Qualityгары сыйфатлы тантал карбид (TaC) каплау

Кыска тасвирлау:

Semicera's TaC каплавы югары температураның тотрыклылыгын тәкъдим итә, SiC-тан узып, 2300 up кадәр. Аэрокосмос һәм өченче буын ярымүткәргеч бер кристалл үсеше өчен идеаль, ул коррозия, оксидлашу һәм киемгә каршы тору тәэмин итә. Завод җитештерү һәм сыйфаты өчен Semicera-ны сайлагыз.

Безгә электрон почта җибәрегез

Продукциянең детальләре

Продукция тэглары

Semicera төрле компонентлар һәм йөртүчеләр өчен махсус тантал карбид (TaC) каплаулары белән тәэмин итә.Semicera әйдәп баручы каплау процессы тантал карбид (TaC) каплауларына югары чисталыкка, югары температураның тотрыклылыгына һәм югары химик толерантлыкка ирешергә мөмкинлек бирә, SIC / GAN кристаллларының һәм EPI катламнарының продукт сыйфатын яхшырта (Графит белән капланган TaC сусепторы), һәм төп реактор компонентларының гомерен озайту. Танталь карбид TaC каплавын куллану - чит проблеманы чишү һәм кристалл үсешенең сыйфатын яхшырту, һәм Семицера танталь карбид каплау технологиясен (CVD) чиште, халыкара дәрәҗәгә иреште.

Озак еллар үсештән соң, Семицера технологиясен яулап алдыCVD TaCфәнни-тикшеренү бүлегенең уртак тырышлыгы белән. SiC ваферларының үсеш процессында җитешсезлекләр җиңел, ләкин кулланганнан соңTaC, аерма зур. Түбәндә вафиннарны TaC белән һәм аннан башка чагыштыру, шулай ук Семицераның бер кристалл үсеше өчен өлешләре

Бер кристалл үсеш өчен TaC капланган өлеш

Антивар тантал карбид каплау_ equipmentиһазларны киемнән һәм коррозиядән саклый

TaC капланган графит боҗрасы

белән һәм аннан башка

TaC кулланганнан соң (уңда)

Моннан тыш, Semicera's TaC каплау продуктларының хезмәт итү вакыты SiC каплагычына караганда озынрак һәм югары температурага чыдамрак. Озак вакыт лаборатория үлчәү мәгълүматларыннан соң, безнең TaC озак вакыт максимум 2300 градус җылылыкта эшли ала. Түбәндә безнең кайбер үрнәкләр бар: