CVD SiC нәрсә ул
Химик пар парламенты (CVD) - югары чисталыклы каты материаллар җитештерү өчен кулланылган вакуум чүпләү процессы. Бу процесс ярымүткәргеч җитештерү өлкәсендә вафер өслегендә нечкә фильмнар формалаштыру өчен еш кулланыла. SiC-ны CVD белән әзерләү процессында субстрат бер яки берничә үзгәрүчән прекурсорга дучар була, алар субстрат өслегендә химик реакция ясыйлар, кирәкле SiC ятмасын урнаштыралар. SiC материалларын әзерләү өчен күп ысуллар арасында химик пар парламенты белән әзерләнгән продуктлар бертөрлелек һәм чисталыкка ия, һәм метод көчле процесс контроллерына ия.
CVD SiC материаллары ярымүткәргеч тармагында куллану өчен бик яраклы, алар югары җылылык, электр һәм химик үзенчәлекләрнең уникаль кушылмасы аркасында югары җитештерүчән материаллар таләп итә. CVD SiC компонентлары эфир җиһазларында, MOCVD җиһазларында, Si эпитаксиаль җиһазларда һәм SiC эпитаксиаль җиһазларда, тиз җылылык эшкәртү җиһазларында һәм башка өлкәләрдә киң кулланыла.
Гомумән алганда, CVD SiC компонентларының иң зур базар сегменты - җиһаз компонентлары. Хлорның һәм фторлы эфир газларының түбән реактивлыгы һәм үткәрүчәнлеге аркасында, CVD кремний карбид плазма эшкәртү җайланмаларындагы фокус боҗралар кебек компонентлар өчен идеаль материал.
CVD җиһазында CVD кремний карбид компонентларына фокус боҗралары, газ душ башлары, подшипниклар, кыр боҗралары һ.б. керә. Плазманы боҗра аша узучы фокуска юнәлтү өчен, плазма эшкәртү бердәмлеген яхшырту өчен ваферга юнәлтелгән.
Традицион фокус боҗралары кремний яки кварцтан эшләнгән. Интеграль схема миниатюризациясенең алга китүе белән, интеграль схема җитештерүендә эфир процессларына ихтыяҗ һәм әһәмият арта, һәм плазманың көче һәм энергиясе арта. Аерым алганда, сыйдырышлык белән кушылган (CCP) плазма эшкәртү җайланмаларында кирәк булган плазма энергиясе югарырак, шуңа күрә кремний карбид материалларыннан ясалган фокус боҗраларын куллану темплары арта. CVD кремний карбид фокус боҗрасының схематик схемасы түбәндә күрсәтелгән:
Пост вакыты: 20-2024 июнь