Ярымүткәргеч җитештерү процессында,эфиртехнология - критик процесс, катлаулы схема формалаштыру өчен субстраттагы кирәкмәгән материалларны төгәл бетерү өчен кулланыла. Бу мәкалә ике төп агым технологиясен җентекләп кертәчәк - сыйдырышлык белән кушылган плазманы эшкәртү (CCP) һәм индуктив рәвештә плазма эфиры ().ICP), һәм төрле материалларны эшкәртүдә аларның кушымталарын барлау.
Капассив рәвештә кушылган плазма эфиры (CCP)
Капассив рәвештә кушылган плазма эфиры (CCP) ике көчәнеш тәлинкә электродына материя һәм DC блоклау конденсаторы аша RF көчәнешен кулланып ирешелә. Ике электрод һәм плазма бергә эквивалент конденсатор ясыйлар. Бу процесста, RF көчәнеше электрод янында сыйдырышлык кабыгын формалаштыра, һәм көчәнешнең тизлеге көчәнешнең тиз осилинасы белән үзгәрә. Электроннар тиз үзгәрә торган кабыкка җиткәч, алар чагылыш таба һәм энергия ала, бу үз чиратында газ молекулаларының аерылуы яки ионлашуы плазманы барлыкка китерә. CCP эфиры гадәттә диэлектрик кебек югары химик бәйләнеш энергиясе булган материалларга кулланыла, ләкин түбән төшү дәрәҗәсе аркасында, ул яхшы контроль таләп иткән кушымталар өчен яраклы.
Индуктив рәвештә плазманы эшкәртү (ICP)
Индуктив рәвештә плазма кушылганэфир(ICP) принципка нигезләнеп, алмаш ток индуктив магнит кырын барлыкка китерү өчен кәтүк аша уза. Бу магнит кыры тәэсирендә реакция камерасындагы электроннар тизләнәләр һәм индуктив электр кырында тизләнүне дәвам итәләр, ахыр чиктә реакция газ молекулалары белән бәрелешәләр, молекулаларның аерылуы яки ионлашуы һәм плазма барлыкка килүенә китерәләр. Бу ысул югары ионлаштыру тизлеген җитештерә ала һәм плазма тыгызлыгын һәм бомбардировщик энергиясен мөстәкыйль көйләргә мөмкинлек бирә, бу ясыйICP эфирыКремний һәм металл кебек аз химик бәйләнеш энергиясе булган материалларны эшкәртү өчен бик яраклы. Моннан тыш, ICP технологиясе яхшырак бердәмлекне һәм эфир тизлеген тәэмин итә.
1. Металл эшкәртү
Металл эшкәртү, нигездә, үзара бәйләнешне һәм күп катламлы металл чыбыкларны эшкәртү өчен кулланыла. Аның таләпләренә түбәндәгеләр керә: югары эфир тизлеге, югары сайлап алу (маска катламы өчен 4: 1 дән һәм диэлектрик өчен 20: 1 дән зуррак), югары тигезлек, яхшы критик үлчәм контроле, плазма зарарлары юк, калдыклар аз, һәм металлга коррозия юк. Металл эшкәртү гадәттә индуктив рәвештә кушылган плазма эшкәртү җайланмаларын куллана.
•Алюминий эшкәртү: Алюминий - чип җитештерүнең урта һәм арткы этапларында иң түбән чыбык материалы, түбән каршылык, җиңел чүпләү һәм эшкәртү өстенлекләре белән. Алюминий эшкәртү гадәттә хлорид газы белән барлыкка килгән плазманы куллана (мәсәлән, Cl2). Алюминий үзгәрүчән алюминий хлорид (AlCl3) чыгару өчен хлор белән реакциягә керә. Моннан тыш, SiCl4, BCl3, BBr3, CCl4, CHF3 һ.б.
Вольфрам эфиры: Күп катламлы металл чыбыкларның үзара бәйләнеш структураларында вольфрам - чипның урта өлеше үзара бәйләнеше өчен кулланылган төп металл. Металл вольфрамын чыгару өчен фторлы яки хлорлы газлар кулланылырга мөмкин, ләкин фторлы газлар кремний оксиды өчен начар сайлануга ия, ә хлорлы газлар (CCl4 кебек) яхшырак сайлап алу мөмкинлегенә ия. Азот гадәттә реакция газына югары эфирлы клей сайлап алу өчен кушыла, һәм углерод чүпләнүен киметү өчен кислород кушыла. Вольфрамны хлор нигезендәге газ белән анисотроп эфирга һәм югары сайлап алуга ирешергә мөмкин. Вольфрамның коры эфирында кулланылган газлар, нигездә, SF6, Ar һәм O2, алар арасында флюор атомнары һәм вольфрам флюорид җитештерү өчен плазмада череп бетергә мөмкин.
