Кремний карбид көймәсенә булышу һәм кварц көймәсенә булышуның төп функцияләре бер үк. Кремний карбид көймәсе ярдәме бик яхшы, ләкин бәясе югары. Бу каты эш шартлары булган батарея эшкәртү җиһазларында кварц көймәсе белән альтернатив бәйләнешне тәшкил итә (LPCVD җиһазлары һәм бор диффузия җиһазлары кебек). Гадәттәге эш шартлары булган батарея эшкәртү җиһазларында, бәяләр бәйләнеше аркасында, кремний карбид һәм кварц көймә ярдәме бергә һәм көндәш категорияләргә әйләнәләр.
L LPCVD һәм бор диффузия җиһазларында алмаштыру бәйләнеше
LPCVD җиһазлары батарея күзәнәкләренең тоннель оксидлашуы һәм полисиликон катламын әзерләү процессында кулланыла. Эш принцибы:
Түбән басымлы атмосферада, тиешле температура, химик реакция һәм чүпрәк пленкасы формалашу белән берлектә, ультра-нечкә тоннель оксиды катламы һәм полисиликон пленка әзерләүгә ирешәләр. Туннель оксидлашу һәм полисиликон катламын әзерләү процессында көймә ярдәме югары эш температурасына ия һәм кремний пленка өскә урнаштырылачак. Кварцның җылылык киңәйтү коэффициенты кремнийныкыннан бөтенләй аерылып тора. Aboveгарыда күрсәтелгән процесста кулланылганда, кремнийдан төрле җылылык киңәю коэффициенты аркасында җылылык киңәюе һәм кысылуы аркасында кварц көймәсе булышмас өчен, өскә салынган кремнийны регуляр рәвештә ашатырга кирәк. Еш кына ашату һәм түбән температура көче аркасында, кварц көймәсенең хуҗасы кыска гомер кичерә һәм тоннель оксидлашу һәм полисиликон катламын әзерләү процессында еш алыштырыла, бу батарея күзәнәгенең җитештерү бәясен сизелерлек арттыра. Кремний карбидының киңәю коэффициенты кремнийныкына якын. Туннельнең оксидлашуы һәм полисиликон катламын әзерләү процессында, кремний карбид көймәсенең интеграллашуы кирәк түгел, югары температура көче һәм озак хезмәт итү вакыты, һәм кварц көймәсе өчен яхшы альтернатива.
Борны киңәйтү җиһазлары, нигездә, PN тибындагы эмитерны PN кушылмасы формалаштыру өчен, батарея күзәнәгенең N тибындагы кремний вафер субстратында бор элементларын допинг процессы өчен кулланыла. Эш принцибы - югары температуралы атмосферада химик реакцияне һәм молекуляр чүплек пленкасын формалаштыру. Фильм формалашкач, кремний вафин өслегенең допинг функциясен тормышка ашыру өчен, аны югары температуралы җылыту белән таратырга мөмкин. Борны киңәйтү җиһазларының югары эш температурасы аркасында, кварц көймә хуҗасы түбән температуралы көчкә һәм борны киңәйтү җайланмаларында кыска хезмәт итү вакытына ия. Интеграль кремний карбид көймәсе иясе югары температуралы көчкә ия һәм борны киңәйтү процессында кварц көймәсенә яхшы альтернатива.
Other Башка процесс җиһазларында алмашлык мөнәсәбәтләре
SiC көймәсе терәк җитештерү куәтенә һәм искиткеч җитештерүчәнлеккә ия. Аларның бәяләре, гадәттә, кварц көймәләренә караганда югарырак. Күзәнәк эшкәртү җиһазларының гомуми эш шартларында, SiC көймә терәкләре һәм кварц көймә терәкләре арасындагы хезмәт вакыты аермасы аз. Агымдагы клиентлар, нигездә, үз процессларына һәм ихтыяҗларына карап бәя һәм эш башкару арасында чагыштыралар һәм сайлыйлар. SiC көймәсе терәкләре һәм кварц көймә терәкләре бергә һәм көндәшлеккә әйләнде. Ләкин, хәзерге вакытта SiC көймәсенең тулаем керем марҗасы чагыштырмача югары. SiC көймәсенең производство бәясе төшү белән, SiC көймәсенең сату бәясе актив рәвештә төшсә, бу шулай ук кварц көймә терәкләренә көндәшлелеккә китерәчәк.
2) Куллану коэффициенты
Күзәнәк технологиясе маршруты, нигездә, PERC технологиясе һәм TOPCon технологиясе. PERC технологиясенең базар өлеше - 88%, һәм TOPCon технологиясенең базар өлеше - 8,3%. Икесенең базар өлеше 96,30% тәшкил итә.
Түбәндәге рәсемдә күрсәтелгәнчә:
PERC технологиясендә фосфорның диффузиясе һәм анналь процесслары өчен көймә терәкләре кирәк. TOPCon технологиясендә алгы бор диффузиясе, LPCVD, арткы фосфор диффузиясе һәм аннальинг процесслары өчен көймә терәкләре кирәк. Хәзерге вакытта кремний карбид көймә терәкләре, нигездә, TOPCon технологиясенең LPCVD процессында кулланыла, һәм аларның бор диффузия процессында кулланылышы нигездә расланган.
Рәсем Күзәнәк эшкәртү процессында көймә терәкләрен куллану:
Искәрмә: PERC һәм TOPCon технологияләренең алгы һәм арткы каплавыннан соң, экран бастыру, синтерлау һәм сынау һәм сортлау кебек адымнар бар, алар көймә терәкләрен куллануны үз эченә алмыйлар һәм югарыдагы рәсемдә күрсәтелмәгәннәр.
3) Киләчәк үсеш тенденциясе
Киләчәктә кремний карбид көймәсенең комплекслы җитештерү өстенлекләре, клиентларның өзлексез киңәюе һәм фотоволтаик индустриянең чыгымнарын киметү һәм нәтиҗәлелеген күтәрү нәтиҗәсендә кремний карбид көймәләренең базар өлеше алга таба да артыр дип көтелә.
L LPCVD һәм бор диффузия җиһазларының эш шартларында кремний карбид көймәсенең комплекслы эшләве кварцныкыннан яхшырак һәм озын гомерле.
Sil Компаниянең кремний карбид көймәсе җитештерүчеләрен клиентларның киңәйтүе шома. Төньяк Huachuang, Songyu Technology һәм Qihao New Energy кебек тармактагы күп клиентлар кремний карбид көймә терәкләрен куллана башладылар.
③ Чыгымнарны киметү һәм эффективлыкны күтәрү һәрвакыт фотоволтаик индустриягә омтылу булды. Зур масштаблы батарея күзәнәкләре аша чыгымнарны экономияләү - фотоволтаик индустриядә чыгымнарны киметү һәм эффективлыкны күтәрү күренешләренең берсе. Зур батарея күзәнәкләре тенденциясе белән, кремний карбид көймәсенең өстенлекләре яхшы комплекслы эшләве аркасында таяныч булачак.
Пост вакыты: Ноябрь-04-2024