CVD SiC каплау

Кремний карбид каплавы белән таныштыру 

Безнең химик пар парламенты (CVD) Кремний Карбид (SiC) каплавы - бик нык һәм киемгә чыдам катлам, югары коррозия һәм җылылык каршылыгы таләп иткән мохит өчен идеаль.Кремний Карбид каплавыCVD процессы аша төрле субстратларда нечкә катламнарда кулланыла, югары җитештерүчәнлек характеристикаларын тәкъдим итә.


Төп үзенчәлекләр

       ● - Гадәттән тыш чисталык: Ультра-саф композиция белән мактану99.99995%, безнеңSiC каплаусизгер ярымүткәргеч операцияләрендә пычрану куркынычын киметә.

● -Беренче каршылык: Киемгә дә, коррозиягә дә бик яхшы каршылык күрсәтә, аны химик һәм плазма көйләүләренә каршы тора.
● -Бары җылылык үткәрүчәнлеге: Термаль үзенчәлекләр аркасында экстремаль температурада ышанычлы эшне тәэмин итә.
● - Диаметраль тотрыклылык: Түбән җылылык киңәю коэффициенты ярдәмендә киң температура буенча структур бөтенлекне саклый.
● - Көчлелек: Катылык рейтингы белән40 GPa, безнең SiC каплавы зур тәэсиргә һәм абразиягә каршы тора.
● -Сәм өслек бетү: Көзгегә охшаган бетү тәэмин итә, кисәкчәләр җитештерүне киметә һәм оператив эффективлыкны күтәрә.


Кушымталар

Семицера SiC каплауларыярымүткәргеч җитештерүнең төрле этапларында кулланыла, шул исәптән:

● -LED чип җитештерү
● -Полисиликон җитештерү
● -Ярымүткәргеч кристалл үсеше
● -Кремний һәм SiC эпитаксы
● -Rылылык оксидлашуы һәм диффузия (TO&D)

 

Без югары көчле изостатик графиттан, углерод җепселле-ныгытылган углеродтан һәм 4N рекристализацияләнгән кремний карбидыннан эшләнгән SiC белән капланган компонентлар белән тәэмин итәбез, сыеклыклы карават реакторлары өчен эшләнгән,STC-TCS конвертерлары, CZ берәмлек рефлекторлары, SiC вафер көймәсе, SiCwafer калаклары, SiC вафер трубасы, һәм PECVD, кремний эпитаксы, MOCVD процессларында кулланылган вафер йөртүчеләр..


Файдасы

● - Киңәйтелгән гомер: Equipmentиһазларның эштән азат ителүе һәм хезмәт күрсәтү чыгымнарын сизелерлек киметә, гомуми җитештерү нәтиҗәлелеген күтәрә.
● - Яхшыртылган сыйфат: Ярымүткәргеч эшкәртү өчен кирәк булган югары чисталык өслекләренә ирешә, шулай итеп продукт сыйфатын күтәрә.
● - Эффективлыкны арттыру: Rылылык һәм CVD процессларын оптимальләштерәләр, нәтиҗәдә цикл вакыты кыскарак һәм уңышлырак.


Техник үзенчәлекләр
     

● -Структурасы: FCC β фазалы поликристалин, нигездә (111) юнәлешле
●-тыгызлык: 3,21 г / см³
Ard -Хардлык: 2500 Викс катылыгы (500г йөк)
● -Сыну каты: 3.0 MPa · m1/2
● -Термаль киңәйтү коэффициенты (100-600 ° C): 4.3 x 10-6k-1
● -Эластик модуль (1300 ℃):435 GPa
● -Типик кино калынлыгы:100 мм
● - faceир өсте тупаслыгы:2-10 µm


Чисталык мәгълүматлары (Ялкынлы масса спектроскопиясе белән үлчәнәләр)

Элемент

ppm

Элемент

ppm

Li

<0,001

Cu

<0.01

Be

<0,001

Zn

<0.05

Әл

<0.04

Ga

<0.01

P

<0.01

Ge

<0.05

S

<0.04

As

<0,005

K

<0.05

In

<0.01

Ca

<0.05

Sn

<0.01

Ti

<0,005

Sb

<0.01

V

<0,001

W

<0.05

Cr

<0.05

Te

<0.01

Mn

<0,005

Pb

<0.01

Fe

<0.05

Bi

<0.05

Ni

<0.01

 

 
Заманча CVD технологиясен кулланып, без махсус тәкъдим итәбезSiC каплау чишелешләреклиентларыбызның динамик ихтыяҗларын канәгатьләндерү һәм ярымүткәргеч җитештерүдә алга китешләргә булышу.