Semicera-ның 6 дюйм ярым изоляцион HPSI SiC Wafers заманча ярымүткәргеч технологияләренең катгый таләпләрен канәгатьләндерү өчен эшләнгән. Гадәттән тыш чисталык һәм эзлеклелек белән, бу ваферлар югары эффектив электрон компонентларны үстерү өчен ышанычлы нигез булып хезмәт итәләр.
Бу HPSI SiC ваферлары җылылык үткәрүчәнлеге һәм электр изоляциясе белән билгеле, алар электр җайланмалары һәм югары ешлыклы схемалар оптимальләштерү өчен бик мөһим. Ярым изоляцион үзлекләр электр комачаулавын киметергә һәм җайланманың эффективлыгын арттырырга ярдәм итә.
Семицера кулланган югары сыйфатлы җитештерү процессы һәр вафинның калынлыгы һәм минималь өслек җитешсезлекләрен тәэмин итә. Бу төгәллек радио ешлык җайланмалары, электр инвертерлары, LED системалары кебек алдынгы кушымталар өчен бик кирәк, монда эш башкару һәм ныклык төп факторлар.
Заманча җитештерү техникасын кулланып, Семицера ваферлар белән тәэмин итә, алар сәнәгать стандартларына туры килә. 6 дюйм зурлыгы ярымүткәргеч өлкәсендәге тикшеренүләргә дә, коммерция кушымталарына да туклану производствосын киңәйтүдә сыгылучылык тәкъдим итә.
Semicera-ның 6 дюйм ярым изоляцион HPSI SiC Wafers-ны сайлау эзлекле сыйфат һәм эш башкаручы продуктка инвестиция кертү дигән сүз. Бу ваферлар Семицераның инновацион материаллар һәм җентекләп осталык ярдәмендә ярымүткәргеч технологияләренең мөмкинлекләрен алга җибәрү бурычы.
| Предметлар | Producитештерү | Тикшеренү | Думи |
| Бәллүр параметрлар | |||
| Политип | 4H | ||
| Faceир өстендә ориентация хата | <11-20> 4 ± 0,15 ° | ||
| Электр параметрлары | |||
| Допант | азот | ||
| Каршылык | 0.015-0.025ohm · см | ||
| Механик параметрлар | |||
| Диаметр | 150,0 ± 0,2 мм | ||
| Калынлык | 350 ± 25 мм | ||
| Беренчел яссы юнәлеш | [1-100] ± 5 ° | ||
| Беренчел яссы озынлык | 47,5 ± 1,5 мм | ||
| Икенче фатир | Беркем дә юк | ||
| TTV | ≤5 мм | ≤10 мм | ≤15 мм |
| ЛТВ | ≤3 μm (5 мм * 5 мм) | ≤5 μm (5 мм * 5 мм) | ≤10 μm (5 мм * 5 мм) |
| Bowәя | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| Сугыш | ≤35 мм | ≤45 μm | ≤55 мм |
| Фронт (Si-face) тупаслыгы (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm * 5μm) | ||
| Структурасы | |||
| Микропип тыгызлыгы | <1 ea / cm2 | <10 ea / cm2 | <15 ea / cm2 |
| Металл пычраклары | ≤5E10атом / см2 | NA | |
| BPD | 001500 ea / cm2 | 0003000 ea / см2 | NA |
| TSD | 00500 ea / cm2 | 0001000 ea / cm2 | NA |
| Алгы сыйфат | |||
| Фронт | Si | ||
| Faceир өсте бетү | Si-face CMP | ||
| Кисәкчәләр | ≤60ea / wafer (size≥0.3μm) | NA | |
| Сызулар | ≤5ea / мм. Кумулятив озынлык ≤Диаметр | Кумулятив озынлык≤2 * Диаметр | NA |
| Алсу кабыгы / чокырлар / таплар / стриацияләр / ярыклар / пычрану | Беркем дә юк | NA | |
| Кыр чиплары / индекслар / сыну / алты тәлинкәләр | Беркем дә юк | ||
| Политип өлкәләре | Беркем дә юк | Кумулятив мәйдан ≤20% | Кумулятив мәйдан ≤30% |
| Алгы лазер маркировкасы | Беркем дә юк | ||
| Арткы сыйфат | |||
| Артка тәмамлау | C-йөзле CMP | ||
| Сызулар | ≤5ea / мм, кумулятив озынлык≤2 * Диаметр | NA | |
| Арткы кимчелекләр (кыр чиплары / индекс) | Беркем дә юк | ||
| Арткы тупаслык | Ra≤0.2nm (5μm * 5μm) | ||
| Арткы лазер маркировкасы | 1 мм (өске кырдан) | ||
| Кыр | |||
| Кыр | Чамфер | ||
| Пакетлау | |||
| Пакетлау | Эпи вакуум упаковка белән әзер Күп ваферлы кассета төрү | ||
| * Искәрмәләр NA "NA" бернинди сорау да әйтелмәгән әйберләр SEMI-STD турында булырга мөмкин. | |||
