Semicera төрле компонентлар һәм йөртүчеләр өчен махсус тантал карбид (TaC) каплаулары белән тәэмин итә.Semicera әйдәп баручы каплау процессы тантал карбид (TaC) каплауларына югары чисталыкка, югары температураның тотрыклылыгына һәм югары химик толерантлыкка ирешергә мөмкинлек бирә, SIC / GAN кристаллларының һәм EPI катламнарының продукт сыйфатын яхшырта (Графит белән капланган TaC сусепторы), һәм төп реактор компонентларының гомерен озайту. Танталь карбид TaC каплавын куллану - чит проблеманы чишү һәм кристалл үсешенең сыйфатын яхшырту, һәм Семицера танталь карбид каплау технологиясен (CVD) чиште, халыкара дәрәҗәгә иреште.
Озак еллар үсештән соң, Семицера технологиясен яулап алдыCVD TaCфәнни-тикшеренү бүлегенең уртак тырышлыгы белән. SiC ваферларының үсеш процессында җитешсезлекләр җиңел, ләкин кулланганнан соңTaC, аерма зур. Түбәндә вафиннарны TaC белән һәм аннан башка чагыштыру, шулай ук Семицераның бер кристалл үсеше өчен өлешләре
белән һәм аннан башка
TaC кулланганнан соң (уңда)
Моннан тыш, Semicera's TaC каплау продуктларының хезмәт итү вакыты SiC каплагычына караганда озынрак һәм югары температурага чыдамрак. Озак вакыт лаборатория үлчәү мәгълүматларыннан соң, безнең TaC озак вакыт максимум 2300 градус җылылыкта эшли ала. Түбәндә безнең кайбер үрнәкләр бар:
а) PVT ысулы белән SiC бер кристалл ингот үсә торган җайланманың схематик схемасы (б) иң югары TaC капланган орлык кашаасы (SiC орлыгын да кертеп) (в) TAC белән капланган графит кулланма боҗрасы
