Кремний карбид (SiC) бер кристалл материалның зур диапазон аермасы киңлеге (~ Si 3 тапкыр), югары җылылык үткәрүчәнлеге (~ Si 3,3 тапкыр яки GaAs 10 тапкыр), югары электрон туендыру миграция темплары (~ Si 2,5 тапкыр), югары ватылу электр кыр (~ Si 10 тапкыр яки GaAs 5 тапкыр) һәм башка күренекле үзенчәлекләр.
Өченче буын ярымүткәргеч материалларына, нигездә, SiC, GaN, бриллиант һ.б. керә, чөнки аның полосасы аермасы киңлеге (Ег) 2,3 электрон вольттан (eV) зуррак яки тигез, ул шулай ук киң диапазон ярымүткәргеч материаллары буларак та билгеле. Беренче һәм икенче буын ярымүткәргеч материаллар белән чагыштырганда, өченче буын ярымүткәргеч материалларның югары җылылык үткәрүчәнлеге, югары ватылу электр кыры, югары туендырылган электрон миграция темплары һәм югары бәйләнеш энергиясе өстенлекләре бар, алар заманча электрон технологиянең яңа таләпләренә җавап бирә ала. температура, югары көч, югары басым, югары ешлык һәм нурланышка каршы тору һәм башка катлаулы шартлар. Аның милли оборона, авиация, аэрокосмос, нефть эзләү, оптик саклау һ.б. өлкәсендә куллану перспективалары бар, һәм киң полосалы элемтә, кояш энергиясе, автомобиль җитештерү кебек күп стратегик тармакларда энергия югалтуын 50% тан киметергә мөмкин, ярымүткәргеч яктырту, һәм акыллы челтәр, һәм җиһаз күләмен 75% тан киметергә мөмкин, бу кеше фәнен һәм технологиясен үстерү өчен мөһим вакыйга.
Семицера энергиясе клиентларга югары сыйфатлы үткәргеч (үткәргеч), ярым изоляцион (ярым изоляцион), HPSI (югары чисталык ярым изоляцион) кремний карбид субстраты белән тәэмин итә ала; Моннан тыш, без клиентларга бертөрле һәм гетероген кремний карбид эпитаксиаль таблицалар белән тәэмин итә алабыз; Без шулай ук клиентларның конкрет ихтыяҗлары буенча эпитаксиаль таблицаны көйли алабыз, һәм минималь заказ күләме юк.
| Предметлар | Producитештерү | Тикшеренү | Думи |
| Бәллүр параметрлар | |||
| Политип | 4H | ||
| Faceир өстендә ориентация хата | <11-20> 4 ± 0,15 ° | ||
| Электр параметрлары | |||
| Допант | азот | ||
| Каршылык | 0.015-0.025ohm · см | ||
| Механик параметрлар | |||
| Диаметр | 150,0 ± 0,2 мм | ||
| Калынлык | 350 ± 25 мм | ||
| Беренчел яссы юнәлеш | [1-100] ± 5 ° | ||
| Беренчел яссы озынлык | 47,5 ± 1,5 мм | ||
| Икенче фатир | Беркем дә юк | ||
| TTV | ≤5 мм | ≤10 мм | ≤15 мм |
| ЛТВ | ≤3 μm (5 мм * 5 мм) | ≤5 μm (5 мм * 5 мм) | ≤10 μm (5 мм * 5 мм) |
| Bowәя | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| Сугыш | ≤35 мм | ≤45 μm | ≤55 мм |
| Фронт (Si-face) тупаслыгы (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm * 5μm) | ||
| Структурасы | |||
| Микропип тыгызлыгы | <1 ea / cm2 | <10 ea / cm2 | <15 ea / cm2 |
| Металл пычраклары | ≤5E10атом / см2 | NA | |
| BPD | 001500 ea / cm2 | 0003000 ea / см2 | NA |
| TSD | 00500 ea / cm2 | 0001000 ea / cm2 | NA |
| Алгы сыйфат | |||
| Фронт | Si | ||
| Faceир өсте бетү | Si-face CMP | ||
| Кисәкчәләр | ≤60ea / wafer (size≥0.3μm) | NA | |
| Сызулар | ≤5ea / мм. Кумулятив озынлык ≤Диаметр | Кумулятив озынлык≤2 * Диаметр | NA |
| Алсу кабыгы / чокырлар / таплар / стриацияләр / ярыклар / пычрану | Беркем дә юк | NA | |
| Кыр чиплары / индекслар / сыну / алты тәлинкәләр | Беркем дә юк | ||
| Политип өлкәләре | Беркем дә юк | Кумулятив мәйдан ≤20% | Кумулятив мәйдан ≤30% |
| Алгы лазер маркировкасы | Беркем дә юк | ||
| Арткы сыйфат | |||
| Артка тәмамлау | C-йөзле CMP | ||
| Сызулар | ≤5ea / мм, кумулятив озынлык≤2 * Диаметр | NA | |
| Арткы кимчелекләр (кыр чиплары / индекс) | Беркем дә юк | ||
| Арткы тупаслык | Ra≤0.2nm (5μm * 5μm) | ||
| Арткы лазер маркировкасы | 1 мм (өске кырдан) | ||
| Кыр | |||
| Кыр | Чамфер | ||
| Пакетлау | |||
| Пакетлау | Эпи вакуум упаковка белән әзер Күп ваферлы кассета төрү | ||
| * Искәрмәләр NA "NA" бернинди сорау да әйтелмәгән әйберләр SEMI-STD турында булырга мөмкин. | |||
