Тантал карбид капланган графит каплавы

Кыска тасвирлау:

Тантал карбид каплау - алдынгы өслек каплау технологиясе, ул субстрат өслегендә каты, киемгә һәм коррозиягә каршы саклагыч катлам формалаштыру өчен тантал карбид материалын куллана. Бу каплау искиткеч үзенчәлекләргә ия, алар материалның каты булуын, югары температурага каршы торуны һәм химик каршылыкны сизелерлек арттыралар, шул ук вакытта сүрелү һәм киемне киметәләр. Танталь карбид каплаулары төрле өлкәләрдә киң кулланыла, шул исәптән сәнәгать җитештерүе, аэрокосмос, автомобиль төзелеше һәм медицина җиһазлары, материаль гомерне озайту, җитештерү нәтиҗәлелеген күтәрү һәм хезмәт күрсәтү чыгымнарын киметү өчен. Металл өслекләрне коррозиядән саклыймы, яисә механик өлешләрнең киемгә каршы торуын һәм оксидлашуга каршы торуны көчәйтәме, тантал карбид каплаулары төрле кушымталар өчен ышанычлы чишелеш бирә.

 


Продукциянең детальләре

Продукция тэглары

Semicera төрле компонентлар һәм йөртүчеләр өчен махсус тантал карбид (TaC) каплаулары белән тәэмин итә.Semicera әйдәп баручы каплау процессы тантал карбид (TaC) каплауларына югары чисталыкка, югары температураның тотрыклылыгына һәм югары химик толерантлыкка ирешергә мөмкинлек бирә, SIC / GAN кристаллларының һәм EPI катламнарының продукт сыйфатын яхшырта (Графит белән капланган TaC сусепторы), һәм төп реактор компонентларының гомерен озайту. Танталь карбид TaC капламасын куллану - чит проблеманы чишү һәм кристалл үсешенең сыйфатын яхшырту, һәм Семицера Семицера тантал карбид каплау технологиясен (CVD) чиште, халыкара дәрәҗәгә иреште.

 

Озак еллар үсештән соң, Семицера технологиясен яулап алдыCVD TaCфәнни-тикшеренү бүлегенең уртак тырышлыгы белән. SiC ваферларының үсеш процессында җитешсезлекләр җиңел, ләкин кулланганнан соңTaC, аерма зур. Түбәндә вафиннарны TaC белән һәм аннан башка чагыштыру, шулай ук ​​Симицераның бер кристалл үсеше өчен өлешләре

20 _20240227150045

белән һәм аннан башка

20 _20240227150053

TaC кулланганнан соң (уңда)

Моннан тыш, Semicera's TaC каплау продуктларының хезмәт итү вакыты SiC каплагычына караганда озынрак һәм югары температурага чыдамрак. Озак вакыт лаборатория үлчәү мәгълүматларыннан соң, безнең TaC озак вакыт максимум 2300 градус җылылыкта эшли ала. Түбәндә безнең кайбер үрнәкләр бар:

20 _20240227145010

а) PVT ысулы белән SiC бер кристалл ингот үсә торган җайланманың схематик схемасы (б) иң югары TaC капланган орлык кашаасы (SiC орлыгын да кертеп) (в) TAC белән капланган графит кулланма боҗрасы

ZDFVzCFV
Төп үзенчәлек
Семицера Эш урыны
Семицера эш урыны 2
Equipmentиһазлау машинасы
CNN эшкәртү, химик чистарту, CVD каплау
Безнең хезмәт

  • Алдагы:
  • Киләсе: