Күпчелек CVD SiC боҗрасы

Кыска тасвирлау:

Күпчелек CVD SiC боҗралары кремний чыганак газын (кремний гидрид кебек) һәм углерод чыганагы газын (метан кебек) чимал итеп кулланалар, югары температурада реакция ясыйлар, зур күләмле SiC материалларын субстратка яки формага урнаштыралар. Бу процесс SiC-ны зур мәйданда бертөрле урнаштырырга мөмкинлек бирә, көчле һәм эзлекле боҗра структурасын формалаштыра.

Безгә электрон почта җибәрегез

Продукциянең детальләре

Продукция тэглары

Ни өчен Кремний Карбид Этчинг боҗрасы?

РТПCVD SiC яңгырыйсәнәгать һәм фәнни өлкәләрдә югары температурада һәм коррозив мохиттә киң кулланыла. Ул ярымүткәргеч җитештерүдә, оптоэлектроника, төгәл техника һәм химия сәнәгатендә мөһим роль уйный. Конкрет кушымталар:

1. Ярымүткәргеч җитештерү:RTP CVD SiC яңгырыйярымүткәргеч җиһазларны җылыту һәм суыту, температураны тотрыклы контрольдә тоту һәм процессның төгәллеген һәм эзлеклелеген тәэмин итү өчен кулланылырга мөмкин.

2. Оптоэлектроника: Яхшы җылылык үткәрүчәнлеге һәм югары температурага чыдамлыгы аркасында, РТПCVD SiC яңгырыйЛазерлар, оптик элемтә җиһазлары һәм оптик компонентлар өчен терәк һәм җылылык тарату материаллары буларак кулланылырга мөмкин.

4. Химия сәнәгате: Коррозиягә каршы тору һәм химик тотрыклылык аркасында, RTP CVD SiC боҗралары контейнерларда, торбаларда һәм реакторларда химик реакцияләрдә һәм катализатор процессларда кулланылырга мөмкин.

Эпи системасы

РТП системасы

CVD системасы

Продукт җитештерүчәнлеге:

1. 28нм астындагы процесс белән танышыгыз

2. Супер коррозиягә каршы тору

3. Супер чиста күрсәткеч

4. Супер каты

5. Highгары тыгызлык

6. temperatureгары температурага каршы тору

7. Каршылык киегез

Продукция кушымтасы:

Кремний карбид материаллары югары каты, киемгә каршы тору, коррозиягә каршы тору һәм югары температураның тотрыклылыгы. Искиткеч комплекслы продуктлар коры эфирда һәм TF / Диффузия процессларында киң кулланыла.