8 лнч n тибындагы үткәргеч SiC субстратасы электрон җайланмалар өчен чагыштыргысыз эш күрсәтә, искиткеч җылылык үткәрүчәнлеген, югары ватылу көчәнешен һәм алдынгы ярымүткәргеч кушымталары өчен искиткеч сыйфатны тәэмин итә. Семицера үзенең инженерлы 8 лнч n тибындагы үткәргеч SiC субстратасы белән сәнәгатьнең алдынгы чишелешләрен тәкъдим итә.
Semicera-ның 8 лнч n тибындагы үткәргеч SiC субстратасы - электроника һәм югары җитештерүчән ярымүткәргеч кушымталарның үсә барган таләпләрен канәгатьләндерү өчен эшләнгән заманча материал. Субстрат кремний карбид һәм n тибындагы үткәрүчәнлекнең өстенлекләрен берләштерә, югары тыгызлык, җылылык эффективлыгы һәм ышанычлылык таләп итә торган җайланмаларда чагыштыргысыз эш башкару.
Семицераның 8 лнч n тибындагы үткәргеч SiC субстратасы югары сыйфатны һәм эзлеклелекне тәэмин итү өчен җентекләп эшләнгән. Эффектив җылылык тарату өчен искиткеч җылылык үткәрүчәнлеге бар, аны электр инвертерлары, диодлар һәм транзисторлар кебек югары көчле кушымталар өчен идеаль итә. Өстәвенә, бу субстратның югары ватылу көчәнеше таләпчән шартларга каршы тора алуын тәэмин итә, югары җитештерүчән электроника өчен нык мәйданчык бирә.
Семицера ярымүткәргеч технологиясен алга җибәрүдә 8 лнч n тибындагы үткәргеч SiC субстратының мөһим ролен таный. Безнең субстратлар заманча процесслар ярдәмендә җитештерелә, минималь җитешсезлек тыгызлыгын тәэмин итү өчен, бу эффектив җайланмалар үсеше өчен бик мөһим. Бу детальгә игътибар, югары җитештерүчәнлек һәм ныклык белән киләсе буын электроникасы җитештерүне тәэмин итүче продуктларга мөмкинлек бирә.
Безнең 8 лнч n тибындагы үткәргеч SiC субстрат шулай ук автомобильдән яңартыла торган энергиягә кадәр күп кушымталар ихтыяҗларын канәгатьләндерү өчен эшләнгән. n тибындагы үткәрүчәнлек эффектив энергия җайланмаларын үстерү өчен кирәк булган электр үзлекләрен тәэмин итә, бу субстратны энергияне сакчыл технологияләргә күчүдә төп компонент итә.
Семицерада без ярымүткәргеч җитештерүдә инновацияләр тудыручы субстратлар бирергә әзер. 8 лнч n тибындагы үткәргеч SiC субстрат - безнең клиентларга гаризалары өчен иң яхшы материалны алуны тәэмин итеп, сыйфатка һәм камиллеккә багышлануыбызның дәлиле.
Төп параметрлар
| Размер | 8 дюйм |
| Диаметр | 200.0 мм + 0 мм / -0.2 мм |
| Faceир өсте юнәлеше | читтән: 4 ° <1120> 士 0,5 ° ка |
| Нечкә юнәлеш | <1100> 士 1 ° |
| Нечкә почмак | 90 ° + 5 ° / -1 ° |
| Тирәнлек | 1 мм + 0,25 мм / -0 мм |
| Икенче фатир | / |
| Калынлык | 500.0 士 25.0ум / 350.0 ± 25.0ум |
| Политип | 4H |
| Uctткәргеч төр | n-тип |
