Семицерабелән таныштыра850В югары көчле GaN-on-Si Epi Wafer, ярымүткәргеч инновациясендә алга китеш. Бу алдынгы эпи вафер Галлиум Нитридның (GaN) югары эффективлыгын Кремний (Si) чыгым эффективлыгы белән берләштерә, югары көчәнешле кушымталар өчен көчле чишелеш булдыра.
Төп үзенчәлекләр:
•Volгары көчәнеш эшкәртү: 850В га кадәр тәэмин итү өчен эшләнгән, бу GaN-on-Si Epi Wafer электр электроникасын таләп итү өчен идеаль, югары эффективлык һәм эш башкару мөмкинлеге бирә.
•Көч тыгызлыгы: Электрон хәрәкәтчәнлеге һәм җылылык үткәрүчәнлеге белән, GaN технологиясе компакт конструкцияләргә һәм көч тыгызлыгын арттырырга мөмкинлек бирә.
•Чыгым-эффектив чишелеш: Кремнийны субстрат итеп кулланып, бу эпи вафер сыйфатка яки эшкә зыян китермичә, традицион GaN ваферларына кыйммәт эффектив альтернатива тәкъдим итә.
•Киң куллану диапазоны: Энергия конвертерларында, RF көчәйткечләрендә һәм башка көчле электрон җайланмаларда куллану өчен бик яхшы, ышанычлылыкны һәм ныклыкны тәэмин итә.
Semicera's белән югары көчәнешле технологиянең киләчәген барлау850В югары көчле GaN-on-Si Epi Wafer. Заманча кушымталар өчен эшләнгән бу продукт сезнең электрон җайланмаларның максималь эффективлык һәм ышанычлылык белән эшләвен тәэмин итә. Киләсе буын ярымүткәргеч ихтыяҗлары өчен Семисераны сайлагыз.
| Предметлар | Producитештерү | Тикшеренү | Думи |
| Бәллүр параметрлар | |||
| Политип | 4H | ||
| Faceир өстендә ориентация хата | <11-20> 4 ± 0,15 ° | ||
| Электр параметрлары | |||
| Допант | азот | ||
| Каршылык | 0.015-0.025ohm · см | ||
| Механик параметрлар | |||
| Диаметр | 150,0 ± 0,2 мм | ||
| Калынлык | 350 ± 25 мм | ||
| Беренчел яссы юнәлеш | [1-100] ± 5 ° | ||
| Беренчел яссы озынлык | 47,5 ± 1,5 мм | ||
| Икенче фатир | Беркем дә юк | ||
| TTV | ≤5 мм | ≤10 мм | ≤15 мм |
| ЛТВ | ≤3 μm (5 мм * 5 мм) | ≤5 μm (5 мм * 5 мм) | ≤10 μm (5 мм * 5 мм) |
| Bowәя | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| Сугыш | ≤35 мм | ≤45 μm | ≤55 мм |
| Фронт (Si-face) тупаслыгы (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm * 5μm) | ||
| Структурасы | |||
| Микропип тыгызлыгы | <1 ea / cm2 | <10 ea / cm2 | <15 ea / cm2 |
| Металл пычраклары | ≤5E10атом / см2 | NA | |
| BPD | 001500 ea / cm2 | 0003000 ea / см2 | NA |
| TSD | 00500 ea / cm2 | 0001000 ea / cm2 | NA |
| Алгы сыйфат | |||
| Фронт | Si | ||
| Faceир өсте бетү | Si-face CMP | ||
| Кисәкчәләр | ≤60ea / wafer (size≥0.3μm) | NA | |
| Сызулар | ≤5ea / мм. Кумулятив озынлык ≤Диаметр | Кумулятив озынлык≤2 * Диаметр | NA |
| Алсу кабыгы / чокырлар / таплар / стриацияләр / ярыклар / пычрану | Беркем дә юк | NA | |
| Кыр чиплары / индекслар / сыну / алты тәлинкәләр | Беркем дә юк | ||
| Политип өлкәләре | Беркем дә юк | Кумулятив мәйдан ≤20% | Кумулятив мәйдан ≤30% |
| Алгы лазер маркировкасы | Беркем дә юк | ||
| Арткы сыйфат | |||
| Артка тәмамлау | C-йөзле CMP | ||
| Сызулар | ≤5ea / мм, Кумулятив озынлык≤2 * Диаметр | NA | |
| Арткы җитешсезлекләр (кыр чиплары / индекс) | Беркем дә юк | ||
| Арткы тупаслык | Ra≤0.2nm (5μm * 5μm) | ||
| Арткы лазер маркировкасы | 1 мм (өске кырдан) | ||
| Кыр | |||
| Кыр | Чамфер | ||
| Пакетлау | |||
| Пакетлау | Эпи вакуум упаковка белән әзер Күп ваферлы кассета төрү | ||
| * Искәрмәләр NA "NA" бернинди сорау да әйтелмәгән әйберләр SEMI-STD турында булырга мөмкин. | |||
