1. Нигә акремний карбид каплау
Эпитаксиаль катлам - эпитаксиаль процесс аша вафер нигезендә үскән билгеле бер кристалл нечкә пленка. Субстрат вафер һәм эпитаксиаль нечкә пленка бергәләп эпитаксиаль вафер дип атала. Алар арасындакремний карбид эпитаксиалыкатлам үткәргеч кремний карбид субстратында кремний карбид бер тигез эпитаксиаль вафер алу өчен үстерелә, ул алга таба Шоттки диодлары, MOSFETлар һәм IGBTлар кебек электр җайланмаларына ясалырга мөмкин. Алар арасында иң киң кулланылган 4H-SiC субстрат.
Барлык җайланмалар да эпитаксиядә тормышка ашырылганга, сыйфатыэпитаксиҗайланманың эшенә зур йогынты ясый, ләкин эпитакси сыйфаты кристалл һәм субстратларны эшкәртүгә тәэсир итә. Бу тармакның урта бәйләнешендә һәм тармак үсешендә бик мөһим роль уйный.
Кремний карбид эпитаксиаль катламнарын әзерләүнең төп ысуллары: парга әйләнү ысулы; сыек фаз эпитакси (LPE); молекуляр нур эпитаксы (MBE); химик пар парламенты (CVD).
Алар арасында химик пар парламенты (CVD) иң популяр 4H-SiC гомепитаксиаль ысул. 4-H-SiC-CVD эпитаксы гадәттә CVD җиһазларын куллана, алар эпитаксиаль катламның 4H кристалл SiC югары үсеш температурасы шартларында дәвам итүен тәэмин итә ала.
CVD җиһазларында субстратны турыдан-туры металлга урнаштырып булмый яки эпитаксиаль чүпләү өчен нигезгә урнаштырып булмый, чөнки ул газ агымы юнәлеше (горизонталь, вертикаль), температура, басым, фиксация һәм пычраткыч матдәләр кебек төрле факторларны үз эченә ала. Шуңа күрә нигез кирәк, аннары субстрат дискка урнаштырыла, аннары эпитаксиаль чүпләү субстратта CVD технологиясе ярдәмендә башкарыла. Бу база SiC белән капланган графит базасы.
Төп компонент буларак, графит базасы югары специфик көч һәм конкрет модуль, яхшы җылылык шокына һәм коррозиягә каршы тору үзенчәлекләренә ия, ләкин җитештерү процессында графит коррозицион газлар һәм металл органик калдыклары аркасында коррозияләнә һәм порошокланачак. матдә, һәм графит базасының хезмәт итү вакыты бик кыскартылачак.
Шул ук вакытта егылган графит порошогы чипны пычратыр. Кремний карбид эпитаксиаль вафер җитештерү процессында кешеләрнең графит материалларын куллану таләпләрен канәгатьләндерү кыен, бу аның үсешен һәм практик кулланылышын чикли. Шуңа күрә каплау технологиясе күтәрелә башлады.
2. Уңай якларыSiC каплау
Катламның физик һәм химик үзлекләре югары температурага һәм коррозиягә каршы тору өчен катгый таләпләргә ия, бу продуктның уңышына һәм тормышына турыдан-туры тәэсир итә. SiC материалы югары көчкә, югары катылыкка, түбән җылылык киңәйтү коэффициентына һәм яхшы җылылык үткәрүчәнлегенә ия. Бу мөһим югары температуралы структур материал һәм югары температуралы ярымүткәргеч материал. Ул графит нигезенә кулланыла. Аның өстенлекләре:
-SiC коррозиягә чыдам һәм графит нигезен тулысынча каплый ала, һәм коррозив газ зыяныннан саклану өчен яхшы тыгызлыкка ия.
-SiC югары җылылык үткәрүчәнлегенә һәм графит базасы белән югары бәйләнеш көченә ия, күп температуралы һәм түбән температуралы циклдан соң каплау җиңел түгел.
-SiC яхшы температурада һәм коррозив атмосферада капланмас өчен яхшы химик тотрыклылыкка ия.
Моннан тыш, төрле материалларның эпитаксиаль мичләре төрле эш күрсәткечләре булган графит подшипкаларны таләп итәләр. Графит материалларның җылылык киңәйтү коэффициенты эпитаксиаль мичнең үсеш температурасына яраклашуны таләп итә. Мәсәлән, кремний карбид эпитаксиаль үсеш температурасы югары, һәм югары җылылык киңәйтү коэффициентына туры килгән лодка кирәк. SiC җылылык киңәйтү коэффициенты графитныкына бик якын, аны графит нигезенең өслеге каплау өчен өстенлекле материал итеп яраклаштыра.
SiC материалларының төрле кристалл формалары бар, һәм иң еш очрый торганнары 3C, 4H һәм 6H. SiC-ның төрле кристалл формалары төрле кулланышка ия. Мәсәлән, 4H-SiC югары көчле җайланмалар җитештерү өчен кулланылырга мөмкин; 6H-SiC иң тотрыклы һәм оптоэлектрон җайланмалар җитештерү өчен кулланыла ала; 3C-SiC GaN эпитаксиаль катламнарын чыгару өчен һәм SiC-GaN RF җайланмалары җитештерү өчен кулланылырга мөмкин, чөнки GaN белән охшаш структурасы. 3C-SiC шулай ук гадәттә β-SiC дип атала. --SiC-ны мөһим куллану - нечкә пленка һәм каплау материалы. Шуңа күрә β-SiC хәзерге вакытта каплау өчен төп материал.
SiC каплаулары гадәттә ярымүткәргеч җитештерүдә кулланыла. Алар, нигездә, субстратларда, эпитаксида, оксидлашу диффузиясендә, эфирда һәм ион имплантациясендә кулланыла. Катламның физик һәм химик үзлекләре югары температурага һәм коррозиягә каршы торуга катгый таләпләргә ия, бу продуктның уңышына һәм тормышына турыдан-туры тәэсир итә. Шуңа күрә SiC капламасын әзерләү бик мөһим.
Пост вакыты: 24-2024 июнь