Ярымүткәргеч заманча тәкъдим итәSiC кристалларыюгары эффектив кулланып үсәПВТ ысулы. Куллану беләнCVD-SiCSiC чыганагы буларак яңарту блоклары, без 1,46 мм с - 1 искиткеч үсеш темпына ирештек, түбән микротубул һәм дислокация тыгызлыгы белән югары сыйфатлы кристалл формалашуны тәэмин итәбез. Бу инновацион процесс югары җитештерүчәнлекне гарантиялиSiC кристалларыЭлектр ярымүткәргеч индустриясендә кушымталар таләп итү өчен яраклы.
SiC кристалл параметры (спецификация)
- Methodсеш ысулы: Физик парларны ташу (ПВТ)
- Rateсеш темплары: 1,46 мм с - 1
- Бәллүр сыйфаты: югары микротубул һәм дислокация тыгызлыгы белән югары
- Материал: SiC (Кремний Карбид)
- Кушымта: volгары көчәнеш, югары көч, югары ешлыклы кушымталар
SiC Бәллүр үзенчәлек һәм куллану
Ярымүткәргеч's SiC кристалларыөчен идеальюгары җитештерүчән ярымүткәргеч кушымталары. Киң үткәргеч ярымүткәргеч материал югары көчәнеш, югары көч һәм югары ешлыклы кушымталар өчен бик яхшы. Безнең кристалллар ышанычлылыкны һәм эффективлыкны тәэмин итеп, иң катлаулы сыйфат стандартларына туры китерелгәнэлектр ярымүткәргеч кушымталары.
SiC кристалл детальләре
Ushedимерелгән куллануCVD-SiC блокларыЧыганак материалы буларак, безнеңSiC кристалларыгадәти ысуллар белән чагыштырганда югары сыйфат күрсәтү. Алга киткән ПВТ процессы углерод кертү кебек кимчелекләрне киметә һәм югары чисталык дәрәҗәсен саклый, безнең кристаллар өчен бик яраклы итә.ярымүткәргеч процессларычиктән тыш төгәллек таләп итә.
