Семицерагорурлык белән үзенең алдынгы өлешен тәкъдим итәЭпитаксиярымүткәргеч индустриясенең гел үсә барган ихтыяҗларын канәгатьләндерү өчен эшләнгән хезмәтләр. Галлиум нитрид (GaN) - аның үзенчәлеге белән билгеле материал, һәм безнең эпитаксиаль үсеш процесслары бу өстенлекләрнең сезнең җайланмаларда тулысынча тормышка ашырылуын тәэмин итә.
Nгары җитештерүчәнлекле GaN катламнары Семицераюгары сыйфатлы җитештерүдә махсуслашаЭпитаксикатламнар, чагыштыргысыз материаль чисталык һәм структур бөтенлек тәкъдим итәләр. Бу катламнар төрле кушымталар өчен бик мөһим, электр электроникасыннан оптоэлектроникага кадәр, монда югары җитештерүчәнлек һәм ышанычлылык кирәк. Безнең төгәл үсеш техникасы һәр GaN катламының заманча җайланмалар өчен кирәкле стандартларга туры килүен тәэмин итә.
Эффективлык өчен оптимальләштерелгән.Әр сүзнеңЭпитаксиSemicera тарафыннан бирелгән, сезнең электрон компонентларның эффективлыгын күтәрү өчен махсус эшләнгән. Аз җитешсезлек, югары чисталыклы GaN катламнарын китереп, без җайланмаларга югары ешлыкларда һәм көчәнешләрдә эшләргә мөмкинлек бирәбез, энергия югалуы белән. Бу оптимизация югары электрон-мобиль транзисторлар (HEMT) һәм яктылык җибәрүче диодлар (LED) кебек кушымталар өчен ачкыч, анда эффективлык иң мөһиме.
Күпкырлы куллану потенциалы Семицера'sЭпитаксикүпкырлы, төрле тармакларга һәм кулланмаларга туклану. Электр көчәйткечләрен, RF компонентларын яки лазер диодларын үстерәсезме, безнең GaN эпитаксиаль катламнары югары җитештерүчән, ышанычлы җайланмалар өчен кирәкле нигез бирә. Безнең процесс конкрет таләпләргә туры китереп, сезнең продуктларның оптималь нәтиҗәләргә ирешүен тәэмин итә ала.
Сыйфатка тугрылыкСыйфат - нигез ташыСемицера.әр сүзнеңЭпитакси. Без эпитаксиаль үсеш технологияләрен һәм катгый сыйфат белән идарә итү чараларын кулланабыз, искиткеч тигезлекне, түбән җитешсезлек тыгызлыгын һәм өстен материаль үзенчәлекләрен күрсәтүче GaN катламнарын җитештерү өчен. Сыйфатка бу тугрылык сезнең җайланмаларның сәнәгать стандартларына туры килүен генә түгел, ә тәэмин итүен тәэмин итә.
Инновацион үсеш техникасы Семицераөлкәсендә инновацияләрнең алгы сафындаЭпитакси. Безнең коллектив үсеш процессын яхшырту өчен яңа ысуллар һәм технологияләр эзли, GaN катламнарын көчәйтелгән электр һәм җылылык характеристикалары белән тәэмин итә. Бу яңалыклар яхшырак эшләүче җайланмаларга тәрҗемә ителә, киләсе буын кушымталары таләпләрен канәгатьләндерә ала.
Сезнең проектлар өчен махсуслаштырылган чишелешләрEachәр проектның уникаль таләпләргә ия булуын тану,Семицераүзенчәлекле тәкъдим итәЭпитаксичишелешләр. Сезгә махсус допинг профильләре, катлам калынлыклары, яисә өслек бетүләре кирәкме, без сезнең белән тыгыз хезмәттәшлек итәбез, сезнең төгәл ихтыяҗларыгызга туры килгән процесс. Безнең максат - җайланмагызның эшләвен һәм ышанычлылыгын тәэмин итү өчен төгәл эшләнгән GaN катламнары белән тәэмин итү.
| Предметлар | Producитештерү | Тикшеренү | Думи |
| Бәллүр параметрлар | |||
| Политип | 4H | ||
| Faceир өстендә ориентация хата | <11-20> 4 ± 0,15 ° | ||
| Электр параметрлары | |||
| Допант | азот | ||
| Каршылык | 0.015-0.025ohm · см | ||
| Механик параметрлар | |||
| Диаметр | 150,0 ± 0,2 мм | ||
| Калынлык | 350 ± 25 мм | ||
| Беренчел яссы юнәлеш | [1-100] ± 5 ° | ||
| Беренчел яссы озынлык | 47,5 ± 1,5 мм | ||
| Икенче фатир | Беркем дә юк | ||
| TTV | ≤5 мм | ≤10 мм | ≤15 мм |
| ЛТВ | ≤3 μm (5 мм * 5 мм) | ≤5 μm (5 мм * 5 мм) | ≤10 μm (5 мм * 5 мм) |
| Bowәя | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| Сугыш | ≤35 мм | ≤45 μm | ≤55 мм |
| Фронт (Si-face) тупаслыгы (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm * 5μm) | ||
| Структурасы | |||
| Микропип тыгызлыгы | <1 ea / cm2 | <10 ea / cm2 | <15 ea / cm2 |
| Металл пычраклары | ≤5E10атом / см2 | NA | |
| BPD | 001500 ea / cm2 | 0003000 ea / см2 | NA |
| TSD | 00500 ea / cm2 | 0001000 ea / cm2 | NA |
| Алгы сыйфат | |||
| Фронт | Si | ||
| Faceир өсте бетү | Si-face CMP | ||
| Кисәкчәләр | ≤60ea / wafer (size≥0.3μm) | NA | |
| Сызулар | ≤5ea / мм. Кумулятив озынлык ≤Диаметр | Кумулятив озынлык≤2 * Диаметр | NA |
| Алсу кабыгы / чокырлар / таплар / стриацияләр / ярыклар / пычрану | Беркем дә юк | NA | |
| Кыр чиплары / индекслар / сыну / алты тәлинкәләр | Беркем дә юк | ||
| Политип өлкәләре | Беркем дә юк | Кумулятив мәйдан ≤20% | Кумулятив мәйдан ≤30% |
| Алгы лазер маркировкасы | Беркем дә юк | ||
| Арткы сыйфат | |||
| Артка тәмамлау | C-йөзле CMP | ||
| Сызулар | ≤5ea / мм, Кумулятив озынлык≤2 * Диаметр | NA | |
| Арткы җитешсезлекләр (кыр чиплары / индекс) | Беркем дә юк | ||
| Арткы тупаслык | Ra≤0.2nm (5μm * 5μm) | ||
| Арткы лазер маркировкасы | 1 мм (өске кырдан) | ||
| Кыр | |||
| Кыр | Чамфер | ||
| Пакетлау | |||
| Пакетлау | Эпи вакуум упаковка белән әзер Күп ваферлы кассета төрү | ||
| * Искәрмәләр NA "NA" бернинди сорау да әйтелмәгән әйберләр SEMI-STD турында булырга мөмкин. | |||
