1. турындаКремний Карбид (SiC) эпитаксиаль ваферлар
Кремний Карбид (SiC) эпитаксиаль ваферлар кремний карбид бер кристалл вафаны субстрат буларак, гадәттә химик пар парламенты (CVD) ярдәмендә кристалл катламны ваферга куеп барлыкка килә. Алар арасында кремний карбид эпитаксиалы кремний карбид эпитаксиаль катламы үткәргеч кремний карбид субстратында үсә һәм алга таба югары җитештерүчән җайланмаларда ясала.
2.Кремний Карбид Эпитаксиаль ВаферХарактеристикалар
Без 4, 6, 8 дюйм N-тип 4H-SiC эпитаксиаль вафер белән тәэмин итә алабыз. Эпитаксиаль вафер зур полоса киңлегенә, югары туендырылган электрон дрифт тизлегенә, югары тизлектә ике үлчәмле электрон газына һәм югары өзелү кыры көченә ия. Бу үзлекләр җайланманы югары температурага каршы тору, югары көчәнешкә каршы тору, тиз күчү тизлеге, түбән каршылык, кечкенә зурлык һәм җиңел авырлык.
3. SiC эпитаксиаль кушымталар
SiC эпитаксиаль вафернигездә Шоттки диодында (SBD), металл оксиды ярымүткәргеч кыр эффект транзисторы (MOSFET) тоташу кыры эффект транзисторы (JFET), биполяр тоташу транзисторы (BJT), тиристор (SCR), изоляцияләнгән капка биполяр транзистор (IGBT) кулланыла. аз көчәнешле, урта көчәнешле һәм югары көчәнешле кырларда. Хәзерге вакытта,SiC эпитаксиаль ваферларюгары көчәнешле кушымталар бөтен дөнья буенча тикшеренү һәм үсеш этабында.
