Semicera's LiNbO3 бәйләү ваферы алдынгы ярымүткәргеч җитештерүнең югары таләпләрен канәгатьләндерү өчен эшләнгән. Аның искиткеч үзенчәлекләре, шул исәптән өстен кием каршылыгы, югары җылылык тотрыклылыгы, искиткеч чисталыгы белән, бу вафер төгәллек һәм озак эшләүне таләп иткән кушымталарда куллану өчен идеаль.
Ярымүткәргеч индустриясендә LiNbO3 бәйләү ваферлары гадәттә оптоэлектрон җайланмаларда, сенсорларда һәм алдынгы IC-ларда нечкә катламнарны бәйләү өчен кулланыла. Алар аеруча фотоникада һәм MEMSда (Микро-Электромеханик Системалар) бик яхшы диэлектрик үзлекләре һәм катлаулы эш шартларына каршы тору сәләте аркасында бәяләнәләр. Semicera's LiNbO3 Bonding Wafer төгәл үткәргеч җайланмаларны тәэмин итү өчен эшләнгән, ярымүткәргеч җайланмаларның гомуми эшләвен һәм ышанычлылыгын арттыра.
| LiNbO3 җылылык һәм электр үзлекләре | |
| Эретү ноктасы | 1250 ℃ |
| Кюри температурасы | 1140 ℃ |
| Rылылык үткәрүчәнлеге | 38 Вт / м / К @ 25 ℃ |
| Rылылык киңәю коэффициенты (@ 25 ° C) | //a，2.0£10-6/ К. //c，2.2£10-6/ К. |
| Каршылык | 2 × 10-6Ω · см @ 200 ℃ |
| Диэлектрик даими | εS11 / ε0 = 43 ， εT11 / ε0 = 78 33S33 / ε0 = 28 ， 33T33 / ε0 = 2 |
| Пиезоэлектрик тотрыклы | D22= 2.04 × 10-11C / N. D33= 19.22 × 10-11C / N. |
| Электро-оптик коэффициент | γT33= 32 сәгать / V γ γS33= 31 сәгать / V ， γT31= 10 сәгать / V ， γS31= 8.6 pm / V ， γT22= 6.8 pm / V γ γS22= 3.4 pm / V ， |
| Ярым дулкын көчәнеше | 3.03 КВ 4.02 КВ |
Nгары сыйфатлы материаллар ярдәмендә эшләнгән LiNbO3 бәйләү ваферы хәтта экстремаль шартларда даими ышанычлылыкны тәэмин итә. Аның югары җылылык тотрыклылыгы аны ярымүткәргеч эпитакс процессларында булган температура белән бәйле мохит өчен аеруча яраклы итә. Өстәвенә, вафинның югары чисталыгы минималь пычрануны тәэмин итә, аны критик ярымүткәргеч кушымталары өчен ышанычлы сайлау.
Семицерада без тармакның алдынгы чишелешләрен тәкъдим итәргә әзер. Безнең LiNbO3 бәйләү ваферы югары чисталык, кием каршылыгы, җылылык тотрыклылыгы таләп иткән кушымталар өчен чагыштыргысыз ныклык һәм югары җитештерүчәнлек мөмкинлекләрен бирә. Алга киткән ярымүткәргеч җитештерү яки башка махсус технологияләр өченме, бу вафер заманча җайланмалар җитештерү өчен мөһим компонент булып хезмәт итә.
