Semicera төрле компонентлар һәм йөртүчеләр өчен махсус тантал карбид (TaC) каплаулары белән тәэмин итә.Semicera әйдәп баручы каплау процессы тантал карбид (TaC) каплауларына югары чисталыкка, югары температураның тотрыклылыгына һәм югары химик толерантлыкка ирешергә мөмкинлек бирә, SIC / GAN кристаллларының һәм EPI катламнарының продукт сыйфатын яхшырта (Графит белән капланган TaC сусепторы), һәм төп реактор компонентларының гомерен озайту. Танталь карбид TaC каплавын куллану - чит проблеманы чишү һәм кристалл үсешенең сыйфатын яхшырту, һәм Семицера танталь карбид каплау технологиясен (CVD) чиште, халыкара дәрәҗәгә иреште.
8 дюймлы кремний карбид (SiC) ваферлары барлыкка килү белән, төрле ярымүткәргеч процессларга таләпләр көннән-көн катгыйланды, аеруча эпитакс процесслар өчен, температура 2000 градустан артып китә ала. Кремний карбид белән капланган графит кебек традицион сусептор материаллары эпитакси процессын бозып, бу югары температурада сублиматлашырга омтылалар. Ләкин, CVD тантал карбид (TaC) бу проблеманы эффектив хәл итә, 2300 градуска кадәр температурага каршы тора һәм озаграк хезмәт итү вакытын тәкъдим итә. Семицера белән элемтәгә керергә 's CVD Тантал Карбид белән капланган Upperгары ярты айбезнең алдынгы чишелешләр турында күбрәк белергә.
Озак еллар үсештән соң, Семицера технологиясен яулап алдыCVD TaCфәнни-тикшеренү бүлегенең уртак тырышлыгы белән. SiC ваферларының үсеш процессында җитешсезлекләр җиңел, ләкин кулланганнан соңTaC, аерма зур. Түбәндә вафиннарны TaC белән һәм аннан башка чагыштыру, шулай ук Симицераның бер кристалл үсеше өчен өлешләре.
белән һәм аннан башка
TaC кулланганнан соң (уңда)
Моннан тыш, СемицераTaC белән капланган продуктларчагыштырганда озынрак хезмәт срокы һәм зуррак температурага каршы торуSiC каплаулары.Лаборатория үлчәүләре безнең моны күрсәттеTaC каплауларыОзак вакыт дәвамында 2300 градуска кадәр температурада эзлекле эшли ала. Түбәндә безнең үрнәкләрнең кайбер мисаллары китерелгән:
TaC капланган суссептор
TaC капланган реактор белән графит
