Cгары чисталык SiC Порошогы

Cгары чисталыклы SiC порошогы үзенчәлекле рәсем

Кыска тасвирлау:

Семицераның югары чисталыгы SiC Порошогы бик югары углерод һәм кремний белән мактана, чисталык дәрәҗәсе 4N - 6N. Нанометрлардан микрометрларга кадәр кисәкчәләр зурлыгы белән, аның зур өслеге бар. Semicera's SiC порошогы реактивлыкны, дисперсияне һәм өслек активлыгын көчәйтә, алдынгы материал куллану өчен идеаль.

Безгә электрон почта җибәрегез

Продукциянең детальләре

Продукция тэглары

Кремний карбид (SiC)электрон компонентлар өчен кремнийдан тиз сайланган сайлау булып китә, аеруча киң тасма кушымталарында. SiC көчәйтелгән энергия эффективлыгын, компакт зурлыгын, авырлыгын киметүне һәм гомуми система чыгымнарын тәкъдим итә.

Электроника һәм ярымүткәргеч тармакларында югары чисталыклы SiC порошокларына сорау Семицераны югары чисталыкны үстерергә этәрде.SiC порошогы. Семицераның югары чисталыклы SiC җитештерү өчен инновацион ысулы морфологиянең йомшак үзгәрүен, материаль куллануны әкренрәк һәм кристалл үсеш көйләүләрендә тотрыклы үсеш интерфейсларын күрсәтә торган порошокларга китерә.

Безнең югары чисталыклы SiC порошогы төрле зурлыкта бар һәм клиентларның таләпләренә туры китереп көйләнә ала. Төгәлрәк мәгълүмат һәм сезнең проект турында сөйләшү өчен, Семицерага мөрәҗәгать итегез.