Тасвирлау
Графит Суссепторы беләнКремний карбид каплау, 6 кисәк6 дюймлы вафер ташучыярымсерадан югары эффектив эпитаксиаль үсеш кушымталары өчен искиткеч ныклык һәм җылылык үткәрүчәнлеге тәкъдим ителә. Семицера кебек процессларны көчәйтү өчен эшләнгән алдынгы сусепторларда махсуслашаSi EpitaxyһәмSiC Epitaxy, ярымүткәргеч мохит таләп иткәндә ышанычлы эшне тәэмин итү.
Бу сусептор махсус куллану өчен эшләнгәнMOCVD Суссепторсистемалары һәм PSS Etching Carrier, ICP Etching Carrier, һәм RTP Carrier кебек төрле операторлар белән ярашуны тәкъдим итә. Монокристалл кремний җитештерү һәм LED Epitaxial Susceptor көйләүләре өчен идеаль, төрле конфигурацияләрдә күпкырлылык тәкъдим итә, шул исәптән Баррель Суссепторы һәм Pancake Susceptor дизайннары.
Кремний карбид каплавы булган графит сепсепторы шулай ук кояш энергиясе өлкәсендәге кушымталарны фотовольтаик өлешләр белән интеграцияләү ярдәмендә куллана һәм SiN эпитакси процессларында GaN-та өстенлек бирә. Аның 6 дюймлы вафер йөртүче сыйдырышлыгы югары үткәрүне тәэмин итә, аны ярымүткәргеч һәм фотоволтаик тармакларда җитештерүчеләр өчен кирәкле коралга әйләндерә.
Төп үзенчәлекләр
1 .Бары чисталык SiC капланган графит
2. supгары җылылыкка каршы тору һәм җылылык бердәмлеге
3. ЯхшыSiC кристалл белән капланганшома өслек өчен
4. Химик чистартуга каршы ныклык
CVD-SIC капламаларының төп үзенчәлекләре:
| SiC-CVD | ||
| Тыгызлыгы | (g / cc) | 3.21 |
| Флексур көч | (Mpa) | 470 |
| Rылылык киңәюе | (10-6 / К) | 4 |
| Rылылык үткәрүчәнлеге | (W / mK) | 300 |
Урлау һәм җибәрү
Тапшыру сәләте:
Айга 10000 кисәк / кисәк
Пакетлау һәм китерү:
Урлау: Стандарт һәм көчле төрү
Поли сумка + тартма + картон + паллет
Порт:
Нинбо / Шэньчжэнь / Шанхай
Алдынгы вакыт:
| Сан (кисәкләр) | 1-1000 | > 1000 |
| Эст. Вакыт (көннәр) | 30 | Сөйләшү |
