Semicera's 4 "6" Pгары чисталык ярым изоляцион SiC Ingots ярымүткәргеч индустриясенең таләпләренә туры китереп эшләнгән. Бу инготлар чисталыкка һәм эзлеклелеккә игътибар итеп җитештерелә, аларны югары көчле һәм югары ешлыклы кушымталар өчен идеаль сайлау ясый.
Бу SiC инготларның уникаль үзенчәлекләре, шул исәптән югары җылылык үткәрүчәнлеге һәм искиткеч электр каршылыгы, аларны электр электроникасында һәм микродулкынлы җайланмаларда куллану өчен аеруча яраклы итә. Аларның ярым изоляцион табигате җылылыкның эффектив таралуына һәм минималь электр комачаулавына мөмкинлек бирә, нәтиҗәлерәк һәм ышанычлы компонентларга китерә.
Семицера кристалл сыйфаты һәм бердәмлеге булган инготлар җитештерү өчен заманча җитештерү процессларын куллана. Бу төгәллек һәр инготның ышанычлы кушымталарда ышанычлы кулланылуын тәэмин итә, мәсәлән, югары ешлыклы көчәйткечләр, лазер диодлары һәм башка оптоэлектрон җайланмалар.
4 дюймда да, 6 дюймда да бар, Semicera's SiC инготлары төрле җитештерү таразалары һәм технологик таләпләр өчен кирәкле сыгылманы тәэмин итә. Тикшеренүләр, үсеш яки массакүләм производство өченме, бу инготлар заманча электрон системалар таләп иткән эшне һәм ныклыкны китерә.
Semicera-ның югары чисталыгы ярым изоляцион SiC Ingots-ны сайлап, сез алдынгы материаль фәнне чагыштыргысыз җитештерү тәҗрибәсе белән берләштергән продуктка инвестиция саласыз. Семицера ярымүткәргеч сәнәгатенең инновацияләрен һәм үсешен яклауга багышланган, заманча электрон җайланмалар үсешенә мөмкинлек бирүче материаллар тәкъдим итә.
| Предметлар | Producитештерү | Тикшеренү | Думи |
| Бәллүр параметрлар | |||
| Политип | 4H | ||
| Faceир өстендә ориентация хата | <11-20> 4 ± 0,15 ° | ||
| Электр параметрлары | |||
| Допант | азот | ||
| Каршылык | 0.015-0.025ohm · см | ||
| Механик параметрлар | |||
| Диаметр | 150,0 ± 0,2 мм | ||
| Калынлык | 350 ± 25 мм | ||
| Беренчел яссы юнәлеш | [1-100] ± 5 ° | ||
| Беренчел яссы озынлык | 47,5 ± 1,5 мм | ||
| Икенче фатир | Беркем дә юк | ||
| TTV | ≤5 мм | ≤10 мм | ≤15 мм |
| ЛТВ | ≤3 μm (5 мм * 5 мм) | ≤5 μm (5 мм * 5 мм) | ≤10 μm (5 мм * 5 мм) |
| Bowәя | -15μm ~ 15μm | -35μm ~ 35μm | -45μm ~ 45μm |
| Сугыш | ≤35 мм | ≤45 μm | ≤55 мм |
| Фронт (Si-face) тупаслыгы (AFM) | Ra≤0.2nm (5μm * 5μm) | ||
| Структурасы | |||
| Микропип тыгызлыгы | <1 ea / cm2 | <10 ea / cm2 | <15 ea / cm2 |
| Металл пычраклары | ≤5E10атом / см2 | NA | |
| BPD | 001500 ea / cm2 | 0003000 ea / см2 | NA |
| TSD | 00500 ea / cm2 | 0001000 ea / cm2 | NA |
| Алгы сыйфат | |||
| Фронт | Si | ||
| Faceир өсте бетү | Si-face CMP | ||
| Кисәкчәләр | ≤60ea / wafer (size≥0.3μm) | NA | |
| Сызулар | ≤5ea / мм. Кумулятив озынлык ≤Диаметр | Кумулятив озынлык≤2 * Диаметр | NA |
| Алсу кабыгы / чокырлар / таплар / стриацияләр / ярыклар / пычрану | Беркем дә юк | NA | |
| Кыр чиплары / индекслар / сыну / алты тәлинкәләр | Беркем дә юк | ||
| Политип өлкәләре | Беркем дә юк | Кумулятив мәйдан ≤20% | Кумулятив мәйдан ≤30% |
| Алгы лазер маркировкасы | Беркем дә юк | ||
| Арткы сыйфат | |||
| Артка тәмамлау | C-йөзле CMP | ||
| Сызулар | ≤5ea / мм, Кумулятив озынлык≤2 * Диаметр | NA | |
| Арткы җитешсезлекләр (кыр чиплары / индекс) | Беркем дә юк | ||
| Арткы тупаслык | Ra≤0.2nm (5μm * 5μm) | ||
| Арткы лазер маркировкасы | 1 мм (өске кырдан) | ||
| Кыр | |||
| Кыр | Чамфер | ||
| Пакетлау | |||
| Пакетлау | Эпи вакуум упаковка белән әзер Күп ваферлы кассета төрү | ||
| * Искәрмәләр NA "NA" бернинди сорау да әйтелмәгән әйберләр SEMI-STD турында булырга мөмкин. | |||
