдә тоту кыенлыгы аркасында, 6 дюйм, 8 дюйм, 12 дюйм һ.б. стандарт диаметрлы кремний чыбыкларын алу өчен. кристалл, кремний инготның диаметры әйләнәчәк һәм җиргә әйләнәчәк. Кремний таягы әйләнгәннән соң өслеге шома һәм зурлыгы хата кечерәк.
Заманча чыбык кисү технологиясен кулланып, бер кристалл ингот кисү җайланмалары аша тиешле калынлыктагы кремний вафаларга киселә.
Кремний вафинының кечкенә калынлыгы аркасында, киселгәннән соң кремний вафиның кыры бик үткен. Кырый тартуның максаты - шома кыр формалаштыру һәм киләчәктә чип җитештерүдә җиңел түгел.
LAPPING - авыр сайлау тәлинкәсе белән аскы кристалл тәлинкә арасына вафер өстәү, һәм басым куллану һәм ваферны яссы итәр өчен абразив белән әйләндерү.
Чистарту - вафинның өске зыянын бетерү процессы, һәм физик эшкәртү аркасында зарарланган өслек катламы химик эремә белән эретелә.
Ике яклы тарту - ваферны ялагайландыру һәм өслектә кечкенә чыгу урыннары.
РТП - вафинны берничә секунд эчендә тиз җылыту процессы, шуңа күрә ваферның эчке кимчелекләре бертөрле, металл пычраклар басыла, һәм ярымүткәргечнең гадәти булмаган эше булдырылмый.
Оештыру - өслекне төгәл эшкәртү аша өслекнең тигезлеген тәэмин итүче процесс. Тиешле температура, басым һәм әйләнү тизлеге белән берләштерелгән эретеп ябыштыручы тукыманы куллану, алдагы процесс калдырган механик зыян катламын бетерә ала һәм искиткеч өслек яссылыгы белән кремний вафаларын ала ала.
Чистартуның максаты - кремний вафаты өслегендә калган органик матдәләрне, кисәкчәләрне, металлларны һ.б. бетерү, кремний вафин өслегенең чисталыгын тәэмин итү һәм алдагы процессның сыйфат таләпләренә туры килү.
Тигезлек һәм каршылык сынаучы кремний вафинны чистартканнан һәм чистартканнан соң ачыклый, калынлык, яссылык, җирле яссылык, кәкрелек, сугыш бите, каршылык һ.б.
Кисәк санау - вафер өслеген төгәл тикшерү процессы, һәм өслек җитешсезлекләре һәм саны лазер таралуы белән билгеләнә.
EPI GROWING - парлы фазалы химик чүпләү белән чистартылган кремний вафаларында югары сыйфатлы кремний бер кристалл фильмнарны үстерү процессы.
Бәйләнешле төшенчәләр:Эпитаксиаль үсеш: билгеле бер таләпләр булган бер кристалл катламның үсешен һәм бер кристалл субстраттагы субстратның бер үк кристалл ориентациясен, бүлек өчен тышка сузылган оригиналь кристалл кебек. Эпитаксиаль үсеш технологиясе 1950 нче еллар ахыры һәм 1960 нчы еллар башында эшләнгән. Ул вакытта, югары ешлыклы һәм югары көчле җайланмалар җитештерү өчен, коллектор серияләренең каршылыгын киметергә кирәк иде, һәм материал югары көчәнешкә һәм югары токка каршы торырга тиеш иде, шуңа күрә нечкә биек үсәргә кирәк иде- түбән каршылыклы субстратта эпитаксиаль катлам. Эпитаксиаль рәвештә үскән яңа бер кристалл катлам үткәрүчәнлек төре, каршылык һ.б. ягыннан субстраттан аерылып торырга мөмкин, һәм төрле калынлыктагы һәм таләпле күп катлы бер кристалллар да үстерелергә мөмкин, шуның белән җайланма дизайнының сыгылмалылыгын яхшырта. җайланманың эшләнеше.
Пакетлау - соңгы квалификацияле продуктларның упаковкасы.
Пост вакыты: Ноябрь-05-2024