Semicera's 8 Inch N тибындагы SiC Wafers ярымүткәргеч инновацияләренең алгы сафында, югары җитештерүчән электрон җайланмалар үсеше өчен ныклы база бирә. Бу ваферлар заманча электрон кушымталарның катгый таләпләрен канәгатьләндерү өчен эшләнгән, электр электроникасыннан югары ешлыклы схемаларга кадәр.
Бу SiC ваферларында N тибындагы допинг аларның электр үткәрүчәнлеген көчәйтә, аларны күп төрле кушымталар өчен идеаль итә, шул исәптән электр диодлары, транзисторлар һәм көчәйткечләр. Conductгары үткәрүчәнлек минималь энергия югалтуын һәм эффектив эшләвен тәэмин итә, алар югары ешлыкларда һәм көч дәрәҗәсендә эшләүче җайланмалар өчен бик мөһим.
Семицера махсус өслек бердәмлеге һәм минималь җитешсезлекләре булган SiC ваферларын җитештерү өчен алдынгы җитештерү техникасын куллана. Бу төгәллек дәрәҗәсе аэрокосмос, автомобиль һәм телекоммуникация өлкәләрендә кебек эзлекле эшләүне һәм ныклыкны таләп итә торган кушымталар өчен бик кирәк.
Semicera-ның 8 Inch N тибындагы SiC Wafers-ны сезнең җитештерү линиясенә кертү каты мохиткә һәм югары температурага каршы тора алырлык компонентлар булдыру өчен нигез бирә. Бу ваферлар электр конверсиясендә, RF технологиясендә һәм башка таләпчән өлкәләрдә куллану өчен бик яхшы.
Semicera-ның 8 Inch N тибындагы SiC Wafers-ны сайлау - югары сыйфатлы материал фәнен төгәл инженерия белән берләштергән продуктка инвестиция кертү дигән сүз. Semicera ярымүткәргеч технологияләренең мөмкинлекләрен алга җибәрергә, электрон җайланмаларның эффективлыгын һәм ышанычлылыгын арттыручы чишелешләр тәкъдим итәргә әзер.
| Предметлар | Producитештерү | Тикшеренү | Думи |
| Бәллүр параметрлар | |||
| Политип | 4H | ||
| Faceир өстендә ориентация хата | <11-20> 4 ± 0,15 ° | ||
| Электр параметрлары | |||
| Допант | азот | ||
| Каршылык | 0.015-0.025ohm · см | ||
| Механик параметрлар | |||
| Диаметр | 150,0 ± 0,2 мм | ||
| Калынлык | 350 ± 25 мм | ||
| Беренчел яссы юнәлеш | [1-100] ± 5 ° | ||
| Беренчел яссы озынлык | 47,5 ± 1,5 мм | ||
| Икенче фатир | Беркем дә юк | ||
| TTV | ≤5 мм | ≤10 мм | ≤15 мм |
| ЛТВ | ≤3 μm (5 мм * 5 мм) | ≤5 μm (5 мм * 5 мм) | ≤10 μm (5 мм * 5 мм) |
| Bowәя | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| Сугыш | ≤35 мм | ≤45 μm | ≤55 мм |
| Фронт (Si-face) тупаслыгы (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm * 5μm) | ||
| Структурасы | |||
| Микропип тыгызлыгы | <1 ea / cm2 | <10 ea / cm2 | <15 ea / cm2 |
| Металл пычраклары | ≤5E10атом / см2 | NA | |
| BPD | 001500 ea / cm2 | 0003000 ea / см2 | NA |
| TSD | 00500 ea / cm2 | 0001000 ea / cm2 | NA |
| Алгы сыйфат | |||
| Фронт | Si | ||
| Faceир өсте бетү | Si-face CMP | ||
| Кисәкчәләр | ≤60ea / wafer (size≥0.3μm) | NA | |
| Сызулар | ≤5ea / мм. Кумулятив озынлык ≤Диаметр | Кумулятив озынлык≤2 * Диаметр | NA |
| Алсу кабыгы / чокырлар / таплар / стриацияләр / ярыклар / пычрану | Беркем дә юк | NA | |
| Кыр чиплары / индекслар / сыну / алты тәлинкәләр | Беркем дә юк | ||
| Политип өлкәләре | Беркем дә юк | Кумулятив мәйдан ≤20% | Кумулятив мәйдан ≤30% |
| Алгы лазер маркировкасы | Беркем дә юк | ||
| Арткы сыйфат | |||
| Артка тәмамлау | C-йөзле CMP | ||
| Сызулар | ≤5ea / мм, Кумулятив озынлык≤2 * Диаметр | NA | |
| Арткы җитешсезлекләр (кыр чиплары / индекс) | Беркем дә юк | ||
| Арткы тупаслык | Ra≤0.2nm (5μm * 5μm) | ||
| Арткы лазер маркировкасы | 1 мм (өске кырдан) | ||
| Кыр | |||
| Кыр | Чамфер | ||
| Пакетлау | |||
| Пакетлау | Эпи вакуум упаковка белән әзер Күп ваферлы кассета төрү | ||
| * Искәрмәләр NA "NA" бернинди сорау да әйтелмәгән әйберләр SEMI-STD турында булырга мөмкин. | |||
