Рекристализацияләнгән кремний карбидының үзенчәлекләре
Рекристизацияләнгән кремний карбид (R-SiC) - югары җитештерүчәнлек материалы, катылыгы бриллианттан кала, 2000 above югары температурада формалашкан. SiC-ның бик яхшы үзенчәлекләрен саклый, мәсәлән, югары температура көче, коррозиягә каршы тору, искиткеч оксидлашуга каршы тору, яхшы җылылык шокына каршы тору һ.б.
● Искиткеч механик үзлекләр. Рекристизацияләнгән кремний карбид углерод җепселенә караганда көчлерәк һәм каты, югары тәэсиргә каршы, экстремаль температура шартларында яхшы уйный ала, төрле ситуацияләрдә яхшырак баланс уйный ала. Моннан тыш, ул шулай ук яхшы сыгылучылыкка ия һәм сузылу һәм бөкләнү белән җиңел бозылмый, бу аның эшчәнлеген яхшырта.
● corrгары коррозиягә каршы тору. Рекристизацияләнгән кремний карбид төрле массакүләм мәгълүмат чараларына коррозиягә каршы тора, төрле коррозицион медиа эрозиясен булдыра ала, механик үзлекләрен озак саклый ала, көчле ябыштыра, хезмәт озынлыгы озынрак. Моннан тыш, ул шулай ук яхшы җылылык тотрыклылыгына ия, билгеле бер температура үзгәрүенә яраклаша ала, куллану эффектын яхшырта ала.
● Синтеринг кысылмый. Синтеринг процессы кыскармаганга, калдык стресс продуктның деформациясенә яки ярылуына китермәячәк, һәм катлаулы форма һәм югары төгәллек булган өлешләр әзерләнергә мөмкин.
Техник параметрлар:
Материаль мәгълүматлар
材料 Материал | R-SiC |
使用温度Эш температурасы (°C) | 1600 ° C (氧化气氛Оксидлаштыру мохите) 1700 ° C (还原气氛Әйләнә-тирә мохитне киметү) |
SiC含量SiC эчтәлеге (%) | > 99 |
自由Si含量Бушлай Si эчтәлеге (%) | <0.1 |
体积密度Күпчелек тыгызлык (г / см3) | 2.60-2.70 |
气孔率Күренгән күзәнәк (%) | <16 |
抗压强度Көчләү көче (MPa) | > 600 |
常温抗弯强度Салкын бөкләү көче (MPa) | 80-90 (20 ° C) |
高温抗弯强度Кайнар бөкләү көче (MPa) | 90-100 (1400 ° C) |
热膨胀系数 00ылылык киңәйтү коэффициенты @ 1500 ° C (10-6 / ° C) | 4.70 |
导热系数Rылылык үткәрүчәнлеге @ 1200°С (Вт / м•K) | 23 |
杨氏模量Эластик модуль (GPa) | 240 |
抗热震性Rылылык шокына каршы тору | 很好Бик яхшы |