Каты CVD SILICON CARBIDE өлешләре RTP / EPI боҗралары һәм нигезләре һәм югары системада эшләүче плазмалы куышлык өлешләре өчен төп сайлау дип таныла, эш температурасы таләп ителә (> 1500 ℃), чисталыкка таләпләр аеруча югары (> 99,9995%) һәм Химик матдәләргә каршы тору аеруча югары булганда, эш аеруча яхшы. Бу материалларда ашлык читендә икенчел этаплар юк, шуңа күрә аларның компонентлары бүтән материалларга караганда азрак кисәкчәләр чыгара. Моннан тыш, бу компонентларны кайнар HF / HCl кулланып аз деградация белән чистартырга мөмкин, нәтиҗәдә кисәкчәләр азрак һәм хезмәт озынлыгы озайтыла.
