Semicera's 6 Inch N тибындагы SiC Wafer ярымүткәргеч технологиясенең алгы сафында тора. Оптималь эш башкару өчен эшләнгән бу вафер алдынгы электрон җайланмалар өчен кирәк булган югары көчле, югары ешлыклы һәм югары температуралы кушымталарда өстенлек бирә.
Безнең 6 Inch N тибындагы SiC ваферы югары электрон хәрәкәтчәнлекне һәм түбән каршылыкны күрсәтә, алар MOSFET, диодлар һәм башка компонентлар кебек электр җайланмалары өчен критик параметрлар. Бу үзлекләр эффектив энергия конверсиясен һәм җылылык җитештерүне киметүне тәэмин итә, электрон системаларның эшләвен һәм гомер озынлыгын арттыра.
Semicera-ның катгый сыйфат белән идарә итү процесслары һәр SiC вафинның өслекнең яссылыгын һәм минималь җитешсезлекләрен саклап калуны тәэмин итә. Бу детальгә җентекләп игътибар безнең вафиннарның автомобиль, аэрокосмик һәм телекоммуникация кебек тармакларның катгый таләпләренә туры килүен тәэмин итә.
Nгары электр характеристикасына өстәп, N тибындагы SiC ваферы нык җылылык тотрыклылыгын һәм югары температураларга каршы торуны тәкъдим итә, бу гадәти материаллар эшләмәгән мохит өчен идеаль итә. Бу мөмкинлек югары ешлыклы һәм югары көчле операцияләр белән бәйле кушымталарда аеруча кыйммәт.
Semicera-ның 6 Inch N тибындагы SiC Wafer-ны сайлап, сез ярымүткәргеч инновациянең иң югары ноктасын күрсәтүче продуктка инвестиция саласыз. Без заманча җайланмалар өчен төзелеш блоклары белән тәэмин итәргә, төрле тармактагы партнерларыбызның технологик казанышлары өчен иң яхшы материалларга ирешүен тәэмин итәргә тиеш.
| Предметлар | Producитештерү | Тикшеренү | Думи |
| Бәллүр параметрлар | |||
| Политип | 4H | ||
| Faceир өстендә ориентация хата | <11-20> 4 ± 0,15 ° | ||
| Электр параметрлары | |||
| Допант | азот | ||
| Каршылык | 0.015-0.025ohm · см | ||
| Механик параметрлар | |||
| Диаметр | 150,0 ± 0,2 мм | ||
| Калынлык | 350 ± 25 мм | ||
| Беренчел яссы юнәлеш | [1-100] ± 5 ° | ||
| Беренчел яссы озынлык | 47,5 ± 1,5 мм | ||
| Икенче фатир | Беркем дә юк | ||
| TTV | ≤5 мм | ≤10 мм | ≤15 мм |
| ЛТВ | ≤3 μm (5 мм * 5 мм) | ≤5 μm (5 мм * 5 мм) | ≤10 μm (5 мм * 5 мм) |
| Bowәя | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| Сугыш | ≤35 мм | ≤45 μm | ≤55 мм |
| Фронт (Si-face) тупаслыгы (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm * 5μm) | ||
| Структурасы | |||
| Микропип тыгызлыгы | <1 ea / cm2 | <10 ea / cm2 | <15 ea / cm2 |
| Металл пычраклары | ≤5E10атом / см2 | NA | |
| BPD | 001500 ea / cm2 | 0003000 ea / см2 | NA |
| TSD | 00500 ea / cm2 | 0001000 ea / cm2 | NA |
| Алгы сыйфат | |||
| Фронт | Si | ||
| Faceир өсте бетү | Si-face CMP | ||
| Кисәкчәләр | ≤60ea / wafer (size≥0.3μm) | NA | |
| Сызулар | ≤5ea / мм. Кумулятив озынлык ≤Диаметр | Кумулятив озынлык≤2 * Диаметр | NA |
| Алсу кабыгы / чокырлар / таплар / стриацияләр / ярыклар / пычрану | Беркем дә юк | NA | |
| Кыр чиплары / индекслар / сыну / алты тәлинкәләр | Беркем дә юк | ||
| Политип өлкәләре | Беркем дә юк | Кумулятив мәйдан ≤20% | Кумулятив мәйдан ≤30% |
| Алгы лазер маркировкасы | Беркем дә юк | ||
| Арткы сыйфат | |||
| Артка тәмамлау | C-йөзле CMP | ||
| Сызулар | ≤5ea / мм, Кумулятив озынлык≤2 * Диаметр | NA | |
| Арткы җитешсезлекләр (кыр чиплары / индекс) | Беркем дә юк | ||
| Арткы тупаслык | Ra≤0.2nm (5μm * 5μm) | ||
| Арткы лазер маркировкасы | 1 мм (өске кырдан) | ||
| Кыр | |||
| Кыр | Чамфер | ||
| Пакетлау | |||
| Пакетлау | Эпи вакуум упаковка белән әзер Күп ваферлы кассета төрү | ||
| * Искәрмәләр NA "NA" бернинди сорау да әйтелмәгән әйберләр SEMI-STD турында булырга мөмкин. | |||
