SiC Wafer көймәсе
Кремний карбид вафер көймәсеваферлар өчен йөкле җайланма, нигездә кояш һәм ярымүткәргеч диффузия процессларында кулланыла. Аның киемгә каршы торуы, коррозиягә каршы торуы, югары температураның тәэсиренә каршы тору, плазма бомбардирациясенә каршы тору, югары температураның күтәрү сыйфаты, югары җылылык үткәрүчәнлеге, югары җылылык таралуы, озак вакыт куллану кебек характеристикалары бар, иелү һәм деформацияләү җиңел түгел. Безнең компания хезмәт срогын тәэмин итү өчен югары чисталыклы кремний карбид материалын куллана һәм махсуслаштырылган конструкцияләр белән тәэмин итә. төрле вертикаль һәм горизонтальвафер көймә.
SiC Paddle
.Әр сүзнеңкремний карбид кантильверынигездә кремний вафиның (диффузия) капламасында кулланыла, ул югары температурада кремний вафаларын йөкләүдә һәм ташуда мөһим роль уйный. Бу төп компонентярымүткәргеч вафинйөкләү системалары һәм түбәндәге төп үзенчәлекләргә ия:
1. Ул югары температура шартларында деформацияләнми һәм ваферларда зур йөкләү көче бар;
2. Ул чиктән тыш салкынга һәм тиз эссегә каршы тора, һәм озын гомерле;
3. malылылык киңәйтү коэффициенты кечкенә, хезмәт күрсәтү һәм чистарту циклын киңәйтә, пычраткыч матдәләрне сизелерлек киметә.
SiC мич трубасы
Кремний карбид процесс трубасы, металл пычракларсыз югары чисталыклы SiCдан ясалган, ваферны пычратмый, һәм ярымүткәргеч һәм фотоволтаик диффузия, анналь һәм оксидлаштыру процессы кебек процесслар өчен яраклы.
SiC Robot Arm
SiC робот кулы, шулай ук, вафер күчерүнең соңгы эффекторы буларак та билгеле, ярымүткәргеч вафер ташу өчен кулланыла торган робот кул һәм ярымүткәргеч, оптоэлектрон һәм кояш энергиясе тармагында киң кулланыла. Highгары чисталыклы кремний карбидын куллану, югары каты булу, киемгә каршы тору, сейсмик каршылык, озак вакыт деформациясез куллану, озак хезмәт итү һ.б. махсуслаштырылган хезмәтләр күрсәтә ала.
Кристалл үсеше өчен графит
Графит җылылык калканы
Графит электрод трубасы
Графит дефлекторы
Графит чәк
Ярымүткәргеч крвсталларын үстерү өчен кулланылган барлык процесслар югары температурада һәм коррозив шартларда эшлиләр. Кристалл үсеш миченең кайнар зонасы гадәттә җылылыкка һәм коррозиягә чыдам югары чисталык белән ясала. графит компонентлары, мәсәлән, графит җылыткычлар, крестибльләр, цилиндрлар, дефлектор, чәкләр, трубалар, боҗралар, тоткычлар, гайкалар, һ.б.
Ярымүткәргеч эпитакси өчен графит
Графит базасы
Графит эпитаксиаль баррель
Монокри Сталин Кремний Эпитаксиаль Базасы
MOCVD графит өлешләре
Ярымүткәргеч графит җайланмасы
Эпитаксиаль процесс бер кристалл материалның бер кристалл субстратта үсүен аңлата, субстрат белән бер үк такталы аранжировка. Бу бик күп чисталыклы графит өлешләрен һәм СИС каплавы белән графит нигезен таләп итә. Ярымүткәргеч эпитакси өчен кулланылган югары чисталык графиты бик күп кушымталарга ия, алар тармакта иң еш кулланыла торган җиһазларга туры килә, Шул ук вакытта ул бик югары. чисталык, бердәм каплау, искиткеч хезмәт вакыты, һәм бик югары химик каршылык һәм җылылык тотрыклылыгы.
Изоляция материалы һәм башкалар
Ярымүткәргеч җитештерүдә кулланылган җылылык изоляциясе материаллары - графит каты, йомшак тойгы, графит фольга, углерод композицион материаллары һ.б. Безнең чимал читтән кертелгән графит материаллары, алар клиентлар спецификациясе буенча киселергә мөмкин, һәм шулай ук сатылырга мөмкин тулы. Углерод композицион материал гадәттә кояш монокристалы һәм полисиликон күзәнәкләрен җитештерү процессы өчен ташучы буларак кулланыла.