• Титан нитриды эфиры: Титан нитриды, каты маска материалы буларак, традицион кремний нитридын яки оксид маскасын икеләтә дамаскен процессында алыштыра. Титан нитрид эфиры, нигездә, каты битлекне ачу процессында кулланыла, һәм төп реакция продукты TiCl4. Традицион маска белән түбән k диэлектрик катламы арасында сайлап алу югары түгел, бу түбән k диэлектрик катлам өстендә дуга аркалы профильнең барлыкка килүенә һәм эфирдан соң трюк киңлегенең киңәюенә китерәчәк. Сакланган металл линияләр арасы бик кечкенә, ул күпер агып китәргә яки туры өзелергә мөмкин.
2. Изолятор
Изоляторны чыгару объекты, гадәттә, кремний диоксиды яки кремний нитриды кебек диэлектрик материаллар, алар төрле схема катламнарын тоташтыру өчен контакт тишекләрен һәм канал тишекләрен формалаштыру өчен киң кулланыла. Диэлектрик эфирлау гадәттә сыйдырышлы кушылган плазма эфиры принцибы нигезендә эфир куллана.
Кремний диоксид пленкасының плазмалы эфиры: Кремний диоксиды пленкасы, гадәттә, CF4, CHF3, C2F6, SF6 һәм C3F8 кебек фтор булган газлар ярдәмендә чыгарыла. Эфир газындагы углерод оксид катламындагы кислород белән реакциягә керә ала, CO һәм CO2 продуктлары җитештерә, шуның белән оксид катламындагы кислородны чыгарып җибәрә. CF4 - иң еш кулланыла торган газ чыгару газы. CF4 югары энергияле электроннар белән бәрелешкәндә төрле ионнар, радикаллар, атомнар һәм ирекле радикаллар барлыкка килә. Фторсыз радикаллар SiO2 һәм Si белән химик реакциядә үзгәрә торган кремний тетрафлорид (SiF4) җитештерә ала.
Кремний нитрид пленкасының плазмалы эфиры: Кремний нитрид пленкасы CF4 яки CF4 катнаш газ белән (O2, SF6 һәм NF3 белән) плазма эфиры ярдәмендә ясалырга мөмкин. Si3N4 фильмы өчен, CF4-O2 плазмасы яки F атомы булган башка газ плазмасы эфир өчен кулланылганда, кремний нитридының эфир тизлеге 1200Å / мингә җитә ала, һәм эфир сайлау 20: 1 кадәр булырга мөмкин. Төп продукт - үзгәрүчән кремний тетрафлуорид (SiF4), аны чыгару җиңел.
4. Бер кристалл кремний эфиры
Бер кристалл кремний эшкәртү, нигездә, тайны окоп изоляциясе (STI) формалаштыру өчен кулланыла. Бу процесс гадәттә алга китеш процессын һәм төп эшкәртү процессын үз эченә ала. Алга китеш процессы SiF4 һәм NF газын куллана, бер кристалл кремний өслегендәге оксид катламын көчле ион бомбардирасы һәм фтор элементларының химик тәэсире аша чыгару өчен; төп эфир водород бромидын (HBr) куллана. Плазма мохитендә HBr тарафыннан бозылган бром радикаллары кремний белән реакциядә үзгәрүчән кремний тетрабромид (SiBr4) барлыкка китерәләр, шуның белән кремнийны чыгаралар. Бер кристалл кремний эшкәртү гадәттә индуктив рәвештә кушылган плазма эшкәртү машинасын куллана.
5. Полисиликон Эшләү
Полисиликон эфиры - транзисторларның капка күләмен билгеләүче төп процессларның берсе, һәм капка күләме интеграль схемаларның эшенә турыдан-туры тәэсир итә. Полисиликон эфиры яхшы сайлап алу коэффициентын таләп итә. Хлор (Cl2) кебек галоген газлары, гадәттә, анисотроп эфирга ирешү өчен кулланыла, һәм яхшы сайлап алу коэффициенты бар (10: 1 кадәр). Водород бромиды (HBr) кебек бромга нигезләнгән газлар югары сайлап алу коэффициентын ала ала (100: 1 кадәр). HBr-ның хлор һәм кислород белән катнашуы эфир тизлеген арттырырга мөмкин. Галоген газ һәм кремнийның реакция продуктлары саклагыч роль уйнау өчен тротуарларга урнаштырыла. Полисиликон эфиры гадәттә индуктив рәвештә кушылган плазма эшкәртү машинасын куллана.
Плазманы эшкәртү яки индуктив рәвештә кушылган плазманы эшкәртүме, һәрберсенең үзенчәлекле өстенлекләре һәм техник үзенчәлекләре бар. Уңайлы эшкәртү технологиясен сайлау производство эффективлыгын гына түгел, соңгы продуктның уңышын да тәэмин итә ала.
Пост вакыты: 12-2024 ноябрь