6 дюймлы LiNbO3 бәйләү ваферы

Кыска тасвирлау:

Семицераның 6 дюймлы LiNbO3 бәйләнгән вафаты оптоэлектрон җайланмаларда, MEMS һәм интеграль схемаларда (IC) алдынгы бәйләү процесслары өчен идеаль. Supгары бәйләнеш үзенчәлекләре белән, ярымүткәргеч җайланмаларның эшләвен һәм нәтиҗәлелеген тәэмин итеп, төгәл катламны тигезләү һәм интеграцияләү өчен идеаль. Вафинның югары чисталыгы пычрануны киметә, аны иң төгәллек таләп иткән кушымталар өчен ышанычлы сайлау ясый.

Безгә электрон почта җибәрегез

Продукциянең детальләре

Продукция тэглары

Semicera-ның 6 дюймлы LiNbO3 бәйләү ваферы ярымүткәргеч сәнәгатенең катгый стандартларына туры китереп эшләнгән, тикшеренүләрдә дә, җитештерү шартларында да чагыштыргысыз эш күрсәтә. Endгары дәрәҗәдәге оптоэлектроника, MEMS яки алдынгы ярымүткәргеч төрү өченме, бу бәйләү вафаты заманча технологияләр үсеше өчен кирәкле ышанычлылык һәм ныклык тәкъдим итә.

Ярымүткәргеч тармагында 6 дюймлы LiNbO3 бәйләү ваферы оптоэлектрон җайланмаларда, сенсорларда һәм микроэлектромеханик системаларда (MEMS) нечкә катламнарны бәйләү өчен киң кулланыла. Аның искиткеч үзенчәлекләре аны төгәл катлам интеграциясен таләп иткән кушымталар өчен кыйммәтле компонент итәләр, мәсәлән, интеграль схемалар (IC) һәм фотоник җайланмалар ясауда. Вафинның югары чисталыгы соңгы продуктның оптималь эшләвен тәэмин итә, җайланманың ышанычлылыгына тәэсир итә торган пычрану куркынычын киметә.

LiNbO3 җылылык һәм электр үзлекләре
Эретү ноктасы	1250 ℃
Кюри температурасы	1140 ℃
Rылылык үткәрүчәнлеге	38 Вт / м / К @ 25 ℃
Rылылык киңәю коэффициенты (@ 25 ° C)	//a，2.0£10^-6/ К. //c，2.2£10^-6/ К.
Каршылык	2 × 10^-6Ω · см @ 200 ℃
Диэлектрик даими	εS11 / ε0 = 43 ， εT11 / ε0 = 78 33S33 / ε0 = 28 ， 33T33 / ε0 = 2
Пиезоэлектрик тотрыклы	D₂₂= 2.04 × 10^-11C / N. D₃₃= 19.22 × 10^-11C / N.
Электро-оптик коэффициент	γT₃₃= 32 сәгать / V γ γS₃₃= 31 сәгать / V ， γT₃₁= 10 сәгать / V ， γS₃₁= 8.6 pm / V ， γT₂₂= 6.8 pm / V γ γS₂₂= 3.4 pm / V ，
Ярым дулкын көчәнеше Электр кыры // z, яктылык ⊥ Z; Электр кыры // x яки y, яктылык ⊥ z	3.03 КВ 4.02 КВ

6 дюймлы LiNbO3 бәйләү ваферы ярымүткәргеч һәм оптоэлектроника өлкәсендә алдынгы кушымталар өчен махсус эшләнгән. Wearгары кием каршылыгы, югары җылылык тотрыклылыгы, гаҗәеп чисталыгы белән билгеле булган бу бәйләү вафаты югары җитештерүчән ярымүткәргеч җитештерү өчен идеаль, таләпчән шартларда да озак вакытлы ышанычлылык һәм төгәллек тәкъдим итә.

Заманча технологияләр белән эшләнгән, 6 дюймлы LiNbO3 бәйләү ваферы минималь пычрануны тәэмин итә, бу ярымүткәргеч җитештерү процесслары өчен бик югары чисталык таләп итә. Аның искиткеч җылылык тотрыклылыгы аңа югары температурага каршы торырга мөмкинлек бирә, структур бөтенлекне бозмыйча, аны югары температуралы бәйләү кушымталары өчен ышанычлы сайлау. Өстәвенә, вафинның искиткеч киемгә каршы торуы аның озын куллану өстендә эзлекле эшләвен тәэмин итә, озак вакытлы чыдамлык тәэмин итә һәм еш алыштыру ихтыяҗын киметә.