1 өлеш
SiC һәм AIN бер кристалл мичтә критик, орлык тотучы һәм юл күрсәткеч боҗрасы PVT ысулы белән үстерелде
2-нче рәсемдә күрсәтелгәнчә, физик парларны ташу ысулы (PVT) SiC әзерләү өчен кулланылганда, орлык кристалллары чагыштырмача түбән температурада, SiC чималы чагыштырмача югары температура өлкәсендә (2400 дән артык)℃), һәм чимал SiXCy җитештерә (нигездә Si, SiC кертеп)₂, Si₂С һ.б.). Пар фаза материалы югары температура өлкәсеннән орлык кристаллына түбән температура өлкәсендә ташыла, fорлык ядрәләрен орминглау, бер кристаллны үстерү һәм чыгару. Бу процесста кулланылган җылылык кыры материаллары, мәсәлән, мөһим, агым боҗрасы, орлык кристалл тотучы, югары температурага чыдам булырга тиеш һәм SiC чималын һәм SiC бер кристаллын пычратмас. Шулай ук, AlN бер кристалл үсешендәге җылыту элементлары Al парына, N каршы торырга тиеш₂коррозия, һәм югары эутектик температура булырга тиеш (белән AlN) кристалл әзерләү вакытын кыскартырга.
SiC [2-5] һәм AlN [2-3] әзерләгәнлеге ачыкландыTaC капланганграфит җылылык кыры материаллары чистарак иде, углерод (кислород, азот) һәм башка пычраклар юк, чит кимчелекләр, һәр төбәктә кечерәк каршылык, һәм микропор тыгызлыгы һәм чокыр тыгызлыгы сизелерлек кимеде (KOH эфирыннан соң), һәм кристалл сыйфаты бик яхшыртылды. Моннан тыш,TaC бик мөһимавырлыкны киметү дәрәҗәсе нульгә диярлек, тышкы кыяфәт җимергеч түгел, эшкәртелергә мөмкин (200 сәгатькә кадәр гомер), мондый кристалл әзерләүнең тотрыклылыгын һәм эффективлыгын яхшырта ала.
IGәр сүзнең. 2. (А) PVT ысулы белән SiC бер кристалл ингот үсә торган җайланманың схематик схемасы
б) .гарыTaC капланганорлык крэкете (SiC орлыгын да кертеп)
в)TAC белән капланган графит гид
2 өлеш
MOCVD GaN эпитаксиаль катлам үсә торган җылыткыч
3-нче рәсемдә күрсәтелгәнчә, MOCVD GaN үсеше - химик парларны чүпләү технологиясе, парның эпитаксиаль үсеше аркасында нечкә фильмнарны үстерү өчен органометрик декорпация реакциясен кулланып. Бушлыктагы температураның төгәллеге һәм бердәмлеге җылыткычны MOCVD җиһазларының иң мөһим компонентына әйләндерә. Озак вакыт субстратны тиз һәм бертөрле җылытып буламы (кат-кат суыту вакытында), югары температурада тотрыклылык (газ коррозиясенә каршы тору) һәм фильмның чисталыгы кино чүпләү сыйфаты, калынлык эзлеклелеге, турыдан-туры тәэсир итәчәк. һәм чипның эшләнеше.
MOCVD GaN үсеш системасында җылыткычның эшләвен һәм эшкәртү эффективлыгын күтәрү өчен,TAC белән капланганграфит җылыткыч уңышлы кертелде. Гадәттәге җылыткыч үстергән GaN эпитаксиаль катламы белән чагыштырганда, TaC җылыткыч үстергән GaN эпитаксиаль катламы кристалл структурасы, калынлыгы бертөрлелеге, эчке кимчелекләр, пычрак допинг һәм пычрану диярлек. Моннан тыш ,.TaC каплаутүбән каршылыклы һәм түбән өслек эмиссивлыгы бар, ул җылыткычның эффективлыгын һәм бердәмлеген яхшырта ала, шуның белән энергия куллануны һәм җылылык югалтуын киметә ала. Aterылыткычның нурланыш характеристикаларын тагын да яхшырту һәм хезмәт срогын озайту өчен процесс параметрларын контрольдә тотып, каплауның күзәнәклеге көйләнергә мөмкин [5]. Бу өстенлекләр ясыйTaC капланганграфит җылыткычлар MOCVD GaN үсеш системалары өчен искиткеч сайлау.
IGәр сүзнең. 3. (А) GaN эпитаксиаль үсеше өчен MOCVD җайланмасының схематик схемасы
б) нигез һәм кашанны исәпкә алмаганда, MOCVD көйләүдә урнаштырылган TAC белән капланган графит җылыткыч (җылытуда нигез һәм кашанны күрсәтүче иллюстрация)
в) 17 GaN эпитаксиаль үсештән соң TAC белән капланган графит җылыткыч. [6]
3 өлеш
Эпитакси өчен капланган сусептор (вафер ташучы)
Вафер ташучы - SiC, AlN, GaN һәм өченче класс ярымүткәргеч ваферларын һәм эпитаксиаль вафер үсешен әзерләү өчен мөһим структур компонент. Вафер йөртүчеләрнең күбесе графиттан ясалган һәм процесс газларының коррозиясенә каршы тору өчен SiC капламы белән капланган, эпитаксиаль температура диапазоны 1100 - 1600°С, һәм саклагыч каплауның коррозиягә каршы торуы вафер йөртүче тормышында мөһим роль уйный. Нәтиҗә шуны күрсәтә: TaC коррозия дәрәҗәсе югары температуралы аммиактагы SiC белән чагыштырганда 6 тапкыр әкренрәк. Highгары температурада водородта коррозия дәрәҗәсе SiC белән чагыштырганда 10 тапкырга әкренрәк.
Тикшеренүләр белән расланган, TaC белән капланган подшипниклар зәңгәр якты GaN MOCVD процессында яхшы яраклашуны күрсәтәләр һәм пычраклык кертмиләр. Чикләнгән процесс көйләүләреннән соң, TaC операторлары ярдәмендә үскән кроватьлар гадәти SiC операторлары белән бер үк җитештерүчәнлекне һәм бердәмлекне күрсәтәләр. Шуңа күрә, TAC белән капланган паллетларның хезмәт итү вакыты ялан таш сыяга караганда яхшырак һәмSiC капланганграфит паллетлар.
Пост вакыты: март-05-2024