LiNbO3 бәйләү ваферы

Кыска тасвирлау:

Литий ниобат кристаллының искиткеч электро-оптик, акусто-оптик, пиезоэлектрик һәм сызыксыз үзенчәлекләре бар. Литий ниобат кристалл - бик күп функциональ кристалл, яхшы сызыксыз оптик үзлекләргә һәм зур сызыксыз оптик коэффициентка ия; ул шулай ук критик булмаган фазага туры килергә мөмкин. Электро-оптик кристалл буларак, ул мөһим оптик дулкынландыргыч материал буларак кулланылган; пиезоэлектрик кристалл буларак, аны урта һәм түбән ешлыктагы SAW фильтрлары, югары көчле югары температурага чыдам УЗИ трансдуктерлары һ.б. ясарга мөмкин, допедлы литий ниобат материаллары да киң кулланыла.

Безгә электрон почта җибәрегез

Продукциянең детальләре

Продукция тэглары

Semicera's LiNbO3 бәйләү ваферы алдынгы ярымүткәргеч җитештерүнең югары таләпләрен канәгатьләндерү өчен эшләнгән. Аның искиткеч үзенчәлекләре, шул исәптән өстен кием каршылыгы, югары җылылык тотрыклылыгы, искиткеч чисталыгы белән, бу вафер төгәллек һәм озак эшләүне таләп иткән кушымталарда куллану өчен идеаль.

Ярымүткәргеч индустриясендә LiNbO3 бәйләү ваферлары гадәттә оптоэлектрон җайланмаларда, сенсорларда һәм алдынгы IC-ларда нечкә катламнарны бәйләү өчен кулланыла. Алар аеруча фотоникада һәм MEMSда (Микро-Электромеханик Системалар) бик яхшы диэлектрик үзлекләре һәм катлаулы эш шартларына каршы тору сәләте аркасында бәяләнәләр. Semicera's LiNbO3 Bonding Wafer төгәл үткәргеч җайланмаларны тәэмин итү өчен эшләнгән, ярымүткәргеч җайланмаларның гомуми эшләвен һәм ышанычлылыгын арттыра.

LiNbO3 җылылык һәм электр үзлекләре
Эретү ноктасы	1250 ℃
Кюри температурасы	1140 ℃
Rылылык үткәрүчәнлеге	38 Вт / м / К @ 25 ℃
Rылылык киңәю коэффициенты (@ 25 ° C)	//a，2.0£10^-6/ К. //c，2.2£10^-6/ К.
Каршылык	2 × 10^-6Ω · см @ 200 ℃
Диэлектрик даими	εS11 / ε0 = 43 ， εT11 / ε0 = 78 33S33 / ε0 = 28 ， 33T33 / ε0 = 2
Пиезоэлектрик тотрыклы	D₂₂= 2.04 × 10^-11C / N. D₃₃= 19.22 × 10^-11C / N.
Электро-оптик коэффициент	γT₃₃= 32 сәгать / V γ γS₃₃= 31 сәгать / V ， γT₃₁= 10 сәгать / V ， γS₃₁= 8.6 pm / V ， γT₂₂= 6.8 pm / V γ γS₂₂= 3.4 pm / V ，
Ярым дулкын көчәнеше Электр кыры // z, яктылык ⊥ Z; Электр кыры // x яки y, яктылык ⊥ z	3.03 КВ 4.02 КВ

Nгары сыйфатлы материаллар ярдәмендә эшләнгән LiNbO3 бәйләү ваферы хәтта экстремаль шартларда даими ышанычлылыкны тәэмин итә. Аның югары җылылык тотрыклылыгы аны ярымүткәргеч эпитакс процессларында булган температура белән бәйле мохит өчен аеруча яраклы итә. Өстәвенә, вафинның югары чисталыгы минималь пычрануны тәэмин итә, аны критик ярымүткәргеч кушымталары өчен ышанычлы сайлау.

Семицерада без тармакның алдынгы чишелешләрен тәкъдим итәргә әзер. Безнең LiNbO3 бәйләү ваферы югары чисталык, кием каршылыгы, җылылык тотрыклылыгы таләп иткән кушымталар өчен чагыштыргысыз ныклык һәм югары җитештерүчәнлек мөмкинлекләрен бирә. Алга киткән ярымүткәргеч җитештерү яки башка махсус технологияләр өченме, бу вафер заманча җайланмалар җитештерү өчен мөһим компонент булып хезмәт итә.